к сожалению не имею пирометра, обязательно попытаюсь раздобыть.
пальцем 5 секунд можно потерпеть, давно не выпаивал детали, так что думаю градусов 70 не более.
мне боьше всего не нравится, что часть платы, где установлена данная ИС довольно прилично (на ощупь) отличается по температуре от остальной части платы, не приведет ли это к каким либо печальным последствиям (типа деформации платы, старения 3-х чип танталов, расположеных примерно в 3-х см. от этой "печки")?
и что самое интересное- повышение нагрузки с 51Ом до 510Ом и даже 5100Ом (мне согласование не особо нужно- частоты до неск. МГц) не дало особого результата, видимо греется умножающее ядро.
конечно как вариант можно отключать ИС по сигналу enable, когда она не используется, но вот плата уже разведена, придется провода тянуть.
Цитата(ledum @ May 10 2010, 23:22)

Странные ребяты из девиц. Нет чтобы нормально указать тепловое сопротивление, они вдруг его записали в максимальные предельные параметры - вот и думай, что они хотели этим сказать, не указав сопротивления джанкшин-борд. Но посмотрев на другие микросхемы типа ADCLK вроде получается, что это все-таки реальное сопротивление джанкшин-амбиент на четырехслойке 2s2p с девятью переходными диаметром 0.3мм, хотя у них есть микросхемы в таком же корпусе с сопротивлением 30С/Вт. Но имеем то, что имеем.
намного ли увеличится тепловое сопротивление, если у меня 1 отв. диаметром 0,5, залитое припоем естественно? класс точности платы не позволил сделать отв. диаметром 0,3.