спасибо за ответ помогло, Snape Shape наверо тоже самое что и Snap to grid

Ещё вопрос: как провести оптимизацию схемы в Emsight чтобы заданное затухание было на определённой частоте?

Напрямую настройка и оптимизация ни в EMSight, ни в AXIEM не работает. Поэтому, видимо, придётся вручную изменять размеры топологии для получения нужного результата. Настройка и оптимизация в ЕМ работает только, если структура извлечена из схемы с помощью экстракции. Если у Вас есть схема фильтра (например, создана или получена синтезом в iFilter), то можно попробовать. Но успех такой оптимизации возможен только в случае, если схема точно отражает параметры топологии.

Сообщение отредактировал evgdmi - Nov 20 2010, 20:59

Спасибо за совет, Есть топология фильтра, взятая из книги Конструирование и расчет полосковых устройств. под.ред. Ковалёва И.С, и скорей всего оптимизацию придётся проводить вручную изменяя размеры структуры

Может ли MWO учитывать или даже рассчитывать электромагнитную связь между входом и выходом усилительного каскада.
Вопрос касается именно EM расчёта, не моделирования на уровне Schematic - Schematic Layout.
Возник вопрос потому что никогда не встречал таких примеров. Документация кричит об EM моделировании но о сути данного вопроса не найти ни слова. Ни "Да" ни "Нет". А любопытсво растёт.
Те случаи электромагнитного моделирования, которые описаны и приведены в примерах, ограничиваются пассивными структурами.
Предлагается считать каждую отдельно. Из чего не ясно есть ли возможность хоть как-то учесть их EM взаимодейсвие между собой, когда они расположены рядом на плате.
Те примеры, которые названы "**GHz_Amplifier" содержат EM расчёт Imput Match, Output Match отдельно. Затем обе (оба?) Match
включены в схему Amplifier в виде Subsircuits, которые на мой взгляд, не позволяют учесть EM взаимодейсвия между входом и выходом.
Не могу поверить что такого рода расчёт невозможен. Проясните пожалуйста так ли это.

Сообщение отредактировал kiuaki - Dec 23 2010, 15:15

Конечно возможен. Вам же ничего не мешает засунуть входную и выходную цепи в одну топологию, заменив транзистор файлом S-параметров, и смоделировать весь усилитель. Есть пример - называется MMIC_two_satge_amp (в AWR MWO 2009 точно есть), там есть возможность практически полностью смоделировать весь усилитель в EM, надо только его маленько переделать.

sp1noza wrote " засунуть входную и выходную цепи "

Благодарю, конечно, за то что вселили оптимизм, но для моего уровня
слово "засунуть" может подраземевать вовсе не то что для Вашего.
Если цели форумов это общение профессионалов, прояснение некоторых
вопросов для начинающих или людей не находящих ответов в других местах,
то путём "засовывания" этих целей добиться, опять же, нелегко.
Хорошо бы раскрыть суть "засовывания".
Кто нибудь пробовал такое? ( Какое точно я не понял). Будет ли наблюдаться
электромагнитное взаимодейсвие в "засунутом" хозяйстве?
То st1noza - Не примите за проявление недружелюбности, просто в то время как
нашёлся похожий на положительный ответ - "вроде как можно", возникли
вопросы более конкретного характера -"как начать?". Метод тыка,
в MWO ведёт к многонедельным нелепицам.

Предполагается использование внутренних портов,
к которым подсоединяете транзисторы в виде S-par.

Столкнулся с интересной - "фичей" - назовем ее так, MWO. В проекте были несколько ЕМ-структур, у которых были заданы собственные частоты моделирования. В самом проекте диапазон частот был больше. Далее ЕМ-структура была включена в схематик и проведено моделирование там. Так вот, MWO не предупредил, что у него нет всех частот ЕМ-структуры а, судя по всему, проэкстраполировал S-параметры кривой 3-го порядка, и получил я на верхнем краю диапазона S11 +10 дб в пассивной схеме. Сразу появилась мысль сделать, подключить через циркулятор, на третий вход циркулятора - нагрузку, подать 100 ватт и отапливать киловаттом комнату зимой.

Сообщение отредактировал Pavel_SSS - Jan 10 2011, 15:53

Это еще раз говорит о том, что осознанность моделирования должна быть на первом плане - какую модель задашь, то и получишь. Вспоминается картинка какая-то с перефразированной пословицей "На робота надейся, а сам не плошай" (возможно даже в "Весёлых картинках" ).

Ну что делать. MWO не умеет думать за пользователя. Если даже Вы зададите всем подсхемам одинаковый диапазон, но с разным шагом по частоте, то в общей схеме можете получить неожиданные результаты в промежутках между частотными точками.

Подскажите пожалуйста, как сделать в MWO такую вещь. Имеется схема, состоящая из входного порта, подсхемы входной согласующей цепи, транзистора в виде файла S- параметров, подсхемы выходной цепи, выходного порта.
Необходимо оптимизировать входную согласующую цепь по минимуму S11. Проблема в том, что выход транзистора еще не согласован, и с его входа согласующая цепь видит в общем-то случайный импеданс. Понимаю, что должен быть простой способ это сделать - как-то нагрузить выход согласующей цепи на вход транзистора, идеально согласованного по выходу, но не нашел как. Помогите!

А сильно ли влияет нагрузка транзистора на S11? Ведь S12 у транзистора мал. Хотя, честно сказать, усилители моделировал только ради "попробовать" и очень давно.

Достаточно сильно, особенно на верхних частотах. Есть ведь индуктивность эмиттера, емкость база коллектор. И дело не в том, сильно или нет, а в том,что должен же быть какой-то способ. В принципе можно создать частотнозависимый резистор с комплексным сопротивлением, пересчитанным из S-параметров и на него нагрузить, но должен же быть человеческий способ.

Согласование нужно проводить по входу и выходу сразу.
Сделайте оптимизацию, S11 в приоритет.

Промежуточно согласовать по входу: нагрузите выход на комплекксный порт
(в свойствах порта поставьте галочку), при этом порт д.б. комплексно сопряжен
с выходом транзистора. При этом согласование будет на одной частоте.
Есть программа Zmatch, которая рассчитывает цепи согласования именно по этой методе.

кстати, Zmatch входит в последние версии AWR_Nuhertz_Filter
и рассчитывает согласующие цепи для четырехполюсников с комплексными сопротивлениями портов,
заданными для полосы частот таблично.