для преобразователя питания, работающего от низкого напряжения (4-6в) хотелось бы минимизировать падение напряжения и получить большее КПД за счет параллельного подключения мосфет транзисторов, благо нужен один, а их два в корпусе (so-8). При этом уменьшится сопротивление открытого канала, что приведет к меньшему падению напряжения на нем и облегчит жизнь преобразователю, увеличится максимальный ток, который сможет пропустить транзистор. Другой вопрос, какие параметры ухудшатся? ведь емкости переходов сложатся и возрастут. Повлияет ли параллельное включение на время tON мосфета и на пороговое напряжение открытия затвора?

Сообщение отредактировал Alexeus - Jun 8 2010, 04:59