для преобразователя питания, работающего от низкого напряжения (4-6в) хотелось бы минимизировать падение напряжения и получить большее КПД за счет параллельного подключения мосфет транзисторов, благо нужен один, а их два в корпусе (so-8). При этом уменьшится сопротивление открытого канала, что приведет к меньшему падению напряжения на нем и облегчит жизнь преобразователю, увеличится максимальный ток, который сможет пропустить транзистор. Другой вопрос, какие параметры ухудшатся? ведь емкости переходов сложатся и возрастут. Повлияет ли параллельное включение на время tON мосфета и на пороговое напряжение открытия затвора?

Сообщение отредактировал Alexeus - Jun 8 2010, 04:59

Пороговое напряжение, конечно, не изменится, а вот для суммарной ёмкости затвора потребуется двойной заряд. Если драйвер не сможет выдать двойной ток, то время включения затянется (как и время выключения, соответственно). Это может привести не только к снижению рабочей частоты преобразователя, но и к большим динамическим потерям. И даже к перегреву корпуса. Поэтому, если нужно параллелить полевики, обеспечьте им достаточный ток управления.

дело в том, что мосфет управляется м/с мах641 с выхода "ехт", какой ток она может дать я в даташите на преобразователь не нашел... буду благодарен, если поможете выяснить: http://datasheets.maxim-ic.com/en/ds/MAX641-MAX643.pdf

питание 4-6,5в, на выходе 12в/0.12А
мосфет FDS6961A http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/...ld/FDS6961A.pdf

В даташите об этом прямо не говорится, приведено лишь выходное сопротивление EXT Output Resistance, по его значению можно прикинуть.
Но, судя по тому, что в списке рекомендованных значатся такие "монстры" как IRF540 с его Total Gate Charge 30-40 нС и ёмкостью затвора 870пФ, Ваш FDS6961 можете подключать впараллель смело. Если не лень, можете посчитать потери на переключение, но для тока в полампера, думаю, рассеивая мощность не будет превышена.

Спасибо большое. Буду собирать...

Если сборка ещё не завершена, то я бы посоветовал проделать эксперимент. Сначала попробовать однотранзисторный вариант, потом двухтранзисторный. Вычислить КПД обоих вариантов и сообщить заинтересованой общественности.

эт можно. как вы предлагаете расчитать кпд преобразователя?
(транзистор сдвоенный в корпусе SO-8, так что сомкнуть/разомкнуть пару перемычек на выводы, труда не составит.)

А что есть много вариантов?
Вычисляем выходную мощность, делим ее на входную и умножаем на 100%. Для вычисления мощности измеряем одновременно напряжение и ток.

Для измерения тока, можно установив на входе/выходе - шунт (низкоомный резистор) и по падению напряжения на нем, по закону Ома, узнать ток. Входное напряжение замерять после шунта, выходное - до.

Практически не повлияет на первое, и совершенно не повлияет на второе.

Если под включением подразумевать достижение определённого сопротивления канала, то это время практически не изменится.

КПД преобразователя, в данном случае, будет определяться другими факторами.
Главный из них - количество заряда, прокачиваемого драйвером через цепь затвора в единицу времени.
Эти потери - чисто активные, хоть и приходится перезаряжать ёмкость.

Параллелить данные полевики не нужно - КПД, скорее всего, только упадёт.
Для 4В питания они подходят плохо - нужно искать с меньшим пороговым напряжением.
Посчитайте, какой средний ток будет в цепи затвора, и умножьте на напряжение питания - это прямые потери (в основном, в драйвере). О них почему-то часто забывают даже "заслуженные" конструкторы импульсных преобразователей.

ЗЫ. Посмотрел даташит на Максим. Для такой низкой частоты, получится "быр-на-быр", скорей всего.
Драйвер там хилый.
В общем, ищите другие транзисторы. И контроллер с меньшим выходным сопротивлением.

4в это у меня край, когда батарея уже считается разряженной, а максимум- 6,5в

можно попробовать PHN210, хотя смысла не больше, об этом ниже. У него порог=1-2,8в, tON=14, Rds(on)=0,2 ,Станислав, как считаете- данный мосфет подойдет в параллель?

Станислав, данная м/с работает в bootstrapped режиме, по-моему на затвор полевика прикладывается напряжение VOUT

sera_os, спасибо.

Всё равно - полевик лучше брать с пороговым напряжением 2В, или даже меньше.

Если есть возможность выбора, ничего параллелить не надо. Просто найдите подходящий полевик. Rds менее 100-150 мОм уже на результат не повлияет, а вот ёмкость затвора - повлияет сильно.
Смотреть нужно у Fairchild или Vishay/Siliconix.
Да, верно...
Но для 4 В питания порог нужен всё-таки поменьше. Для надёжного запуска.
Неизвестно, что там драйвер у Максима выдаст.

ЗЫ. Большое напряжение на затворе даст дополнительные потери на перезарядку емкостей.
Для достижения максимального КПД, нужно применить другой контроллер.
Транзисторы сойдут, при условии, что драйвер выдаст хотя бы 3,5 вольта при запуске. О падении напряжения на диоде при этом забывать не стоит.

посмотрите FET SELECTOR.pdf на сайте IR. Там есть новые разработки, причём очень дешёвые. Я себе присмотрел IRLR8721 (87xx), IRFH7921 (79xx), IRF87xx. Первый в DPAK, второй в PQFN, третий в SO-8.

стыдно, но я мосфеты со старых железок сдираю, в основном с жестких дисков- там по несколько сдвоенных. ну а что покупать, когда и там неплохие

верно

неверно

действительно не нужно параллелить, Кпд не изменится практически никак в данной паре ИМС-полевик(и). Потери в затворе выше статических даже для одиночного полевика, хотя и составляют милливатты.
имхо , хорошо подходят.

для FDS6961A , тем не менее, 10-кратный запас от необходимого

И первое и второе - лишнее. Сопротивление 100 Ом выхода EXT обеспечивает Tr гораздо меньшее, чем тормознутость самого полевика FDS6961A по внутренним причинам (11nS). Для 20 мкс периода это сущие крохи , что 1 nS, что 11nS, что 20nS

Сообщение отредактировал тау - Jun 8 2010, 21:11

Посчитаем?