|
Инверсный ток затвора, объясните природу тока |
|
|
|
Mar 31 2013, 16:12
|
Местный
  
Группа: Участник
Сообщений: 253
Регистрация: 24-10-05
Пользователь №: 10 030

|
Приветствую! Силовой транзистор работает в схеме однотактного пр-ля с резонансным размагничиванием. частота 500 кГц.
желтый - напряжение на затворе, синий - ток затвора. объясните пожалуйста природу инверсного тока. есть вариант, что это резонансный процесс индуктивности в цепи затвора, что может быть ещё?
|
|
|
|
|
Apr 1 2013, 14:14
|

Частый гость
 
Группа: Свой
Сообщений: 177
Регистрация: 31-08-09
Из: Saint-Peterburg
Пользователь №: 52 105

|
Цитата(velkarn @ Mar 31 2013, 20:12)  ... есть вариант, что это резонансный процесс индуктивности в цепи затвора, что может быть ещё? Все верно, это резонансный процес в цепи RLC, где С-емкость затвор-исток, L - индуктивность затвора+индуктивность истока, R - сопротивление в цепи затвора транзистора(судя по амплитуде у вас отсутствует)+сопротивление драйвера. Он аппериодический из-за сопротивления. Но при включении там участвет еще один процесс - из-за роста тока стока, уменьшается ток затвора, т.к. iистока=iз+iстока, поэтому когда ток стока догоняет ток истока.ю то ток затвора становится равным нулю...НО! из-за индуктивности затвора он не спадает до нуля мгновенно, а продолжает зарядать емкость затвор-исток, что и приводит к тому что напряжение на ней станосится больше, чем напряжение на выходе драйвера - этот "бугор" вы и видите на осцилле (желтая осциллограмма) Цитата(Aner @ Apr 1 2013, 00:32)  ...Если емкость затвора большая и не скомпенсирована то это и должно быть. А что значит скомпенсированная емкость затвора?
--------------------
Качество - главный критерий.
|
|
|
|
|
Apr 1 2013, 14:53
|
Местный
  
Группа: Участник
Сообщений: 253
Регистрация: 24-10-05
Пользователь №: 10 030

|
Цитата(AlexeyW @ Mar 31 2013, 23:44)  Ну а почему нет? В особенности, сравните с напряжением на выходе драйвера, наверняка этот горб - перенапряжение от индуктивного колебательного процесса. Однако, величина вроде как совсем неопасная. это одно из объяснений, просто хотелось услышать, мож есть другие версии. но в пользу этого варианта говорит и то, что при увеличении сопротивления в затворе этот ток исчезает (увеличение сопротивление - > уменьшение добротности) транзистор irf3710 подключен через 2,2 ом к микросхеме шим Цитата(Aner @ Apr 1 2013, 18:44)  Скомпенсировать емкость затвора можно по разному. Проще поиграть с симулятором. Емкость затвора также зависит от приложенного напряжения. Например, скомпенсировать можно организацией частотно-зависимой ПОС, ООС через резистор ( и не только) в истоке и емкость сток-исток. Но нужно опасаться возбудов, принимать разные меры, типа ферритовых бусин и тд. тоже хотелось бы услышать, что значит не скомпенсированная ёмкость затвора? и что значит её скомпенсировать?
|
|
|
|
|
Apr 1 2013, 15:45
|
Местный
  
Группа: Участник
Сообщений: 253
Регистрация: 24-10-05
Пользователь №: 10 030

|
Цитата(Aner @ Apr 1 2013, 19:00)  Да, емкость под 3000pF это много. Увеличение сопротивления поможет, 2,2 ом это конечно мало. Скомпенсировать - значит нейтрализовать, уменьшить эту емкость. много, мало это понятия относительные... что значит 3000 пф много? уменьшить эту ёмкость невозможно  её можно только перезарядить - быстрее или медленнее, вроде так
|
|
|
|
|
Apr 1 2013, 16:31
|
Знающий
   
Группа: Свой
Сообщений: 714
Регистрация: 31-08-09
Из: Харьков
Пользователь №: 52 114

|
Цитата Что значит относительное! Это же чисто емкосная нагрузка драйвера 3000 пф. Это же оч много. Вот и сделайте тогда согласование выходного сопротивления драйвера на эту комплексную нагрузку в широком диапазоне частот. Тогда не будет этих импульсов в цепи затвора. Мне интересно, что Вы скажете о емкости затвора 30 нФ? Очень-очень много? И как ее Скомпенсировать? Ув. Dmitry_Ternovsky описал все просто, понятно и абсолютно правильно.
|
|
|
|
|
Apr 1 2013, 17:16
|

Гуру
     
Группа: Свой
Сообщений: 4 869
Регистрация: 28-02-08
Из: СПБ
Пользователь №: 35 463

|
QUOTE (Integrator1983 @ Apr 1 2013, 19:31)  Мне интересно, что Вы скажете о емкости затвора 30 нФ? Очень-очень много? И как ее Скомпенсировать?
Ув. Dmitry_Ternovsky описал все просто, понятно и абсолютно правильно. Абсолютно не правильно! Вы тоже забавный, это по вашему это абсолютно правильно: ... из-за индуктивности затвора он не спадает до нуля мгновенно, а продолжает зарядать емкость затвор-исток, ... Ну и какая индуктивность затвора у этого полевика? И где такая емкость затвор-исток? Куда сток то делся?
|
|
|
|
|
Apr 1 2013, 18:59
|
Знающий
   
Группа: Свой
Сообщений: 988
Регистрация: 3-11-10
Пользователь №: 60 636

|
Цитата(velkarn @ Apr 1 2013, 18:45)  много, мало это понятия относительные... что значит 3000 пф много? Конечно, относительные. Характерная величина - волновое сопротивление контура индуктивности в затворе и его емкости, r=sqr(L/C). Если сопротивление в цепи затвора вдвое больше этой величины, то процесс перестает быть колебательным. При длине связи от драйвера к затвору 3 см индуктивность около 30-50 нГн, волновое сопротивление 4-5 Ом, в затвор можно поставить 10 Ом. Ферритовая бусина, кстати, может привести к удивительным эффектам. Она скорее ухудшит, а не улучшит картину.
|
|
|
|
|
Apr 1 2013, 19:41
|
Знающий
   
Группа: Свой
Сообщений: 714
Регистрация: 31-08-09
Из: Харьков
Пользователь №: 52 114

|
Цитата Вы тоже забавный Так Вы бы рассказали внятно, как "Скомпенсировать - значит нейтрализовать, уменьшить эту емкость" - я бы тоже позабавился. Цитата И где такая емкость затвор-исток? Иногда ее еще забавники называют емкостью Миллера. Цитата Ферритовая бусина, кстати, может привести к удивительным эффектам. Она скорее ухудшит, а не улучшит картину. Не факт. Приходилось управлять как-то веселым MOSFET'ом со входной емкостью порядка 20нФ и рабочим напряжением 800В в двухтактной схеме. При этом для всех вменяемых значений затворного резистора (пробовали в диапазоне 3.3-100 Ом) при открытии на затворе наблюдалась ВЧ-шерсть. Добавление бусины Spike Eater позволило решить эту проблему при Rзатвора от 10 Ом и выше (при этом время открытия возрастало, но незначительно).
|
|
|
|
|
Apr 1 2013, 21:07
|

Гуру
     
Группа: Свой
Сообщений: 4 869
Регистрация: 28-02-08
Из: СПБ
Пользователь №: 35 463

|
QUOTE (AlexeyW @ Apr 1 2013, 21:59)  ... Ферритовая бусина, кстати, может привести к удивительным эффектам. Она скорее ухудшит, а не улучшит картину. К каким таким удивительным эффектам? Выдумщик. Что такое она может ухудшить? Ферритовая бусина поглотитель эл м излучения, она имеет активное сопротивление для переменного тока. Короче гуглите, читайте, думайте, просвещайтесь. Если конечно еще способны. QUOTE (Integrator1983 @ Apr 1 2013, 22:41)  Так Вы бы рассказали внятно, как "Скомпенсировать - значит нейтрализовать, уменьшить эту емкость" - я бы тоже позабавился.
Иногда ее еще забавники называют емкостью Миллера.
Не факт. Приходилось управлять как-то веселым MOSFET'ом со входной емкостью порядка 20нФ и рабочим напряжением 800В в двухтактной схеме. При этом для всех вменяемых значений затворного резистора (пробовали в диапазоне 3.3-100 Ом) при открытии на затворе наблюдалась ВЧ-шерсть. Добавление бусины Spike Eater позволило решить эту проблему при Rзатвора от 10 Ом и выше (при этом время открытия возрастало, но незначительно). А ты и так забавный, гугли и забавляйся дальше. Емкость Миллера это когда база-коллектор или затвор-сток, но никак не база эмитер и не затвор-исток. То о чем я ранее и подметил. Обычно эту ёмкость Миллера требуется компенсировать или уменьшать и её влияние. Про бусину похоже ты что-то знаешь. Но про индуктивность в затворе ты что-то умалчиваешь. Похоже запутался.
|
|
|
|
|
Apr 2 2013, 05:03
|

Профессионал
    
Группа: Участник
Сообщений: 1 220
Регистрация: 10-10-06
Из: Петербург
Пользователь №: 21 169

|
Aner, Вы чего такой злобный ? Компенсация проходной ёмкости - это из RF-приложений и к теме имеет опосредованное отношение. Для минимизации индуктивность цепи затвора необходимо уменьшать площадь контура драйвер-проводники-mosfet. Индуктивность цепи истока всячески сопротивляется изменению тока при манипуляциях напряжения затвора вблизи порогового. Это приводит к росту потерь из-за более продолжительного пребывания ключа в линейном режиме. есть ключи, в которых проблема всплывает чаще, например, старые COOLMOS - напряжение на затворе и стоке (белым цветом без резистора в затворе, цветным - с резистором в 1 Ом) на fotkidepo.ru:
Сообщение отредактировал НЕХ - Apr 2 2013, 05:18
--------------------
Когда едешь на поезде - переезд всегда закрыт...
|
|
|
|
|
Apr 2 2013, 07:37
|

Частый гость
 
Группа: Свой
Сообщений: 177
Регистрация: 31-08-09
Из: Saint-Peterburg
Пользователь №: 52 105

|
Цитата(НЕХ @ Apr 2 2013, 09:03)  Для минимизации индуктивность цепи затвора необходимо уменьшать площадь контура драйвер-проводники-mosfet. Индуктивность цепи истока всячески сопротивляется изменению тока при манипуляциях напряжения затвора вблизи порогового. Это приводит к росту потерь из-за более продолжительного пребывания ключа в линейном режиме. Уважаемый HEX, Вы абсолютн прав. Читайте статьи Тогатов, Терновский "Коммутационные процессы в высокочастотных преобразователях", "Теория сверхбыстрого включения МОП-транзисторов","Теория сверхбыстрого вЫключения МОП-транзисторов", "UltraFast switching of Power MOSFETs", в которых мы рассматриваем процессы происходящие в момент включения (выключения) полевых транзисторов. На приведенной HEX картинке можно наблюдать короткие импульсы тока стока - "ложное включение", что связано с колебательным процессом в цепи затвора и превышением напряжения на емкости затвор-исток выше порогового... к сожалению, мы не можем видеть "чистое" напряжение на емкости затвор-исток, а все-равно смотрим наприяжение на цепочке емкость+индуктивность, отсюда может быть не четкое понимание ситуации. В первом случае амплитуда больше, потому что выключение транзистора происходит быстрее, отсюда и больше выброс. Кстати, заметьте, напряжение на затворе сначала спадает быстро, а потом медленно...быстрый спад - это время до достижения активного режима, дальше экспонента с постоянной S*Lистока Цитата(НЕХ @ Apr 2 2013, 09:03)  ..есть ключи, в которых проблема всплывает чаще, например, старые COOLMOS ... Интересно узнать (простите за оффтоп) про параметры транзисторов разных технологий. Нет случаем хорошего материала, где сравниваются параметры МОП-транзисторов в зависимости от технологий их производтсва...или еще дальше - структура МОПов с концентрациями акцепторов, доноров, используемых материалов. Хочется посчитать физические процессы происходящие в МОП-транзисторах, но мне не известна страктура современных приборов.
--------------------
Качество - главный критерий.
|
|
|
|
|
Apr 2 2013, 09:24
|

Профессионал
    
Группа: Участник
Сообщений: 1 220
Регистрация: 10-10-06
Из: Петербург
Пользователь №: 21 169

|
Цитата(Dmitry_Ternovsky @ Apr 2 2013, 11:37)  В первом случае амплитуда больше, потому что выключение транзистора происходит быстрее, отсюда и больше выброс. Кстати, заметьте, напряжение на затворе сначала спадает быстро, а потом медленно...быстрый спад - это время до достижения активного режима, дальше экспонента с постоянной S*Lистока Там разное количество вольт на клетку. Действие индуктивности истока врядли видно - ток стока слишком мал. Быстрый спад вызван легкостью переключения драйвера из-за индуктивности цепей затвора поначалу процесса. Активный режим - отсутствует.
--------------------
Когда едешь на поезде - переезд всегда закрыт...
|
|
|
|
|
Apr 2 2013, 10:44
|

Частый гость
 
Группа: Свой
Сообщений: 177
Регистрация: 31-08-09
Из: Saint-Peterburg
Пользователь №: 52 105

|
Цитата(НЕХ @ Apr 2 2013, 13:24)  Быстрый спад вызван легкостью переключения драйвера из-за индуктивности цепей затвора поначалу процесса. Активный режим - отсутствует. Тогда индуктивность затвора наоборот затянет процесс разряда емкости (в случае если Вы смотрите действительно на затворе транзистора, а не на выходе драйвера) или вообще все напряжение "поначалу процесса" будет падать на индуктивности. Активный режим присутствует... и начинается он тогда, когда напряжение на емкости затвор-исток достигает уровня Uзи=Uпор+(Iнаг/S), где S - крутизна транзистора, а Iнаг-ток стока(ток нагрузки). В этот момент начинает действовать обратная связь по индуктивности истока и процесс затягивается (что видно на вашей осциллограмме). Механизм этого такой- как только напряжение на емокости затвор-исток достигает указанной выше величины начинается спад тока стока (и истока), при этом на индуктивности истока появляется напряжение препятвтвующее этому изменению. При отсутсвии у вас резистора в цепи затвора добротность высока, и ничто не мешает току в индуктивности истока достичь величины тока нагрузки(т.е.стать равным току нагрузки, но течь в другую сторону - т.е. компенсировать ток нагрузки... и ток в истоке будет равен 0 или даже течь в другую сторону). При этом обратная связь обусловленная индуктивностью истока отсутствует и выключение транзистора происходит быстрее, но процесс то колебательный и транзистор снова включается. Если есть резистор - то напряжение на емкости затвор-исток не достигает порогового значения во время колебательного процесса и нет паразитного включения. Хотя собственно скорость процесса выключения определяется зарядом выходной емкости, а именно постоянной времени Rнаг*Cвых. Влияние емкости Миллера и индуктивности затвора тоже учитывается без труда. Но эт уже другая история...
--------------------
Качество - главный критерий.
|
|
|
|
|
Apr 2 2013, 12:26
|

Частый гость
 
Группа: Свой
Сообщений: 177
Регистрация: 31-08-09
Из: Saint-Peterburg
Пользователь №: 52 105

|
Цитата(НЕХ @ Apr 2 2013, 15:40)  Картинка очень прозаическая. Ключ выключается и лишь затем будет меняться ток стока и напряжение сток-исток. "ключ выключается" и при этом ток транзистора, текущий через канал, не меняется - он равен нулю, потому что ток через канал течь не может - там нет носителей, наличие которых определяется ТОЛЬКО напряжением на емкости затвор-исток. НО!!! остается ток заряда выходной емкости (емкости сток-исток), который не зависит от того какое напряжение на емкости затвор-исток...а определяется только сопротивлением в стоке и напряжением источника питания. Можете проэкспериментировать с индуктивностью в стоке..доведите ток до 10А в индуктивности, а потом выключите транзистор...т.к. индуктивность представляет собой источник тока, то этим током 10А вы и будете заряжать выходную емкость и напряжение на стоке подскочит очень быстро.
--------------------
Качество - главный критерий.
|
|
|
|
|
Apr 2 2013, 12:45
|
Знающий
   
Группа: Свой
Сообщений: 714
Регистрация: 31-08-09
Из: Харьков
Пользователь №: 52 114

|
Цитата НО!!! остается ток заряда выходной емкости (емкости сток-исток), который не зависит от того какое напряжение на емкости затвор-исток...а определяется только сопротивлением в стоке и напряжением источника питания. Непонятно. Ic=C*dU/dt, где С=f(U). Как он определяется только сопротивлением в стоке и напряжением источника питания??? При этом следом Вы правильно пишите Цитата индуктивность представляет собой источник тока, то этим током 10А вы и будете заряжать выходную емкость
|
|
|
|
|
Apr 2 2013, 13:07
|

Частый гость
 
Группа: Свой
Сообщений: 177
Регистрация: 31-08-09
Из: Saint-Peterburg
Пользователь №: 52 105

|
Цитата(НЕХ @ Apr 2 2013, 16:45)  Быстро - условное понятие. У ключей STW88 выходная ёмкость начинается от 100000пФ при выключении. А канал перекроется быстро, но незаметно. Эти транзисторы имеют задержку выключения. Зная механизм Вы можете сформулировать понятие БЫСТРО для вашей конкретной задачи  Цитата(Integrator1983 @ Apr 2 2013, 16:45)  Непонятно. Ic=C*dU/dt, где С=f(U). Как он определяется только сопротивлением в стоке и напряжением источника питания??? При этом следом Вы правильно пишите Верно, величина емкости сток-исток - это функция напряжения сток-исток...но писать все факторы, участвующие в процессе выключения транзистора в одном посте - это проще написать статью в журнал  В данном случае я имею в виду эффективную выходную емкость. Фактически же выходная емкость предствавляет из себя сумму емкостей сток-исток и сток-затвор...но в общих чертах механизм такой. я имел в виду ток Ic в начальный момент времни... а далее изменяется по приведенной Вами формуле. (в задаче описанной выше) при выключении транзистора, работающего на активную нагрузку R, скорость роста напряжения на выходной емкости будет определяться постоянной времени R*C...и время выключени = 4*R*C...так проще посчитать
--------------------
Качество - главный критерий.
|
|
|
|
|
Apr 2 2013, 14:27
|

Частый гость
 
Группа: Свой
Сообщений: 177
Регистрация: 31-08-09
Из: Saint-Peterburg
Пользователь №: 52 105

|
Цитата(Aner @ Apr 2 2013, 18:21)  Уточните ка у каких такая выходная ёмкость и при каком напряжении? STW88N65M5 у этих? Присоединяюсь к вопросу. Хотел поинтересоваться, да вылетело из головы. не представляю на какой ток расчитан этот прибор, что он имеет такие площади полупроводниковой структуры и как следствие такие емкости. Киньте ссылку если не жалко
--------------------
Качество - главный критерий.
|
|
|
|
|
Apr 2 2013, 19:49
|
Знающий
   
Группа: Свой
Сообщений: 988
Регистрация: 3-11-10
Пользователь №: 60 636

|
Цитата(Integrator1983 @ Apr 1 2013, 22:41)  Не факт. Приходилось управлять как-то веселым MOSFET'ом со входной емкостью порядка 20нФ и рабочим напряжением 800В в двухтактной схеме. При этом для всех вменяемых значений затворного резистора (пробовали в диапазоне 3.3-100 Ом) при открытии на затворе наблюдалась ВЧ-шерсть. Добавление бусины Spike Eater позволило решить эту проблему при Rзатвора от 10 Ом и выше (при этом время открытия возрастало, но незначительно). Совершенно согласен с Вами (я поэтому и сказал "скорее приведет"). Конечно, зависит от конкретного случая. Бусина с поглощением в эквивалентной схеме представляется как индуктивность параллельно с сопротивлением (т.е. потери, затухание в контуре). Но характерная величина потерь, добротность, будет зависеть от емкости в цепи. Хотя, я признаю, что не имел дела с бусинами с большим затуханием, надо будет обновить познания  В случае малого затухания будет не только увеличение индуктивности, а еще сложные колебательные процессы,связанные с насыщением.
|
|
|
|
|
Apr 2 2013, 20:07
|

Профессионал
    
Группа: Участник
Сообщений: 1 220
Регистрация: 10-10-06
Из: Петербург
Пользователь №: 21 169

|
http://www.hpe.ee.ethz.ch/uploads/tx_ethpu..._PCIM_paper.pdfВ статье на рис.4 можно лицезреть энергию потерь выключения ключей. На токах до 25 Ампер внутренняя емкость справляется. Суперпереходы снимают необходимость внешнего емкостного снаббера в ZVS топологиях на умеренных токах. CoolMOS - один из них. А сам использовал бусинку в затворе как трансформатор для детектора времени переключения транзисторов в стойке. На приведенной в начале страницы картинке любопытен момент - ложное приоткрытие ключа приводит к исчерпанию циркулирующей в цепи затвора энергии. Почему ?
Сообщение отредактировал НЕХ - Apr 2 2013, 20:26
--------------------
Когда едешь на поезде - переезд всегда закрыт...
|
|
|
|
|
Apr 2 2013, 20:59
|
Знающий
   
Группа: Свой
Сообщений: 714
Регистрация: 31-08-09
Из: Харьков
Пользователь №: 52 114

|
Цитата Бусина с поглощением Насыщающаяся, с прямоугольной петлей гистерезиса.
|
|
|
|
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0
|
|
|