| |
 Туннелирование и пробой |
|
|
|
|
 Oct 3 2010, 18:13
|
Профессионал
Группа: Свой
Сообщений: 1 724
Регистрация: 1-05-05
Из: Нью Крыжопыль
Пользователь №: 4 641
|
Цитата(DS @ Oct 3 2010, 21:56)  При 4-5 атомных слоях она будет гулять на лапоть, с каким бубном не пляши. Из-за статистики. Кто-то уже умеет. Где-то с год назад новость была (от IBM, вроде), что наладили техпроцесс получения диэлектрических пленок в 1 атомный слой. Кагбэ, революция, говорили.  Но, это не от "британских ученых" было, точно. Цитата(Tanya @ Oct 3 2010, 21:55) При такой температуре... Не будет там водорода. И решетка будет хорошая. Эх, не общались Вы с технологами. Оне б Вас сильно разочаровали своими "нет!"
|
|
|
|
|
|
|
|
Oct 3 2010, 18:16
|
Гуру
Группа: СуперМодераторы
Сообщений: 3 096
Регистрация: 16-01-06
Из: Москва
Пользователь №: 13 250
|
Цитата(zzzzzzzz @ Oct 3 2010, 22:13) Кто-то уже умеет. Где-то с год назад новость была (от IBM, вроде), что наладили техпроцесс получения диэлектрических пленок в 1 атомный слой. Кагбэ, революция, говорили. Но, это не от "британских ученых" было, точно. Вопрос в определении. Для химии сгодится "в среднем 1 атомный слой" - а для электроники "в среднем" не покатит, из-за экспоненты в туннельном эффекте.
--------------------
Не бойтесь тюрьмы, не бойтесь сумы, не бойтесь мора и глада, а бойтесь единственно только того, кто скажет - "Я знаю как надо". А. Галич.
|
|
|
|
|
|
|
|
Oct 3 2010, 18:28
|
Профессионал
Группа: Свой
Сообщений: 1 724
Регистрация: 1-05-05
Из: Нью Крыжопыль
Пользователь №: 4 641
|
Цитата(DS @ Oct 3 2010, 22:16) Вопрос в определении. Для химии сгодится "в среднем 1 атомный слой" - а для электроники "в среднем" не покатит, из-за экспоненты в туннельном эффекте. Про 1 слой не нашел сходу. Вот кое-что про 1 нм: http://www.3dnews.ru/editorial/main_events_weekly_87/printЦитата По словам разработчиков, толщина слоя диэлектрика не превышает одного нанометра, а значит, оказывается возможным создание транзисторов с применением 22-нм техпроцесса. Однако снижение толщины диэлектрика не только положительно влияет на размеры транзистора - заметно улучшаются электронные характеристики транзисторов, пропускающие через себя больший ток при меньшем приложенном напряжении. Отсюда следует, что возрастает производительность уже готовых интегральных микросхем, а значит, будущие 22-нм полупроводниковые устройства, в том числе и процессоры, станут еще более мощными. К сожалению, разработчики пока не стали раскрывать, какой именно материал используется в качестве связывающего атомы кислорода агента. Видимо, это коммерческая тайна, заполучив которую, конкуренты смогут легко добиться тех же результатов, на которые у GlobalFoundries и IBM ушли месяцы работы и инвестиции в размере миллионов долларов. Вот тут немного тоже: http://www.pereplet.ru/krylov/1325.htmlЦитата Диоксид кремния уже более 40 лет используется для изготовления диэлектриков затвора транзистора благодаря легкости его применения в массовом производстве и возможности постоянного повышения производительности транзисторов за счет уменьшения толщины слоя диэлектрика. Специалистам Intel удалось уменьшить толщину слоя диэлектрика до 1,2 нм (что равнозначно всего пяти атомарным слоям) - такой показатель был достигнут на используемой в настоящее время 65-нанометровой технологии производства. Но дальнейшее уменьшение приводит к усилению тока утечки через диэлектрик, в результате чего растут потери тока и тепловыделение.
|
|
|
|
|
|
|
|
Oct 3 2010, 18:33
|
Гуру
Группа: СуперМодераторы
Сообщений: 3 096
Регистрация: 16-01-06
Из: Москва
Пользователь №: 13 250
|
Тут ничего не сказано про туннельный ток, однако. А на него натупили во всей красе и при гораздо больших толщинах диэлектрика. Т.е. транзистор может и получается с таким диэлектриком, но даром никому не нужен. И обратите внимание на "не более 1 нм" - т.е. есть места, где существенно менее. А там электрон будет перескакивать просто за счет тепловой энергии, безо всякого напряжения.
Про 5 атомных слоев что-то мне помнится не то. У Интеля речь шла про так называемый "high-k" диэлектрик, эквивалентний Si02 в 1.2 нм. А это совсем не одно и то же. Там, кажется, окись гафния вместо окиси крмения.
--------------------
Не бойтесь тюрьмы, не бойтесь сумы, не бойтесь мора и глада, а бойтесь единственно только того, кто скажет - "Я знаю как надо". А. Галич.
|
|
|
|
|
|
|
|
Oct 3 2010, 19:46
|
Гуру
Группа: СуперМодераторы
Сообщений: 3 096
Регистрация: 16-01-06
Из: Москва
Пользователь №: 13 250
|
Цитата(zzzzzzzz @ Oct 3 2010, 23:13) Погоревали, и придумали LDD. Так и здесь какой-нибудь двухслойный "пирог" сочинят, и кранты туннелированию. На таких расстояниях становится все равно, вакуум или вещество. Начинает стучать расстояние в показателе экспоненты, определяющей вероятность туннелирования. Так что придется придумывать, как повышать k при неизменной толщине - тут вариантов нет.
--------------------
Не бойтесь тюрьмы, не бойтесь сумы, не бойтесь мора и глада, а бойтесь единственно только того, кто скажет - "Я знаю как надо". А. Галич.
|
|
|
|
|
|
|
|
Oct 3 2010, 20:38
|
Профессионал
Группа: Свой
Сообщений: 1 724
Регистрация: 1-05-05
Из: Нью Крыжопыль
Пользователь №: 4 641
|
Цитата(DS @ Oct 3 2010, 23:46) На таких расстояниях становится все равно, вакуум или вещество. Начинает стучать расстояние в показателе экспоненты, определяющей вероятность туннелирования. Так что придется придумывать, как повышать k при неизменной толщине - тут вариантов нет. Варианты есть всегда. В статейке из предыдущего топика об этом тоже есть. Могу навскидку придумать одно из потенциальных решений. Например, поместить чип в сильное поле с нужным вектором. Разрешив, таким образом, только квази-горизонтальные траектории электронов. Свойства сверхтонких пленок - еще не паханное поле. У многих материалов обнаруживаются феноменальные эффекты. Например, про графен только ленивый не слышал. А вообще, чего это мы так закапываемся? Не наше это поле-огород ...
|
|
|
|
|
|
|
|
Oct 4 2010, 03:36
|
Участник
Группа: Участник
Сообщений: 35
Регистрация: 18-10-09
Пользователь №: 53 036
|
Цитата(BarsMonster @ Oct 4 2010, 07:47) Действительно, очень вкусная книжка (Технология СБИС, 1986, если это она конечно), однако это именно о технологиях, про туннелирование и пробой там ни слова :-) Скорее всего это "Физика полупроводниковых приборов" С. Зи. 1984 г. Она в двух томах кажется. Я по ней в свое время половину лит обзора написал про туннелирование и пробои.
|
|
|
|
|
|
|
|
Oct 14 2010, 08:27
|
Участник
Группа: Участник
Сообщений: 25
Регистрация: 20-08-10
Пользователь №: 59 028
|
Цитата(BarsMonster @ Oct 4 2010, 04:47) Действительно, очень вкусная книжка (Технология СБИС, 1986, если это она конечно), однако это именно о технологиях, про туннелирование и пробой там ни слова :-) если нужна - скину в djvu и технологию и фпп, нужно - пиши
|
|
|
|
|
|
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0
|
|
|
