Увлёкся вашими исканиями, заинтересовался и решил промоделировать. Моделировал в Altium, прошу за него не пинать, т.к. комп с симуляторами сейчас занят. Входное сопротивление получилось несколько меньше и колебалось около 65 Ом не влияя на изменнеия резистора тока базы с 3к9 до 500 ом и входного по постоянному току 1к до 100 ом. Похоже на то, что для конкретного экземпляра транзистора не меняется. В архиве схема

Да, интересно. Может сама модель и характеристики транзистора КТ325 мальца отличаются от того, что у вас в моделе. То, что резистор в базе не влияет по переменке - это очевидно. А вот то, что резистор аналогичный тому, что у меня в схеме, Rэ не влияет - очень странно...


Кстати интересно было бы знать каково выходное сопротивление этой схемы. Скорее всего этот усилитель должен иметь выходное сопротивление, сравнимое с входным. Иначе, такой усилитель, если подтыкнуть его к антенному входу телевизора, ничего особо и не усилит. Ведь входной усилок транзистора рассчитан на 75 Ом. Или я не прав?

Я вот тоже попробовал промоделировать, получилось вобщем неплохо, при указанных на схеме номиналах Zвх=71 Ом (на 140МГц Zвх достигает 75 Ом), iк=1,34мА. Сделал прогоны с изменением сопротивления резистора R29 от 1к до 4к (Iк меняется от 0,8 до 2мА). На верхнем графике показаны коэфф.передачи каскада, на нижнем -входное сопротивление, оно меняется от 84 до 65 Ом.
Так что все вроде работает как надо.
Да, делитель на входе образуется: если закоротить входной R31, усиление возрастает примерно на 11дБ.


Выходное получается около 950 Ом на низких и сильно спадает с частотой (на второй картинке). Что вобщемто тоже логично.

А входное при этом какое получается?

Ну а как вы думаете? 71-51=20. Столько и показывает.
ПС. Транзистор взял с запасом -граничная частота 8ГГц, поэтому до 1ГГц входной импеданс практически чисто активный.

Но при этом получается несогласование по мощности...

Порылся в загашниках и нашел спайс модель на 2Т325В
.model 2T325B NPN (Is=49.6f Xti=3 Eg=1.11 Vaf=70 Bf=313.5 Ne=1.358 Ise=49.56f Ikf=.135 Xtb=1.5 Br=4 Nc=2 Isc=100p Ikr=20m Rc=20 Cjc=2.5p Vjc=.72 Mjc=.333 Fc=.5 Cje=2.5p Vje=.75 Mje=.333 Tr=250p Tf=516.5p Itf=0 Vtf=0 Vceo=15 Icrating=0.06 mfg=USSR)

Собрав на ней схему в LTSpice получил импеданс около 68 Ом. Уменьшив резистор базы с 2к до 1к3 получил искомые 75 Ом. Нагрузку усилителя взял 75 Ом. Ток коллектора - 1,06 мА

Ну да, получается тогда, что rэ=25мВ/1.06мА~24Ом. в итоге входное и будет: 51Ом+24Ом=75Ом.

Тогда в сам расчет внес исправления:

Схема усилительного каскада с общей базой на n-p-n транзисторе будет выглядеть так



Поправьте, если где не так!

Проверил расчет на примере схемы, считая, что Iк0=1.06мА, а Uкэ0=2.5В. Расчетные номиналы не совпали...
Вот параметры, указанного на схеме транзистора


Сообщение отредактировал makc - Aug 20 2010, 08:40

Вольт-амперные характеристики транзистора KT-325

Чтото мне подсказывает, что усиление у вашей схемы будет близко к единице
Какой тогда в ней смысл?


А вы про диод в базовом делители не забыли?

Диод в прямом направлении, я думаю, можно считать сопротивлением в максимум 100 Ом (это с очень большим запасом).

А главное, что я "забыл" (к сожалению никто меня даже не поправил ) - это что у транзистора подключенного по схеме с общей базой выходными характеристиками являются Ik(Uкб) (а не Iк(Uкэ) как в схеме с общим эмитером), а входными Iэ(Uэб) (а не Iб(Uбэ) как в схеме с общим эмитером). Соотвественно, не имея их, я не могу провести ни нагрузочную прямую и выбрать рабочую точку...Я с трудом откопал ВАХ для транзистора КТ325 по схеме с ОЭ.

Может подскажете чего-нибудь - как быть?

какие 100 Ом?! вы о чем это? на диоде упадет примерно столько же сколько на Uэб (0,6В примерно).

а потом какая разница Uкб или Uкэ, ведь эмиттерный потенциал отличается от базового на отпределенную величину (примерно 0,6В), так что любая ВАХ которую найдете сгодится. Вам нужно просто узнать (по графику ВАХ) какое будет Uкэ при таком-то токе коллектора (который вы выбираете чтобы получить Uкэ хотябы =2В и имея по килоому в цепях эмиттера и коллектора. т.е 5В - 2k*Ik = 2, -> Ik=1,5мА), при этом вы ставите в эмиттере и коллекторе по килоомнику и автоматом получаете потенциалы на всех точках. Ну базовый потенциал можно дополнительно уточнить исходя из ВАХ база-эмиттерного перехода.
Далее рассчитываете базовый делитель зная какой потенциал на нем должен быть и обеспечивая ток делителя на порядок больше базового (его берете по макс.значению деля Ik на минимальный бетта из справочника). Все.

Блин ерунду написал, извиняюсь, ВАХ выхода нужна чтобы оценить какой будет базовый ток при определнных соотношениях Uкэ и Ik. Но это типовые зависимости, а для надеги лучше базовый ток рассчитать по минимальной бетта.

А разве нельзя так заменять диод? Ну, допустим, на диоде падает 0.6В, что по его ВАХ соответсвует 10мА. Тогда сопротивление диода rд=0.6В/10мА=60 Ом.



Т.е., по-сути, чтобы:
1. получить выходную ВАХ по схеме с общей базой из выходной ВАХ по схеме с ОЭ для n-p-n транзистора надо:
Uкб=Uкэ-0.6В
Ik=(бетта/(бетта+1))*Iэ

2.получить входную ВАХ по схеме с общей базой из входной ВАХ по схеме с ОЭ для n-p-n транзистора надо:
Uэб=-Uбэ
Iэ=бетта*Iб

Или же (если не заморачиваться с построением ВАХ транзистора по схеме с ОБ) использовать более простой способ, который предложили Вы:



При этом везде

А такой вот и смысл, что схема единично усиливает по току на нагрузку в коллекторе. Ставим 150 Ом получаем в два раза или 6дБ



Вот странно, знаете что такое ВАХ для транзистора и забываете про ВАХ диода. Он кроме падения напряжения ещё выполняет функцию термостабилизации. Токи и напряжения имеют подобный вид:


Объясните для чего вам надо расчитать эту схему для именно этого транзистора? Лучше покрутите её в симуляторе, спаяйте и убедитесь как она усиливает и шумит. Или это для учебного процесса?
Модель я вам дал. По ней можно посторить много ВАХ. Как пример, ваши ВАХ. В рабочих точках по постоянному току они более менее соответсвуют
Серия ВАХ дана для базового тока до 40 мкА с шагом 4 мкА так как транзистор имеет большее усиление неджели по которым стоили ВАХ