вот поставил в схему такию ИМС, все вроде бы ОК, только вот не нравится мне, что греется прилично.
снизу корпус у нее с металлизацией exposed pad вроде так называется- на полигон земли припаян через переходное отверстие.
написано в даташите 0,8 Вт макс. рассеяние, да вот на входах у меня 0, все равно греется и нагрузка "облегченная" - 500 Ом.

нигде не смог найти примера PCB, чтобы было можно разглядеть чего то, в даташите на ИМС впечатление, что специально картинку низкокачественную вставили, а даташит на демоплату вообще не смог найти.

подскажите, пожалуйста
правильно ли соединять exposed pad с землей (не нашел в даташите)?
и должна ли эта ИМС ощутимо греться?

В даташите на рисунке топологии ПП чётко видно, что площадка соединена с одним из выводов микросхемы. Рядом справа сборка, где виден ключ (у верхнего левого угла микросхемы). Значит, площадка соединена с 7 выводом (землёй).

Получается, что правильно. В таких микрухах - это нормально.
Греться должна, 0.8 Вт - слишком большая мощьность для такого крошечного корпуса. Я обычно навешиваю над такими корпусами тело корпуса девайса и отвожу тепло через SilPad или пасту.

+1 за распознавание.

-1, не всё удалось распознать: вывод 1 тоже соединён с площадкой, но это видно нечётко!
Рекомендация к распознаванию: не стОит слишком сильно зуммировать нечёткий рисунок.

-1 за то, что не могли нормальную картинку сделать...

до скольки градусов окр. среды можно эксплуатировать эту ИС без радиатора- используя лишь полигон земли, на который припаян exposed pad?

Странные ребяты из девиц. Нет чтобы нормально указать тепловое сопротивление, они вдруг его записали в максимальные предельные параметры - вот и думай, что они хотели этим сказать, не указав сопротивления джанкшин-борд. Но посмотрев на другие микросхемы типа ADCLK вроде получается, что это все-таки реальное сопротивление джанкшин-амбиент на четырехслойке 2s2p с девятью переходными диаметром 0.3мм, хотя у них есть микросхемы в таком же корпусе с сопротивлением 30С/Вт. Но имеем то, что имеем. Пусть Тета джей-эй равняется 73С/Вт, при мощности 0.8Вт перегрев кристалла получается 73х0.8=58 градусов. Т.е. при 25 Цельсия кристалл (не корпус!) нагреется до 83-х. При максимальной температуре кристалла 150 градусов температура окружающей среды может быть 92 градуса, что гораздо выше рабочей - не все еще потеряно. А вообще, температура на корпусе (не на кристалле!) в 60-65 в НУ у таких микросхем (три-пять секунд пальцем руки, которая не держит детали при пайке) - обычное явление

Сообщение отредактировал ledum - May 10 2010, 17:47

Опасная ситуация, однако: максимальная потребляемая мощность (0.715 Вт) немного меньше максимальной рассеимаемой (0.8 Вт). Тут кроме радиатора хочу посоветовать снизить напряжение питания до 4.5 В, если это возможно (я в таких мутных ситуациях часто ставлю регулируемые LVR, кроме того, можно диод Шоттки влепить в питание). Баловство, конечно, но немного поможет. А Вы пирометром температуру микросхемы в НКУ измеряли?

к сожалению не имею пирометра, обязательно попытаюсь раздобыть.
пальцем 5 секунд можно потерпеть, давно не выпаивал детали, так что думаю градусов 70 не более.
мне боьше всего не нравится, что часть платы, где установлена данная ИС довольно прилично (на ощупь) отличается по температуре от остальной части платы, не приведет ли это к каким либо печальным последствиям (типа деформации платы, старения 3-х чип танталов, расположеных примерно в 3-х см. от этой "печки")?
и что самое интересное- повышение нагрузки с 51Ом до 510Ом и даже 5100Ом (мне согласование не особо нужно- частоты до неск. МГц) не дало особого результата, видимо греется умножающее ядро.
конечно как вариант можно отключать ИС по сигналу enable, когда она не используется, но вот плата уже разведена, придется провода тянуть.


намного ли увеличится тепловое сопротивление, если у меня 1 отв. диаметром 0,5, залитое припоем естественно? класс точности платы не позволил сделать отв. диаметром 0,3.

Мы для ручной сборки решили таким образом этот вопрос http://electronix.ru/forum/index.php?showt...st&p=710626 , ну и, конечно, одно отверстие 0.5мм немного тоскливо. Можно посмотреть зависимость теплового сопротивления от числа отверстий на рис. 7 http://www.analog.com/static/imported-file...0252AN772_0.pdf , но там 48-ми ногий корпус.
Для более-менее точного измерения температуры корпуса используем маленькую термопарку от нагревного столика. LT5514 при монтаже по указанной первой ссылке до заливки отверстия диаметром 2.5мм показания термометра составляют 80-83 градуса, после заливки отверстия на 4-х слойной плате с двумя граунд плэйнами - на 20 градусов меньше.

надежно получается?

да видел эту пдфку, подозреваю все довольно непредсказуемо при др. корпусах.(?) подозреваю следует ожидать 80С/Вт.

Пока ни одного возврата даже из стран Африки, Южной Америки и Азии за 5 лет как такое применяем.

отлично!
паяется паяльником, феном, печкой? расскажите, пожалуйста, технологию.

Дык обычной Эрсой Digital 2000A с 80Вт паяльником, главное, чтобы жало влазило в отверстие, на термостоле http://micromir.ucoz.ru/publ/12-1-0-1478 - QUICK 854 (температура термостата термостола 200 градусов - но это в месте датчика под металлической сеткой стола, а не на плате - там градусов 90-100 не больше) . Микросхема, конечно, предварительно с топа уже за ножки припаяна. Кстати, как раз вторым датчиком термостола и меряем температуру на чипах. Термостол мне не нравится, но его купили до моего прихода.

Сообщение отредактировал ledum - May 11 2010, 11:11

диаметр отверстия у вас миллиметров 5 впримере? при пайке корпус ИС нагревается, она не отваливается?

Только что перемерял - 119 милз - 3мм (там, кстати, две разные платы и микросхемы - что было под рукой на момент фотографирования). Как раз из-за достаточно высокого теплового сопротивления корпус-ножки ничего вроде не отваливается (ну, если не переусердствовать). Еще раз - 200 градусов термостата - это что-то типа попугаев где-то внутри термостола, второй термодатчик показывает более-менее правильную температуру около 100 на плате при запайке.

Сообщение отредактировал ledum - May 11 2010, 11:28