Проблема запуска mdraw в связке Cygwin + TCAD под XP.


Данная проблема поднималась уже в этой ветке passat'ом год назад
http://electronix.ru/forum/index.php?act=f...&pid=743390
но ответа тут в теме так и не последовало...
Может кто подскажет сейчас?

Сообщение отредактировал Kadzak - Sep 27 2011, 14:11

Добрый день. Есть следующая проблема.
Поставлена задача рассчитать пробивное напряжение диода N-карман в P-кармане. Также присутствуют поликремниевые кольца. Какими методами можно рассчитать пробой?
Пробовали считать ионизационным интегралом, получили некоторые результаты, но насколько адекватны они?
Также пробовали рассчитать пробой с помощью внешнего резистора, однако метод подбора номинала резистора, описанный в мануале, не получается, иногда получается рассчёт, но чаще происходит обрыв рассчёта. Данная проблема касается не только диода, но и при расчете других приборов.
Заранее спасибо.

Доброго времени суток. При выращивании структуры с помощью sprocess сталкиваюсь со следующей ошибкой после генерации SnMesh: invalid face. Что-то нигде не могу найти что это значит, менял несколько раз шаг сетки, заданной с помощью refinebox - не помогло. Не сталкивались с этим? Заранее благодарен.

Это может быть всё, что угодно. Файл команд выложи - посмотрим.

Здравствуйте.
Только начинаю изучать TCAD (10 версия), столкнулся со следующим вопросом. Создаю новую папку, создаю новый проект. Теперь хочу его сохранить, выдает:
"C:/DATAFILES/MYISEDATA/... Not a valid GENESISe project directory"
При этом если я беру проект Tutorial он сохраняется без проблем. Немогу понять чем они отличаются и как сохранить чистый проект.

Прошу прощения за поднятие некротемы, но появился вопрос, на который сам ответить не могу:

Есть ли в ISE TCAD, во floops'e возможность вывода поверхностного сопротивления в процессе моделирования?

Поясню, в последних версиях Synopsys TCAD есть команда SheetResistance, которая в ходе выполнения показывает в логах глубину залегания перехода (Xj)
и поверхностное сопротивление (Rs). В мануале к старенькому ISE floops ничего похожего найти не смог, может не там ищу? Подскажите, буду благодарен.

P.S. ISE версии 10.0

Добрый день. ищу примеры проектов TCAD с оф.сайта поддержки sso.synopsys.com/
может есть у кого?
или доступ туда... у нас, поддержка закончилась, а нового ничего не покупали а сейчас возникла острая необходимость разобраться с одним вопросом

Если закончилась только поддержка, а лицензия perpetual, то доступ к SolvNet должен быть.
В противном же случае, закончилась не только поддержка, но и действие лицензии, соответственно, легально использовать тулы всё равно нельзя.

Кстати, примеров в составе дистрибутива мало?

не всё есть в составе examples - очень много примеров для скачивания выложено отдельно на solvnet'е.

Доброго вемени суток!
Работю в ATLAS Silvaco. При попытке extract распределения заряда по телу диода выдает ошибку error filling internal structure. Может кто встречался? А то не могу понять что не так. Заранее благодарен.

И вот спустя 4 года прошу, пожалуйста, ответьте уже на этот вопрос.

Можно ли в TCAD моделировать деградацию, например, биполярного транзистора вследствие диффузионного расплывания легирующих примесей? То есть, можно ли в TCAD сделать следующее-нарисовать структуру транзистора, задать уровни легирования и прочее, а затем загнать на моделирование в заданных электрическом и температурном режиме и посмотреть, как истончается база, расплываются переходы (а также как видоизменяется зонная диаграмма), как меняются вольт-амперные характеристики прибора? Я понимаю, что диффузия даже при +125 идет гораздо медленнее, чем при выращивании структуры, но она идет. Можно ли в TCAD смоделировать ее влияние. Я с этим пакетом раньше не работал, вот и хочу понять, умеет ли он моделировать деградационные процессы в полупроводниковых приборах, в том числе и за счет диффузии.

Наверное, как-то можно, хотя сам не пробовал.
По запросу "transistor degradation tcad" вроде-бы много ссылок, но в основном про влияние облучения и горячих носителей.
И еще - где-то осенью (?) прошли подобные вебинары по деградации структур (в Silvaco). Можно там посмотреть.
А вообще-то, ведь в TCAD моделируются техпроцессы, в том числе, диффузия.
И, получается, можно промоделировать исходную структуру, потом промоделировать структуру с "размытыми" слоями и сравнить результаты.

Вопрос по mdraw.exe. (ISE TCAD 10, windows xp)

При запуске вываливает ошибка:



Может кто подскажет что править?

Замечательная идея!
Если мне придётся участвовать, то в роли первопроходца, который по ходу освоения TCAD описывает основные шаги и встречающиеся трудности. Есть опыт написания книг по освоению прикладного ПО и созданию сайтов. А также опыт по работе в реальной микроэлектронике (разработка технологии ЛИС). В учебных материалах важен логичный и системный подход. На первых этапах, наоборот, практически неизбежно происходит слепое и хаотичное метание.
Пока дошёл только до 7-й страницы темы "tcad начало". Досмотрю все 12 страниц - отвечу подробнее.


Процитировал всё сообщение, чтобы пояснить, что при 125°С сдвинуть p-n переходы уже практически невозможно, они формируются при гораздо более высоких температурах. Кстати, температура 125°С не случайно выбрана для проведения электро-термо-тренировки (ЭТТ) на 100% образцов ответственных изделий (в процедуре т.н. военной приёмки). ЭТТ продолжается 168 часов (7 суток). За первые несколько суток отказывают потенциально ненадёжные образцы, дальше всё идёт гладко и отказов не должно наблюдаться. Если же таковые имеются, то необходимо останавливать приёмку и срочно разбираться с причинами. После ЭТТ не отказавшие приборы полностью пригодны для дальнейшего использования без снижения ресурса надёжности. При 125°С в основном перераспределяются заряды в полупроводнике и диэлектриках, ионы быстро диффундирующих примесей (в народе именуемые "грязь") затягиваются электрическими полями в область p-n переходов, ухудшая их характеристики (утечки, пробивные напряжения, коэффициенты усиления, пороговые напряжения и т.д.). При 125°С ещё не происходит ускоренной деградации полупроводниковых приборов. Это наблюдается при длительной выдержке при 140-150°С - материалы могут вступать в химические реакции, образуя соединения, не свойственные исходным структурам и не предусмотренные в них. Может ли TCAD моделировать подобные процессы? Возможно для этого существует какая-то его особо специализированная версия. Это не простое направление, оно относится к вопросам надёжности. TCAD может моделировать облучение электронами (или даже гамма-квантами от источника Co-60) а также альфа-частицами. Нейтроны формально относятся к военному применению, поэтому в учебных пакетах их не должно быть. На этом приходится прервать, так как тема неисчерпаема...