реклама на сайте
подробности

 
 
9 страниц V   1 2 3 > »   
Reply to this topicStart new topic
> "Прямое" восстановление диода, Diode Forward Recovery
лосев
сообщение Nov 30 2009, 07:12
Сообщение #1


Частый гость
**

Группа: Участник
Сообщений: 171
Регистрация: 6-11-09
Пользователь №: 53 467



Тема отделена от "Проектирование БП средней мощности без конвекционного охлаждения"

Этот параметр называется Vfr -Forvard recovery voltage
и если фирме есть чем похвалится в этом плане- обязательно
хвалятся- мол у нас 2,5 вольта бывает не более 20нс.
И схемку приводят как мерять.
Или вообще крупными буквами- NO FORVARD RECOVERY!!!!
Так значит в остальных было?
А чего замалчивали? Хвалится нечем?
А вот когда нечем похвалится, приходится самому делать им анализы.
Чего они там умалчивают.
А без анализов и получается- никак не смог побороть выброс на диоде,
и поэтому забросил флай.

Все это последствия маркетинга- вложились в производство фаст-реверс-рековери
и теперь проталкивают их везде, а во флае выключение диода идет
при нулевом токе и этот параметр ему как собаке пятая нога.

Сообщение отредактировал Vokchap - Dec 9 2009, 09:39
Причина редактирования: Разделение темы

Эскизы прикрепленных изображений
Прикрепленное изображение
 
Go to the top of the page
 
+Quote Post
лосев
сообщение Nov 30 2009, 17:28
Сообщение #2


Частый гость
**

Группа: Участник
Сообщений: 171
Регистрация: 6-11-09
Пользователь №: 53 467



Цитата(gyrator @ Nov 30 2009, 19:54) *
Ну будет прямое напряжение малость больше чем
в уст. режиме, типо 1,75В вместо 0,75В,


А 175 вместо о,75 не приходилось видеть?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
gyrator
сообщение Nov 30 2009, 18:24
Сообщение #3


Местный
***

Группа: Banned
Сообщений: 354
Регистрация: 20-01-07
Пользователь №: 24 634



Цитата(лосев @ Nov 30 2009, 20:28) *
А 175 вместо о,75 не приходилось видеть?

Неее. Эт страшно и я в таких случаях глазки схлопываю, т.к. раздаётся страшный грохот и в стороны летят останки
полупроводов.


--------------------
Только те, кто предпринимает абсурдные попытки, смогут достичь невозможного.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
лосев
сообщение Nov 30 2009, 18:34
Сообщение #4


Частый гость
**

Группа: Участник
Сообщений: 171
Регистрация: 6-11-09
Пользователь №: 53 467



Цитата(gyrator @ Nov 30 2009, 21:24) *
, т.к. раздаётся страшный грохот и в стороны летят останки


Это наверное от симуля. smile3046.gif
Надо внимательнее изучить останки.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
IVX
сообщение Dec 1 2009, 00:33
Сообщение #5


Местный
***

Группа: Участник
Сообщений: 269
Регистрация: 9-05-05
Из: China
Пользователь №: 4 849



Цитата(лосев @ Nov 30 2009, 20:28) *
А 175 вместо о,75 не приходилось видеть?

а подробнее, что за диоды такие могучие(корпуса), что за токи и скорости?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
лосев
сообщение Dec 1 2009, 05:52
Сообщение #6


Частый гость
**

Группа: Участник
Сообщений: 171
Регистрация: 6-11-09
Пользователь №: 53 467



Цитата(IVX @ Dec 1 2009, 03:33) *
, что за диоды такие могучие(корпуса), что за токи и скорости?


Вот до чего резиновые бабы доводят, берешь обычную бабу... эээээ... диод
самый простой - Д226 или 1N4007 и куришь вот такую схемку из мануала
Разгоняешь дроссель до 10-30-100 ампер, и начинаешь изучать настоящую
физику полупроводников.
Я тоже в универе не помню как её сдавал- это какой то кошмар- зоны , уровни ферми,
в общем пришлось потом до всего руками доходить.
Для интереса можно потом эту схемку в симуле покрутить- поймешь чего он стоит.
Эскизы прикрепленных изображений
Прикрепленное изображение
 
Go to the top of the page
 
+Quote Post
IVX
сообщение Dec 1 2009, 07:39
Сообщение #7


Местный
***

Группа: Участник
Сообщений: 269
Регистрация: 9-05-05
Из: China
Пользователь №: 4 849



лосев, мои буст смпсы при 200А на пределах dI/dt пашут, есличо и никаких эдаких эффектов не видывал, всё что вижу -только спайки на конструктивных индуктивностях (то-220+1210+рсв).. biggrin.gif
Go to the top of the page
 
+Quote Post
IVX
сообщение Dec 1 2009, 14:37
Сообщение #8


Местный
***

Группа: Участник
Сообщений: 269
Регистрация: 9-05-05
Из: China
Пользователь №: 4 849



Цитата(лосев @ Dec 1 2009, 12:13) *
...

я прошу прощения, что ничего из вашего сумбура не понял, видимо сказывается продолжительное отсутствие в раше, но найду завтра полчаса, поищу 1N4007 (хотя вроде при чём тут тормозной диод, если речь о пико-нано секндных временах, ок проверю и MUR какой нибудь..) и шибану 100-200 амперами, на бешеной скорости, вероятно его пробьёт в сей же миг, но 2.7Gs/S скоп сфотографировать ваши 175в(!) успеет.
PS: сочетание букв "правильно Задорнов", не знаю как для других, но для меня лично, сильно убавляет остроты дискуссии, впрочем, не в обиду сказано.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
IVX
сообщение Dec 1 2009, 15:35
Сообщение #9


Местный
***

Группа: Участник
Сообщений: 269
Регистрация: 9-05-05
Из: China
Пользователь №: 4 849



лосев, гуглем сходу по Diode forward recovery time, вторая ссылка майкросеми аппнот по диодным потерям в PFC, вот так они упоминают о проблеме форвад рекавери: Actually, diode forward recovery time measurements are dominated by package inductance. Замечу, что речь там идёт о довольно толстых 30А 600В диодах, чего уж говорить о типичных для этого топика мелких MUR***? maniac.gif
Go to the top of the page
 
+Quote Post
лосев
сообщение Dec 1 2009, 15:49
Сообщение #10


Частый гость
**

Группа: Участник
Сообщений: 171
Регистрация: 6-11-09
Пользователь №: 53 467



Цитата(IVX @ Dec 1 2009, 17:37) *
я прошу прощения, что ничего из вашего сумбура не понял,


Так это был ответ на пост ни о чем, и я тоже ни о чем.
Мало или у кого чего где. У меня вот гвоздь в кармане.

Есть схема из даташиты, написано- 200 вольтовый транзистор надо ставить.
Зачем 200 вольт? Знают значит люди на фирме какой выброс может быть.
Чтоб его было видно весь.
И как импульсы надо подавать- тоже все расписано.
И не надо по другому.

А 200 ампер в течении микросекунды и чахлый диод выдержит.
У него в даташите 30 ампер при 8 милли секундах.
Это в тысячи раз дольше.
А открыватся он будет 5 микросекунд.
Это совсем не те времена о которых думает gyrator,
Это много для снаббера.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
IVX
сообщение Dec 1 2009, 16:05
Сообщение #11


Местный
***

Группа: Участник
Сообщений: 269
Регистрация: 9-05-05
Из: China
Пользователь №: 4 849



Цитата(лосев @ Dec 1 2009, 18:49) *
А открыватся он будет 5 микросекунд.
Это совсем не те времена о которых думает gyrator,
Это много для снаббера.

какой именно диод гиратор использовал, как вы увидели? Я не вижу партномера, просто символ диода и всё.. Ну ладно, говорите, который именно тормоз открывается 5мкс, завтра проверю, если найду конечно такой конченый диод в реале biggrin.gif
Go to the top of the page
 
+Quote Post
IVX
сообщение Dec 2 2009, 09:06
Сообщение #12


Местный
***

Группа: Участник
Сообщений: 269
Регистрация: 9-05-05
Из: China
Пользователь №: 4 849



лосев, да, 1n4004 на больших токах проваливается изрядно, я бы сказал его пучит от большого-быстрого тока, как будто индуктивность насыщающаяся внутри приличная, на 77А 1000нс (20нс фронт 17в через .22ом ) даже на 7А и то 600нс, на 1.5А 300нс, и дальше меньше, вплоть до нуля на 30мА. У mur160, mur1620, нескольких шоток и ixys 15A600V (не помню номер) этого провала вообще нет. Думаю, что такое непростое поведение 4007 и приносит некую пользу в RDC 20-50вт флаях, где его только и можно обнаружить в SMPS.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
лосев
сообщение Dec 2 2009, 11:15
Сообщение #13


Частый гость
**

Группа: Участник
Сообщений: 171
Регистрация: 6-11-09
Пользователь №: 53 467



Сдается мне рационализацию в схему внесли.
Надо строго по фирменной схеме.
Тогда без разницы mur-ы her-ы покажут пик до 1,5 мкс а шоттки до 0,5 мкс.
Это определяется технологией перехода диффузионные это одно, а шоттки -другое.
И т.д.
Вообще нужны ионно-легированные. Но это совершенно другая технология,
совершенно другие заводы надо строить, пока только заказные приборы так делают.
А нам что то нужно изобретать из того что есть.

Вот поэтому я и пристал к гиратору- чтобы он включал в модель эти "насыщающиеся индуктивности"
Хотя это не индуктивность. Насчет простой модели думать надо.
Сложные модели переходов есть, но опять же не для широкого пользования.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
IVX
сообщение Dec 3 2009, 17:03
Сообщение #14


Местный
***

Группа: Участник
Сообщений: 269
Регистрация: 9-05-05
Из: China
Пользователь №: 4 849



Цитата(лосев @ Dec 2 2009, 14:15) *
Надо строго по фирменной схеме.
Тогда без разницы mur-ы her-ы покажут пик до 1,5 мкс а шоттки до 0,5 мкс.

я пробовал и по схеме, мосфет правда 60 вольтный был, увидел этот косяк у 4004 и решил проверить на большом но ровном токе и заменил индуктор на .22ом рез. На murs120 и шоттке 20200 не было этого провал в схеме с индуктором (заряжал до 200А), есть наносекундные спайки на индуктивность больших корпусов типа то-220.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
лосев
сообщение Dec 3 2009, 19:45
Сообщение #15


Частый гость
**

Группа: Участник
Сообщений: 171
Регистрация: 6-11-09
Пользователь №: 53 467



Цитата(IVX @ Dec 3 2009, 20:03) *
и заменил индуктор на .22ом рез.

Так это совсем другая схема, в ней и тока в первую микросекунду нет.
В том то и дело- когда переключается ток, который уже есть в схеме-
картина совсем другая.
Выброс есть всегда.
Вот картинки из букварика про физику процесса- очень упрощенно
в реальности нет такого распределения примесей а переходе,
там все сложнее именно из за технологии диффузии -неравномерность
по толщине и невозможность получить нужные концентрации в нужном месте.
Эскизы прикрепленных изображений
Прикрепленное изображение
 
Go to the top of the page
 
+Quote Post

9 страниц V   1 2 3 > » 
Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 9th July 2025 - 12:56
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01498 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016