По предложенному Rst7 варианту прикинул симуляцию в симетриксе.

Все бы ничего , да мощности на транзисторах неслабые , Q2 - 2,7Вт Q1 - 21.8Вт на периоде . Трудно задемпфировать с небольшими потерями мощности , несмотря на коэфициент связи в трансе 0,999

Так ведь ir2153 тупо открывает транзисторы поочереди, а автор предлагает "Надо ключами управлять раздельно (дабы не гонять туда-сюда энергию на каждом цикле)" .
Интересно другое - почему мощность на транзисторах такая разная?

Сообщение отредактировал Andr2I - Nov 6 2009, 19:53

Ключами раздельно управлять на разных полупериодах - правильнЕЕ будет, бум пробовать (когда нибудь) . А греются по разному - потому что транзисторы сильно разные и динамические потери неодинаковые.

И это чтобы получить 70-90милливат полезного выхода на этой EL-панели.
овчинка и выделка.
Пара рублевых светодиодов, резистор и кусок акрила с этим куда лучше справляются.

Н-да... Некоторый опыт эксплуатации вновь сварганенного устройства всех ожиданий не оправдывает. Именно из-за активного режима "разрядных" транзисторов. Принципиально, выходит, невозможно добиться в таком виде КПД выше 50%, так? Абсолютные потери, конечно, не так уж велики, но всё же... Будем подумать дальше.


Нет, что-то неладно в нашем королевстве... Пересобрал схему, проблема остаётся. И длительности поправил. Заметил, что процесс симуляции шибко зависит от выбранного диода, но на каком-то этапе всё равно стопорится. Особенно, если выбрать не скоп, а Transient analysis. Выложить на получается, размер более 3МВ и не жмётся.


Заманчиво, конечно, но... Меня терзают смутные сомненья... Рекуперация - это, конечно, хорошо, но, во-первых источник должен быть способен принять эту возвращаемую энергию (а для этого придётся тоже нечто предпринять), а во-вторых, неоднократная "прокачка"
энергии "туда-сюда" неизбежно будет мультиплицировать потери. Перспективнее, на мой взгляд, было бы иметь возможность накапливать её на вторичной стороне (в том числе и в ёмкости нагрузки) и управлять расходом по нужному алгоритму. Как это сделать - мне пока неясно. Как бы не пришлось вернуться к классическому мосту на вторичной стороне.

А Вы не думаете, что повышенные потери во втором транзисторе могут быть связаны с тем, что в процессе рекуперации преобразователь работает практически на КЗ? Ведь идеальный (как в симуляторе) источник напряжения имеет нулевое выходное сопротивление.


+1. Полезная мощность чуть поболее, но не суть. Однако не переделывать же дисплеи? Хотя...
Да и потраченное время я пытаюсь оправдать тем, что интересен сам принцип.

Попробуйте длительности фронтов импульсных фазосдвинутых генераторв поставить не 1nS как по умолчанию, а 200 nS. Из-за 1 nS фронтов ухудшается ситуация.


Да не на КЗ в источник он работает , а как и первый низковольтный транзистор, тоже по принципу обратноходового. А основные потери на переходе в момент включения низковольтного ключа через транс напряжение на стоке высоковольтного начинает расти (иногда в с выбросом до лавинного пробоя 800V ). IRFBE30 еще не проснулся и не совсем закрылся (эффект миллера), а мертвое время я не менял в модели микрухи, там его имхо, вобщем , не хватает . В идеале - перекачка чисто реактивная, без КЗ. Но ключи нужны шустрые. Да и транс с таким коэффициентом трансформации с малым рассеянием сделаь в реале будет непросто , да еще с зазором.

Вот посмотрите как питание для EL делают в сотовых и всякой прочей мелочи типа плееров. Ну понятно что там не DIP8, но есть и маахонькие микросхемки с тем же принципом.
 25868.rar ( 28.22 килобайт ) Кол-во скачиваний: 101


Сообщение отредактировал Justin - Nov 9 2009, 05:30

Реактивный заряд и пассивный разряд на p-n переходах диодов, транзисторов , триаков. Это не наш метод
К тому же форма не синусоидальная , с гармониками, что плохо скажется на времени работы EL.

Вот что получилось с раздельным управлением транзисторами (по варианту предложенному Rst7 )
Мощности за 1 период 400Hz такие:
потребление от источника минус 678mW
Мощности рассеяния :
R6 273mW
R1 122mW
R8 98mW
Q2 85mW
Q1 95mW

Трансформатор с первичкой 35uH , коэфф 1:20 , Ls=1%. Интерес чисто спортивный , делать в железе не буду

Спасибо, может быть, я попробую. То есть КПД получился ок. 15%? Несущая ШИМ, насколько я понял, 10кГц. А для чего S1?

Пожалуйста, 15% примерно при классическом методе расчета . А если учесть что на подъеме в течении полупериода мощность 2,6Вт из источника, на втором полупериоде 1,2 Вт возвращается , разница 1,4 Вт - размазанная на период и дает примерно эти 700 мВт, то не знаю как и считать . Для схемы с разрядом на транзисторах (как деды) по идее КПД должен быть ниже раза в 2 за счет невозврата энергии.


неа - там 5 периодов ШИМ на 100 мкс (50кГц ).

компараторы стоят параметрические, с фронтами 100nS , выходным сопротивлением 10 Ом .
ОУ стоит с ограничением от рельс по 1-1,5V (чтобы не пересыщать транс на краях , давать возможность размагничиваться) , частота единичного усиления 10МГц . С таким ОУ цепи доп коррекции не потребовались, с 1 Мгц - цепи нужны и кривее всё.
S1 - из за недостатков модели ОУ служит для создания начальных условий без тока в первичке транса. Задерживающий выключатель на некоторое время. В реале надо позаботиться о плавном пуске.

Сообщение отредактировал тау - Nov 10 2009, 13:21

Уважаемый Herz, довел виртуальный КПД до 23% на типа нагрузке R8
Обидно что на делителе обратной связи теряется больше чем в нагрузке (на 4-х резисторах 27 % ) а увеличивать номиналы уже не хочется.
снизил частоту до 22 кГц (очень заметны пульсации на выходе) , увеличил индуктивность первички до 100uH , Ls по прежнему брал 1%.
попробовал воткнуть Uc3843 . Вроде могут работать.
В расчете КПД брал ток средний через первичку транса , помноженный на напряжение источника питания (токи и мощности проставлены на рисунке). Если учитывать потребление еще и микросхем , то всё ужудшается почти в 2 раза. Так что смысла особого нету бодаться дальше. МалЫ полезные мощности. Хотя принцип рабочий. Паразитная емкость транзисторов - мало влияет , проверил.

Можно с этого момента поподробнее? Чисто теоретический интерес.

Я не понимаю физику процесса, но когда пожаловался на быструю деградацию панели в центре, люди, которые с ними работали, хтро заулыбались "в усы".
ну, после второго полстакана раскололись. что это происходит из-за несинусоидальной формы питающего напряжения.
Дальше пошло подробно про свойства сульфида цинка. но то я уже не помню. Поднесла девочка на подносе третий полстакан.