реклама на сайте
подробности

 
 
4 страниц V  < 1 2 3 4 >  
Reply to this topicStart new topic
> Трассировка DDR-2
Uree
сообщение May 2 2011, 15:40
Сообщение #31


Знающий
******

Группа: Свой
Сообщений: 5 223
Регистрация: 25-04-05
Из: Z. Gora
Пользователь №: 4 480



Такое впечатление, что конструктор референса рекомендаций ДДР-2 не видел в принципе... Оно конечно можно попробовать, но я бы так рисковать не стал...
Какой именно синхронизации Вы не увидели в моих дизайнах? Я ведь уже писал - как правило разброс длин/времен без каких-либо доп.мер укладывается в допустимые границы. Зачем же я буду крутить дополнительный "колбасы"?
И никаких спец. материалов, обычный FR-4 во всех дизайнах. Ну может быть высокотемпературный, но не уверен.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
arexol
сообщение May 2 2011, 16:04
Сообщение #32


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 317
Регистрация: 25-09-06
Пользователь №: 20 651



Цитата(Uree @ May 2 2011, 18:40) *
Такое впечатление, что конструктор референса рекомендаций ДДР-2 не видел в принципе... Оно конечно можно попробовать, но я бы так рисковать не стал...
Какой именно синхронизации Вы не увидели в моих дизайнах? Я ведь уже писал - как правило разброс длин/времен без каких-либо доп.мер укладывается в допустимые границы. Зачем же я буду крутить дополнительный "колбасы"?
И никаких спец. материалов, обычный FR-4 во всех дизайнах. Ну может быть высокотемпературный, но не уверен.



А как же волновое сопротивление ?

Ведь очень важно (судя по многим рекомендациям) выдержать сопротивление дифпары 100 ом а проводника 50 ом. ...
Если не секрет какой стек слоёв используете ? точнее даже не весь стек интересует , а размеры проводника (высота ширина ) и расстояние до опорного слоя ?

Go to the top of the page
 
+Quote Post
Uree
сообщение May 2 2011, 21:48
Сообщение #33


Знающий
******

Группа: Свой
Сообщений: 5 223
Регистрация: 25-04-05
Из: Z. Gora
Пользователь №: 4 480



Цитата(arexol @ May 2 2011, 18:04) *
А как же волновое сопротивление ?

Ведь очень важно (судя по многим рекомендациям) выдержать сопротивление дифпары 100 ом а проводника 50 ом. ...


Это кому вопрос - мне или неизвестному референс-дизайнеру?sm.gif

Цитата(arexol @ May 2 2011, 18:04) *
Если не секрет какой стек слоёв используете ? точнее даже не весь стек интересует , а размеры проводника (высота ширина ) и расстояние до опорного слоя ?


Оптимально-минималистическийsm.gif Медь 35мкм, препрег ~0.12мм. Одиночные трассы 0.125мм - 60 Ом импеданс. Пары 0.125/0.175мм трасса/зазор - 103 Ома. Это все рассчетное, понятное дело. В производстве где-то так же и получается.
А насчет выдержать и особенно 50 Ом - помоделируйте на разных импедансах одну и ту же пару драйвер-приемник. Разница конечно есть, но не такая большая, чтобы приводить к неработоспособности памяти. Особенно учитывая специфику дизайнов - процессор, 2-4 чипа памяти, минимальные расстояния, без сложных топологий, наподобие "деревьев" на материнках компов. Ну и без расширенного диапазона рабочих режимов, совместимости кучи разных модулей, оверклокинга и т.п. компутерных наворотов.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
vicnic
сообщение May 3 2011, 05:47
Сообщение #34


Знающий
****

Группа: Свой
Сообщений: 652
Регистрация: 3-08-05
Из: Saint-Petersburg
Пользователь №: 7 318



Цитата(arexol @ May 2 2011, 20:04) *
А как же волновое сопротивление ?

Ведь очень важно (судя по многим рекомендациям) выдержать сопротивление дифпары 100 ом а проводника 50 ом. ...
Если не секрет какой стек слоёв используете ? точнее даже не весь стек интересует , а размеры проводника (высота ширина ) и расстояние до опорного слоя ?

Если при трассировке используются тесно связанные дифпары, то получить одновременно простое сопротивление 50 Ом с дифференциальным 100 Ом нереально.
Тесно связанные - где расстояние между парами примерно равно или чуть больше ширины проводников.
Придется выбирать, что важнее.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
arexol
сообщение May 3 2011, 13:10
Сообщение #35


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 317
Регистрация: 25-09-06
Пользователь №: 20 651



Цитата(Uree @ May 3 2011, 00:48) *
Оптимально-минималистическийsm.gif Медь 35мкм, препрег ~0.12мм. Одиночные трассы 0.125мм - 60 Ом импеданс. Пары 0.125/0.175мм трасса/зазор - 103 Ома. Это все рассчетное, понятное дело. В производстве где-то так же и получается.
А насчет выдержать и особенно 50 Ом - помоделируйте на разных импедансах одну и ту же пару драйвер-приемник. Разница конечно есть, но не такая большая, чтобы приводить к неработоспособности памяти. Особенно учитывая специфику дизайнов - процессор, 2-4 чипа памяти, минимальные расстояния, без сложных топологий, наподобие "деревьев" на материнках компов. Ну и без расширенного диапазона рабочих режимов, совместимости кучи разных модулей, оверклокинга и т.п. компутерных наворотов.



Вот типа такого у Вас значит .. (см рисунок)
Да.. а я вот кровь из носу пытался чтоб 50 ом и 100 были .. но как заметил vinic действительно надо выбирать.
( или согласится с шириной обычного проводника в 0.2 мм что неприемлемо).

спасибо за советы a14.gif

ps.
ну и если даже вот тот рефернс дизайн работает, значит заработает без особых проблем (там тоже 0.125 проводник но дифпары 1,6 толщиной и в рекомендациях указывают чтоб по толще клоковые линии были .. ) но сам дизайн не соответствует их же рекомендациям ...


Эскизы прикрепленных изображений
Прикрепленное изображение
 
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Uree
сообщение May 3 2011, 13:42
Сообщение #36


Знающий
******

Группа: Свой
Сообщений: 5 223
Регистрация: 25-04-05
Из: Z. Gora
Пользователь №: 4 480



Я уже неоднократно видел референсы, которые не соответствуют рекомендациям самого производителяsm.gif Причем, что интересно, дальще видел оба варианта развития событий - переделывался референс под рекомендации(хотя работал и без них), и переделывались рекомендации под фактически работающий референсsm.gif Так что всяко бывает...

А стэк да, похожий. Только позволить себе 6 слоев нет возможности, только 4. И если прибавить в стэке маски на топе-боттоме, то импедансы станут еще больше похожими на правду.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Vlad-od
сообщение May 11 2011, 10:32
Сообщение #37


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 363
Регистрация: 27-07-07
Из: Voronezh
Пользователь №: 29 411



Слабосвязанные пары можно разъединить и вести отдельно (ну скажем до пина разъема) и обрыв одного проводника можно пережить. С сильно свзязанными такое не пройдет )), зато они занимают по ширине меньше места.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Enzo
сообщение Aug 3 2011, 08:13
Сообщение #38


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 132
Регистрация: 28-03-08
Из: Санкт-Петербург
Пользователь №: 36 306



Интересная тема про слабосвязанные дифф. пары.
В референс дизайнах, которые мне попадались, использовались сильно связанные дифф. пары, при том что сигналы разводились в этом же слое.
Соответственно импеданс соблюдался, только для одного типа проводников ( дифф. пара, одиночный провод). Сильно связанная дифф пара имеет большею помехозащищённость. Так что может быть лучше, защитить сигнал от перекрёстных помех, нежели соблюсти импеданс.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Uree
сообщение Aug 3 2011, 08:46
Сообщение #39


Знающий
******

Группа: Свой
Сообщений: 5 223
Регистрация: 25-04-05
Из: Z. Gora
Пользователь №: 4 480



Цитата
импеданс соблюдался, только для одного типа проводников ( дифф. пара, одиночный провод)


Это с чего вдруг нельзя соблюдать все требуемые импедансы на одном слое? Хотя ВСЕ конечно трудно(попробуйте сделать например 10 Ом или 150 Ом), но обычно используемые - точно можно.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Enzo
сообщение Aug 3 2011, 10:12
Сообщение #40


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 132
Регистрация: 28-03-08
Из: Санкт-Петербург
Пользователь №: 36 306



Цитата(Uree @ Aug 3 2011, 12:46) *
Это с чего вдруг нельзя соблюдать все требуемые импедансы на одном слое? Хотя ВСЕ конечно трудно(попробуйте сделать например 10 Ом или 150 Ом), но обычно используемые - точно можно.

Стандартный пример, шаг BGA 1 мм, VIA 0,6/0,3, трасса 0,13 .
т е ширину и толщину фольги мы уже не меняем. как сделать 50 Ом на одиночном и 100 на дифф паре. в одном слое?
Выше об этом уже писали...
Go to the top of the page
 
+Quote Post
vitan
сообщение Aug 3 2011, 10:22
Сообщение #41


не указал(а) ничего о себе.
******

Группа: Свой
Сообщений: 3 325
Регистрация: 6-04-06
Пользователь №: 15 887



Цитата(Enzo @ Aug 3 2011, 12:13) *
Интересная тема про слабосвязанные дифф. пары.
В референс дизайнах, которые мне попадались, использовались сильно связанные дифф. пары, при том что сигналы разводились в этом же слое.

Я так понял, что сильносвязанные повсюду используются только потому, что у них расстояние меньше, и они повсюду пролезают. Я сейчас делаю проект, где есть микс из тех и других, тоже на одном слое.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Uree
сообщение Aug 3 2011, 10:54
Сообщение #42


Знающий
******

Группа: Свой
Сообщений: 5 223
Регистрация: 25-04-05
Из: Z. Gora
Пользователь №: 4 480



А кто запретил менять ширину трасс? И зачем? Считайте, задавайте нужную ширину, нужный зазор и все импедансы будут реализованы.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Enzo
сообщение Aug 4 2011, 05:22
Сообщение #43


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 132
Регистрация: 28-03-08
Из: Санкт-Петербург
Пользователь №: 36 306



Цитата(vicnic @ May 3 2011, 09:47) *
Если при трассировке используются тесно связанные дифпары, то получить одновременно простое сопротивление 50 Ом с дифференциальным 100 Ом нереально.
Тесно связанные - где расстояние между парами примерно равно или чуть больше ширины проводников.
Придется выбирать, что важнее.


UREE, я говорю о ситуации описанной выше...
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Ant_m
сообщение Aug 4 2011, 05:49
Сообщение #44


Знающий
****

Группа: Свой
Сообщений: 756
Регистрация: 14-08-07
Из: Москва
Пользователь №: 29 765



У меня вот получается, что я делаю не так??? crying.gif

Прикрепленное изображение
Go to the top of the page
 
+Quote Post
vicnic
сообщение Aug 4 2011, 07:11
Сообщение #45


Знающий
****

Группа: Свой
Сообщений: 652
Регистрация: 3-08-05
Из: Saint-Petersburg
Пользователь №: 7 318



Цитата(Ant_m @ Aug 4 2011, 09:49) *
У меня вот получается, что я делаю не так??? crying.gif

Прикрепленное изображение

А меня расчет не смущает: одиночное немного больше 50 Ом, при этом дифференциальное чуть меньше 100 Ом.
При этом субъективно я сказал бы, что зазор в 2 раза больше ширины проводника.
Go to the top of the page
 
+Quote Post

4 страниц V  < 1 2 3 4 >
Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 23rd June 2025 - 03:31
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01486 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016