Здравствуйте! Подскажите пожалуйста как можно рассчитать/измерить индуктивность истокового вывода в мощном СВЧ МОП транзисторе по схеме с общим истоком?


Сообщение отредактировал Stefan1 - Nov 10 2011, 10:39

Посмотрите в апплах у IR, по-моему для ТО220 - 2,5 нГн, может быть там есть и для других корпусов.

Это не такой корпус. У меня корпус - КТ25, для мощного СВЧ транзистора, наподобие:
 PH1214_12M.pdf ( 134.27 килобайт ) Кол-во скачиваний: 239

А из таблички в даташите: RF Test Fixture Impedance нельзя как-то извлечь эти сведения?

Тогда надо знать всю эквивалентную схему по которой они считают этот импеданс и ее параметры.