реклама на сайте
подробности

 
 
3 страниц V  < 1 2 3  
Reply to this topicStart new topic
> повышенное напряжение в портативном устройстве, нужно 60В на плате
Herz
сообщение Mar 14 2011, 11:59
Сообщение #31


Гуру
******

Группа: Модераторы
Сообщений: 10 983
Регистрация: 23-11-05
Пользователь №: 11 287



Цитата(Karaox @ Mar 14 2011, 13:17) *
И вот вопрос к уважаемой общественности:
IRF1010 не подходит и нужен другой?


На 60 (шестьдесят) ампер полевик?! А помельче ничего не нашлось? Скорее всего, Linear Techology имели в виду ZVN4424. Сравните характеристики сами: ZVN4424A.pdf
Go to the top of the page
 
+Quote Post
yakub_EZ
сообщение Mar 14 2011, 12:07
Сообщение #32


Профессионал
*****

Группа: Свой
Сообщений: 1 329
Регистрация: 6-12-08
Из: Москва
Пользователь №: 42 252



Ну наконец-то, кому то живая схема понадобилась wink.gif
Для начала раскажите какое напряжение вам нужно и тот ли у вас чип, 1946? Скорее всего вашу схему губит низкое VGS(th) Gate Threshold Voltage 2.0 ––– 4.0 V у IRF1010. Попробуйте добавить пару вольт питания и проблема должна уйти. Если получится значит транзистор надо взять с меньшим напряжением на затворе. А также возможно проблема в большом сопротивлении дроселя
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Karaox
сообщение Mar 14 2011, 13:05
Сообщение #33


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 15
Регистрация: 6-01-10
Пользователь №: 54 649



Спасибо за ответы!

Цитата(Herz @ Mar 14 2011, 14:59) *
На 60 (шестьдесят) ампер полевик?! А помельче ничего не нашлось? Скорее всего, Linear Techology имели в виду ZVN4424.


Честно экспроприировать с работы можно было только этот sm.gif
ZVN4424 - изучу обязательно.


Цитата(yakub_EZ @ Mar 14 2011, 15:07) *
Для начала раскажите какое напряжение вам нужно и тот ли у вас чип, 1946?


Мне нужно напряжение 55, максимум 60 В (это лимитируется другой частью "прибора"). Т.е. фактически половину от того, что может "схема".
Точное название моей LT1946 - LT1946EMS8.

Цитата(yakub_EZ @ Mar 14 2011, 15:07) *
Скорее всего вашу схему губит низкое VGS(th) Gate Threshold Voltage 2.0 ––– 4.0 V у IRF1010. Попробуйте добавить пару вольт питания и проблема должна уйти. Если получится значит транзистор надо взять с меньшим напряжением на затворе.


К сожалению не получилось - выходное напряжение даже немного снизилось (примерно на вольт) и нагрев "на глазок" усилился, кроме того потребление всей схемы выросло до 1А, а это для моего приложения неприемлемо много sad.gif

Цитата(yakub_EZ @ Mar 14 2011, 15:07) *
А также возможно проблема в большом сопротивлении дроселя


Тут, к сожалению, я просто не знаю что сказать. Нужна другая индуктивность? Сопротивление использованной - меньше ома.
В качестве альтернативы я рассматривал - LQH6PPN6R8M, 6.8мкГн 20% 2424, чип - индуктивность (SMD) Максимальный постоянный ток,мА 2850
Активное сопротивление,Ом - 0.028
Go to the top of the page
 
+Quote Post
yakub_EZ
сообщение Mar 14 2011, 13:38
Сообщение #34


Профессионал
*****

Группа: Свой
Сообщений: 1 329
Регистрация: 6-12-08
Из: Москва
Пользователь №: 42 252



Цитата(Karaox @ Mar 14 2011, 16:05) *
К сожалению не получилось - выходное напряжение даже немного снизилось (примерно на вольт) и нагрев "на глазок" усилился, кроме того потребление всей схемы выросло до 1А, а это для моего приложения неприемлемо много sad.gif

Не успевает IRF1010 открываться с периодичностью 1.2 мегагерца. Либо берите другой контроллер, либо транзистор.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Karaox
сообщение Mar 14 2011, 14:32
Сообщение #35


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 15
Регистрация: 6-01-10
Пользователь №: 54 649



Цитата(yakub_EZ @ Mar 14 2011, 16:38) *
Не успевает IRF1010 открываться с периодичностью 1.2 мегагерца. Либо берите другой контроллер, либо транзистор.


Вот и я что-то такое подозревал!!! sm.gif
Не порекомендуете ли какой-нибудь транзистор? Дело в том, что те datasheet’ы, которые я пролистал по этому поводу, говорят чаще всего только о 1 МГц и не больше не меньше.
Исключение, которое я нашёл - BSP75N, HITFET 60V 0.7A – в его datasheet’е приводятся диаграммы функционирования аш до 1000 МГц, хотя я не уверен, что понял это правильно. Про него написано, что он для «switching applications» + в нем различные защиты.

Прикрепленный файл  BSP75N.pdf ( 257.75 килобайт ) Кол-во скачиваний: 130
Go to the top of the page
 
+Quote Post
yakub_EZ
сообщение Mar 14 2011, 16:55
Сообщение #36


Профессионал
*****

Группа: Свой
Сообщений: 1 329
Регистрация: 6-12-08
Из: Москва
Пользователь №: 42 252



Karaox К вашей радости тут исключений много больше. BSZ42DN25NS3 например от Infineon. Взял по принципу меньшего заряда по переключению. Вообще и IRF1010может заработать, но токи его переключения могут свести на нет все преимущества схемы. Схема переходит в пульсирующий режим из за несовершенства усилителя ООС контроллера. Средний ток в режиме включения порядка 120 мА. А вообще, возьмите в симуляторе пробегитесь по транзисторам, найдёте свой, с лёгким затвором и нужным напряжением
Эскизы прикрепленных изображений
Прикрепленное изображение
Прикрепленное изображение
Прикрепленное изображение
 

Прикрепленные файлы
Прикрепленный файл  1946hv.rar ( 833 байт ) Кол-во скачиваний: 24
 
Go to the top of the page
 
+Quote Post

3 страниц V  < 1 2 3
Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 15th June 2025 - 15:26
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01405 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016