|
|
  |
Классификация типов включения транзистора, Re: Эмиттерный повторитель/Теоретический вопрос |
|
|
|
Jan 17 2010, 15:10
|

.
     
Группа: Участник
Сообщений: 2 424
Регистрация: 25-12-08
Пользователь №: 42 757

|
Цитата(SM @ Jan 17 2010, 16:29)  Так что не надо писать, что у меня всего два состояния. У меня все три, просто третье более глубоко проанализировано. И я приводил график переходного процесса уже давно вот там.... Согласен с замечанием, перегнул малость в злопыхательстве  . Каюсь. Цитата ........К сожалению, на графике непосредственно не видно, когда начинается насыщение, но можно примерно оценить - тогда, когда расстояние по вертикали между красной и малиновой линиями станет больше, чем расстояние от нуля до зеленой. И это отнюдь не меньшая часть переходного процесса. Это так будет при большой бэтте и сравнительно большом Rk (или внешнем резисторе в коллекторе). А я предлагаю представить что в схеме GetSmart-a транзистор с очень малым Rk (например 0,1 Ом) и малой бэттой <100. В таком случае насыщение не наступит на бОльшей части переходного процесса в этой схеме. Транзистор в активном режиме будет разряжать Cload. Вы будете утверждать что схема включения зависит от того насыщен\ненасыщен ? или грубо говоря от бэтты ? или , как я раньше ставил вопрос - от вида сигнала на входе базы? Похоже что ответа на эти вопросы я не получу.
Сообщение отредактировал тау - Jan 17 2010, 15:11
|
|
|
|
|
Jan 17 2010, 15:51
|
Гуру
     
Группа: Свой
Сообщений: 7 946
Регистрация: 25-02-05
Из: Moscow, Russia
Пользователь №: 2 881

|
Цитата(тау @ Jan 17 2010, 18:10)  Вы будете утверждать что схема включения зависит от того насыщен\ненасыщен ? или грубо говоря от бэтты ? или , как я раньше ставил вопрос - от вида сигнала на входе базы? Похоже что ответа на эти вопросы я не получу. Почему же не получите? Мои утверждения остались такими же, какими и были: - Схема включения зависит лишь от условной точки, принятой за общий перед началом анализа каскада, и ни от чего более. - Схема включения - самое первичное исходное данное для анализа, на основании которого затем определяются источник сигнала и нагрузка, а уже дальше токи и напряжения в них. Но не результат анализа. - И в ОК, и в ОЭ, и в ОБ транзистор может быть как в отсечке, так и в активном, и насыщении и инверсии. Это как мухи и котлеты - схема включения одно, а квадрант, в котором находится транзистор по смещениям переходов в то или иное время, другое, друг на друга не влияющее. А мое уточнение было лишь к Вашим словам, что я забыл про переходной процесс  , а отнюдь не непосредственно к теме - схеме включения. Цитата(тау @ Jan 17 2010, 18:10)  А я предлагаю представить что в схеме GetSmart-a транзистор с очень малым Rk (например 0,1 Ом) и малой бэттой <100. Да не суть важно, насыщен или нет. Важно другое - что когда емкость выхода микросхемы разрядилась, ее транзистор закрылся, что на порядок-другой быстрее всего остального процесса разряда нагрузки, и от всей микросхемы остался пикофарадный кондер (а точнее диод катодом к общему ИМС и анодом к выходу), транзистор VT101 можно рассмотреть хоть как эмиттерный повторитель, который "повторяет" сам на себе напряжение, определяемое бетой транзистора, резистором, зарядом бутстрепного кондера и разрядом нагрузки получающимся током КЭ, так и как усилитель тока c ОЭ, который усиливает ток базы, определяемый тем же резистором и тем же бутстрепным кондером, и разряжает этим током нагрузку.
|
|
|
|
|
Jan 17 2010, 17:01
|
Гуру
     
Группа: Свой
Сообщений: 7 946
Регистрация: 25-02-05
Из: Moscow, Russia
Пользователь №: 2 881

|
Цитата(тау @ Jan 17 2010, 19:23)  Во второй половине поста 257 Вы почти явно соглашаетесь с тем , что таки зависит схема включения от вида сигнала! А если на порядок медленнее ?  Вы чем читаете?  Во второй половине поста я более чем явно сказал, что анализ схемы с ОК равнозначен в правах с анализом ОЭ, что, так же явно, говорит о том, что схема включения от видов сигналов где либо не зависит. "...можно рассмотреть хоть как эмиттерный повторитель....так и как усилитель тока c ОЭ...."Если на порядок медленнее, то ничего принципиально не меняется, кроме того, что источник сигнала для этого момента времени усложняется тем, что кроме воздействия R103 и бутстрепного кондера добавится еще и ток с микросхемы, рассматриваемой уже не как диод катодом к ее общему, а сложнее. UPD: анодом к общему, конечно. Сорри, очепятка.
|
|
|
|
|
Jan 17 2010, 17:45
|

.
     
Группа: Участник
Сообщений: 2 424
Регистрация: 25-12-08
Пользователь №: 42 757

|
Цитата(SM @ Jan 17 2010, 20:01)  ....схема включения от видов сигналов где либо не зависит. Ну , собственно, это я и хотел услышать от Вас, чтобы при случае передать Getsmart-у. Так как это для него важно, а Вам не очень ( по вашей системе , отличия между схемами включения - лишь условности). С легкостью перепрыгивая от ОЭ к ОК , Вы, тем самым , просто размываете смысл этих понятий, сводя информационное содержание к нулю ( в переносном и прямом смыслах  ) .
|
|
|
|
|
Jan 17 2010, 18:18
|
Гуру
     
Группа: Свой
Сообщений: 7 946
Регистрация: 25-02-05
Из: Moscow, Russia
Пользователь №: 2 881

|
Цитата(тау @ Jan 17 2010, 20:45)  Вы, тем самым , просто размываете смысл этих понятий, сводя информационное содержание к нулю ( в переносном и прямом смыслах  ) . В общем - именно так. Я считаю, что это - ОК/ОЭ/ОБ придуманы лишь для удобства, а удобство - понятие субъективное. Одному удобнее, например, включить нагрузку в состав источника сигнала, а другому сделать источник питания плавающим (это я про high side драйвер). Один проанализирует как ОК, второй - как ОЭ. Результаты у обоих получатся равными. Но первому было удобно так, второму - эдак. И каждый по-своему пришел к тому же результату оптимальным для себя методом. Т.е. информационное содержание действительно равно нулю, каждому из анализировавших совершенно непонятно, зачем другой делал не так как он, однако экономия времени у каждого - на лицо, так как каждому было так удобнее.
|
|
|
|
|
Jan 18 2010, 17:00
|
Гуру
     
Группа: Свой
Сообщений: 7 946
Регистрация: 25-02-05
Из: Moscow, Russia
Пользователь №: 2 881

|
Цитата(GetSmart @ Jan 18 2010, 18:56)  В токовом зеркале как включены оба транзистора? первый - вообще в диодном включении. С точки зрения ОЭ (усилителя тока): источник сигнала (из-за соединения Б и К) описывается формулой Iвх = Iin/(бета+1). нагрузка подключается между К и Э, напряжение на ней около 0.6 вольт из-за того, что переход БЭ является диодом, и на нем падает ровно столько, сколько обусловлено разделением токов в базу и коллектор как 1:бета. С точки зрения ОК (повторителя) - вообще красиво. источник сигнала описывается очень просто: Uвх = Uкб = 0. На эмиттере, на выходе, соотв. согласно всем правилам повторителя напряжение примерно равно Uб-0.6 вольт, а так как Uкб=0, а нагрузка включена между К и Э - на нагрузке всегда около 0.6 вольт. Точное значение определяется также, как и в предыдущем случае, через разделение токов в коллектор и базу, ибо чудес не бывает, и как бы не был включен транзистор, он все равно просто транзистор, хоть неидеальный повторитель из-за конечной беты, хоть усилитель тока с конечным усилением из-за нее же. второй транзистор... С точки зрения ОЭ: он, естессно, усилитель тока. На базу подается относительно эмиттера такое напряжение, которое задает точно такой ток базы, чтобы через коллектор тек заданный ток, который Iб*бета. С точки зрения ОК: Так как общий источника сигнала у нас теперь на коллекторе, то источник сигнала описывется теперь как сумма падения на нагрузке и того входного сигнала, что был в ОЭ-рассмотрении. Получается эмиттерный повторитель, охваченный глубокой ПОС за счет участия падения напряжения на нагрузке в составе источника сигнала. Составив уравнение, учитывающее неидеальность такого эмиттерного повторителя, обусловленного той же бетой, что и при ОЭ рассмотрении, увидим, что в данной схеме в результате действия ПОС на эмиттере будет выставляться такое напряжение, чтобы через нагрузку тек тот же ток, что и в предыдущем рассмотрении. Цитата(GetSmart @ Jan 18 2010, 18:56)  И существует ли "в природе" источник тока в режиме ОК? В природе просто существует источник тока просто на транзисторе. А вот с какой стороны его проанализировать - вопрос как кому удобнее. Не существует "режим ОК". Существует " схема ОК". Ключевое слово - схема - это лишь чертеж, рисунок. А режим бывает активный/насыщение/отсечка/инверсия. В токовом зеркале тот транзистор, что в диодном включении - всегда насыщен (почти не насыщен, по свойствам даже еще вроде как активная зона, но формально по определению - насыщен, так как переход БК всегда чуть-чуть обратносмещен из-за падения на Rc, превышающего падение на Rb). А другой - может быть как насыщен, так и активен, в зависимости от нагрузки.
|
|
|
|
|
Jan 18 2010, 17:54
|
.
     
Группа: Участник
Сообщений: 4 005
Регистрация: 3-05-06
Из: Россия
Пользователь №: 16 753

|
Цитата(SM @ Jan 18 2010, 22:00)  первый - вообще в диодном включении. Ну как бы не совсем. Диодное включение - не использование вообще 3-его пина или закорачивание одного из переходов транзистора. Либо даже запараллеливание обоих переходов. В токовом зеркале всё-таки транзистор находится в 100% активной зоне, хотя его вход непосредственно замкнут с выходом и никакого усиления нет. Может поэтому его и нельзя классифицировать. Двухполюсник вобщем. Цитата(SM @ Jan 18 2010, 22:00)  С точки зрения ОЭ (усилителя тока): ... С точки зрения ОК (повторителя) - вообще красиво. ... второй транзистор... С точки зрения ОЭ: ... С точки зрения ОК: ... ИМХО, с "правильной" "точки зрения" анализ всегда получается проще  Вобщем я прихожу к мнению, что не существует только 3-ёх схем включения. Точнее они есть в 50% случае в чистом виде, но в остальных 50% существуют всякие гибриды и прочие более сложные схемы включения, у которых названия другие должны быть (или их ещё не придумали). ЗЫ. Моя схемка всё-равно брат-близнец high side driver-a  и схема включения должна быть классифицирована аналогично.
--------------------
Заблуждаться - Ваше законное право :-)
|
|
|
|
|
Feb 2 2010, 09:17
|
Частый гость
 
Группа: Участник
Сообщений: 127
Регистрация: 6-07-08
Из: Москва
Пользователь №: 38 765

|
Всем день добрый! Странный спор Когда-то, очень давно, на заре становления полупроводниковой электроники, инженеры условились: - если схема имеет низкое входное сопротивление и имеет большое усиление по мощности, то это ОЭ; - если схема имеет высокое входное сопротивление и имеет большое усиление по току, то это ОК; - если схема имеет низкое входное сопротивление и имеет большое усиление по напряжению, то это ОБ. Еще возможны комбинации этих схем, что приводит к эквивалентам. Например, последовательное включение 2-х каскадов ОБ и ОК дает эквивалент ОЭ. Коэффициент усиления эквивалента и одного транзистора могут различатся на порядки. Или спор о чем-то более глубоком? .
Сообщение отредактировал Rostislav - Feb 2 2010, 10:00
|
|
|
|
|
Feb 2 2010, 11:20
|
.
     
Группа: Участник
Сообщений: 4 005
Регистрация: 3-05-06
Из: Россия
Пользователь №: 16 753

|
Цитата(tyro @ Feb 2 2010, 15:56)  P.S. Готовитесь к переезду на пмж в шарагу? А что, скучно без меня? Тут слишком много обормотов приближённых к верхушке крутится. Абыдно. Rostislav, есть слишком много разных аспектов у схем включения и они никак не хотят укладываться в стройную картину, в которой всё можно описать парой-тройкой правил. Кто-то делает акцент/приоритет на одном признаке, кто-то на другом, а кто в итоге правЕе - не ясно.
--------------------
Заблуждаться - Ваше законное право :-)
|
|
|
|
|
  |
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0
|
|
|