|
|
  |
Трассировка DDR-2 |
|
|
|
May 2 2011, 16:04
|
Местный
  
Группа: Свой
Сообщений: 317
Регистрация: 25-09-06
Пользователь №: 20 651

|
Цитата(Uree @ May 2 2011, 18:40)  Такое впечатление, что конструктор референса рекомендаций ДДР-2 не видел в принципе... Оно конечно можно попробовать, но я бы так рисковать не стал... Какой именно синхронизации Вы не увидели в моих дизайнах? Я ведь уже писал - как правило разброс длин/времен без каких-либо доп.мер укладывается в допустимые границы. Зачем же я буду крутить дополнительный "колбасы"? И никаких спец. материалов, обычный FR-4 во всех дизайнах. Ну может быть высокотемпературный, но не уверен. А как же волновое сопротивление ? Ведь очень важно (судя по многим рекомендациям) выдержать сопротивление дифпары 100 ом а проводника 50 ом. ... Если не секрет какой стек слоёв используете ? точнее даже не весь стек интересует , а размеры проводника (высота ширина ) и расстояние до опорного слоя ?
|
|
|
|
|
May 2 2011, 21:48
|
Знающий
     
Группа: Свой
Сообщений: 5 223
Регистрация: 25-04-05
Из: Z. Gora
Пользователь №: 4 480

|
Цитата(arexol @ May 2 2011, 18:04)  А как же волновое сопротивление ?
Ведь очень важно (судя по многим рекомендациям) выдержать сопротивление дифпары 100 ом а проводника 50 ом. ... Это кому вопрос - мне или неизвестному референс-дизайнеру?  Цитата(arexol @ May 2 2011, 18:04)  Если не секрет какой стек слоёв используете ? точнее даже не весь стек интересует , а размеры проводника (высота ширина ) и расстояние до опорного слоя ? Оптимально-минималистический  Медь 35мкм, препрег ~0.12мм. Одиночные трассы 0.125мм - 60 Ом импеданс. Пары 0.125/0.175мм трасса/зазор - 103 Ома. Это все рассчетное, понятное дело. В производстве где-то так же и получается. А насчет выдержать и особенно 50 Ом - помоделируйте на разных импедансах одну и ту же пару драйвер-приемник. Разница конечно есть, но не такая большая, чтобы приводить к неработоспособности памяти. Особенно учитывая специфику дизайнов - процессор, 2-4 чипа памяти, минимальные расстояния, без сложных топологий, наподобие "деревьев" на материнках компов. Ну и без расширенного диапазона рабочих режимов, совместимости кучи разных модулей, оверклокинга и т.п. компутерных наворотов.
|
|
|
|
|
May 3 2011, 05:47
|
Знающий
   
Группа: Свой
Сообщений: 652
Регистрация: 3-08-05
Из: Saint-Petersburg
Пользователь №: 7 318

|
Цитата(arexol @ May 2 2011, 20:04)  А как же волновое сопротивление ?
Ведь очень важно (судя по многим рекомендациям) выдержать сопротивление дифпары 100 ом а проводника 50 ом. ... Если не секрет какой стек слоёв используете ? точнее даже не весь стек интересует , а размеры проводника (высота ширина ) и расстояние до опорного слоя ? Если при трассировке используются тесно связанные дифпары, то получить одновременно простое сопротивление 50 Ом с дифференциальным 100 Ом нереально. Тесно связанные - где расстояние между парами примерно равно или чуть больше ширины проводников. Придется выбирать, что важнее.
|
|
|
|
|
May 3 2011, 13:10
|
Местный
  
Группа: Свой
Сообщений: 317
Регистрация: 25-09-06
Пользователь №: 20 651

|
Цитата(Uree @ May 3 2011, 00:48)  Оптимально-минималистический  Медь 35мкм, препрег ~0.12мм. Одиночные трассы 0.125мм - 60 Ом импеданс. Пары 0.125/0.175мм трасса/зазор - 103 Ома. Это все рассчетное, понятное дело. В производстве где-то так же и получается. А насчет выдержать и особенно 50 Ом - помоделируйте на разных импедансах одну и ту же пару драйвер-приемник. Разница конечно есть, но не такая большая, чтобы приводить к неработоспособности памяти. Особенно учитывая специфику дизайнов - процессор, 2-4 чипа памяти, минимальные расстояния, без сложных топологий, наподобие "деревьев" на материнках компов. Ну и без расширенного диапазона рабочих режимов, совместимости кучи разных модулей, оверклокинга и т.п. компутерных наворотов. Вот типа такого у Вас значит .. (см рисунок) Да.. а я вот кровь из носу пытался чтоб 50 ом и 100 были .. но как заметил vinic действительно надо выбирать. ( или согласится с шириной обычного проводника в 0.2 мм что неприемлемо). спасибо за советы  ps. ну и если даже вот тот рефернс дизайн работает, значит заработает без особых проблем (там тоже 0.125 проводник но дифпары 1,6 толщиной и в рекомендациях указывают чтоб по толще клоковые линии были .. ) но сам дизайн не соответствует их же рекомендациям ...
Эскизы прикрепленных изображений
|
|
|
|
|
Aug 3 2011, 10:12
|
Частый гость
 
Группа: Свой
Сообщений: 132
Регистрация: 28-03-08
Из: Санкт-Петербург
Пользователь №: 36 306

|
Цитата(Uree @ Aug 3 2011, 12:46)  Это с чего вдруг нельзя соблюдать все требуемые импедансы на одном слое? Хотя ВСЕ конечно трудно(попробуйте сделать например 10 Ом или 150 Ом), но обычно используемые - точно можно. Стандартный пример, шаг BGA 1 мм, VIA 0,6/0,3, трасса 0,13 . т е ширину и толщину фольги мы уже не меняем. как сделать 50 Ом на одиночном и 100 на дифф паре. в одном слое? Выше об этом уже писали...
|
|
|
|
|
Aug 3 2011, 10:22
|
не указал(а) ничего о себе.
     
Группа: Свой
Сообщений: 3 325
Регистрация: 6-04-06
Пользователь №: 15 887

|
Цитата(Enzo @ Aug 3 2011, 12:13)  Интересная тема про слабосвязанные дифф. пары. В референс дизайнах, которые мне попадались, использовались сильно связанные дифф. пары, при том что сигналы разводились в этом же слое. Я так понял, что сильносвязанные повсюду используются только потому, что у них расстояние меньше, и они повсюду пролезают. Я сейчас делаю проект, где есть микс из тех и других, тоже на одном слое.
|
|
|
|
|
Aug 4 2011, 05:22
|
Частый гость
 
Группа: Свой
Сообщений: 132
Регистрация: 28-03-08
Из: Санкт-Петербург
Пользователь №: 36 306

|
Цитата(vicnic @ May 3 2011, 09:47)  Если при трассировке используются тесно связанные дифпары, то получить одновременно простое сопротивление 50 Ом с дифференциальным 100 Ом нереально. Тесно связанные - где расстояние между парами примерно равно или чуть больше ширины проводников. Придется выбирать, что важнее. UREE, я говорю о ситуации описанной выше...
|
|
|
|
|
  |
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0
|
|
|