Здравствуйте!

Сразу скажу что и перечитано все что на форуме есть и схемы все видел и то что при 3В-ом питании МК никаких согласований не нужно. Все понятно, но вот я взял даташит на PIC16F648A и на его низковольтный вариант PIC16LF648A. Привожу согласно даташиту значения логических уровней:

Уровни выходных сигналов:
Voh = min VDD-0.7В = min 2,3В (максимум я так понимаю почти 3В не указано в дш)
Vol = max 0.6В

Уровни входных сигналов:
TTL буфер:
Vil = max 0.15VDD = max 0.45В; min Vss = 0В
Vih = min 0.25VDD + 0.8V = min 1.55В; max Vdd=3В

буфер с Триггером Шмидта:
Vil = max 0.2VDD = 0.6В; min Vss= 0В
Vih = min 0.8VDD = 2.4В; max VDD = 3В

Если посмотреть на SIM900 (HD ver 2.0 стр.37 таблица 17) то там указаны след данные:
Vih = min 2.4В
Vil = max 0.4В
Voh = min 2.7В
Vol = max 0.1В

Как видно не совсем согласовываются логические уровни SIM900 и PIC16F648 друг с другом.
Скажите, на практике кто работал с SIM900 + PIC16 + 3В питание PICa - все ли нормально работает без схем согласования уровней естественно (т.е. "напрямую", вывод к выводу)

Сообщение отредактировал Ildar Belkin - Oct 12 2011, 07:50

Все нормально согласовывается в пределах указанных диапазонов.
Или вы считаете что должны быть уровни один в один с точностью до милливольтов ?

Не понял: совпадать до милливольтов с чем? между собой что ли?

Вообще я имел ввиду что
Voh=min 2,3В у PIC это как бы меньше чем Vih = min 2.4В,
а Vol =max0.6В у PIC и таким образом может быть больше чем Vil= max 0.4В у SIM900

Минимумы-максимумы для выходов обусловлены конечным сопротивлением внутренних ключей выходных драйверов.
Они достигаются только когда Вы нагрузите выходы "по полной программе", максимально допустимыми токами.
Вы ведь не собираетесь этого делать?
Когда входы достаточно высокоомные, можно считать, что Vol=0 и Voh=Vdd c хорошей точностью.
При общем питании проблем не должно быть ни каких.

Опередили с нагрузкой....

Не смотрите на крайние значения - для трехвольтовых контроллеров согласование с SIM900, даже для входов с триггером шмидта, не представляет проблем. Все нормально.

Аааа я понял. Т.е. это не разброс параметров в кристаллах, а, получается, нагрузочная способность выходов. Всё, спасибо огромное!

Я буду питать PIC16LF 3В, а SIM900 4В. "0" - общий.


Сообщение отредактировал Ildar Belkin - Oct 12 2011, 09:28

Тогда у Вас получится паразитное питание PIC-ка через защитный диод его входной ноги от 4-вольтового выхода SIM900 (когда установлен высокий уровень). Поставьте хотя бы последовательный резитор ом 200, чтобы ограничить ток и не нагружать выход SIM900. А лучше - сделайте общее/одинаковое питание.

Какое должно быть общее питание? - если у SIM900 питание не ниже 3,2В, а если питать пик питанием выше 3В - то нужны схемы преобразования уровней.

Это зачем? Вы PIC еще с чем-то будете состыковывать? Если нет, то сделайте ему питание 4В (или 3,5В хотя бы). И все.

Если сделаю ему 4В то уровень Voh от пик будет выше чем 3 В, а следовательно нужно будет делать схемы преобразователей уровней. У SIM900 прописано в даташите что логические уровни не зависят от напряжения питания. Суппресоры в SIM900 стоят на 3,1В.

Ничего личного, господа. Но вы хоть доки на sim900 открывали? Какое отношение имеет питание от 4В к напряжению на логических выходах???


Вот жешь легенда какая живучая. Нет там ничего! Если бы был супрессор, то он хоть как то ограничивал на уровне 3,1В. А так там просто входы чипсета которым дурнеет от повышенного напряжения. Или симкомовцы вот такие дураки наставили для защиты супрессоров которые сами чуть что горят?

Сообщение отредактировал butthead2 - Oct 12 2011, 11:12

Тогда прошу извинения. Питайте PIC от 3В. И все будет нормально. Дополнительных резисторов не нужно.

Читали - вот именно потому что не зависят потенциалы уровней от VBAT SIM900 и проблема. А так бы я 4В на все подавал и напрямую бы выводы завел бы даже не думал бы про согласование.


Один фиг от этого: работать не будет. НЕ знаю дураки они или нет, но 3В-ые уровни при мин. питании чипа 3.2В и отсутствии их привязки к VBAT - неудобство полнейшее. А как они там внутри сделали меня как потребителя вообще не волнует - не удобно и все.
Было бы так что VBAT = 2.7В - 5.2В, и лог. уровни привязанные к VBAT, то было бы вообще кайф. А так....

>>>>Тогда у Вас получится паразитное питание PIC-ка через защитный диод его входной ноги от 4-вольтового выхода SIM900 (когда установлен высокий уровень). Поставьте хотя бы последовательный резитор ом 200, чтобы ограничить ток и не нагружать выход SIM900. А лучше - сделайте общее/одинаковое питание.

не получится - интерфейсы питаются от внутреннего стабилизатора 2.9в

>>>Ничего личного, господа. Но вы хоть доки на sim900 открывали? Какое отношение имеет питание от 4В к напряжению на логических выходах???

+100000000000000000

это точно - доки не принято читать....


>>>>Было бы так что VBAT = 2.7В - 5.2В, и лог. уровни привязанные к VBAT, то было бы вообще кайф. А так....

А при чем тут SIMCOM ???? Это так сделан чипсет от STE - да и многих других такая же фишка.
Так что претензии пожалуйста к производителю чипсета.

Можно было бы сделать преобразование уровней чипсета к уровням питания модуля или интерфейса (как у некоторых м/сх - отдельное питание Vdd IO). Правда на габаритах бы это сказалось отрицательно, но это уже другой вопрос.