Нелинейная модель мощного СВЧ LDMOS транзистора, Измерение/расчет зависимостей емкостей кристалла транзистора Опции

[Stefan1]

Добрый день.
Для составления нелинейной модели мощного СВЧ LDMOS транзистора требуются ввести зависимости емкостей кристалла транзистора от рабочих напряжений.
Подскажите пожалуйста, как будет качественно выглядеть зависимость проходной емкости в зависимости от напряжения затвор-сток для данного транзистора (измерить транзистор в открытом состоянии с приемлемой точностью пока не получается)? Интересует участок в районе порогового напряжения и немного за ним. В литературе также нигде не могу найти...

Сообщение отредактировал Stefan1 - Nov 5 2015, 17:12

[VitaliyZ]

Добрый день.
Для составления нелинейной модели мощного СВЧ LDMOS транзистора требуются ввести зависимости емкостей кристалла транзистора от рабочих напряжений.
Подскажите пожалуйста, как будет качественно выглядеть зависимость проходной емкости в зависимости от напряжения затвор-сток для данного транзистора (измерить транзистор в открытом состоянии с приемлемой точностью пока не получается)? Интересует участок в районе порогового напряжения и немного за ним. В литературе также нигде не могу найти...

Hi,
do you mean gate-drain capacitance? Look at Fig. 5.5 in this thesis.

[Stefan1]

Hi,
do you mean gate-drain capacitance? Look at Fig. 5.5 in this thesis.

Спасибо за ссылку. Да именно эта зависимость, но, как я понял, в диссертации речь идет о маломощном LDMOS транзисторе. Не понятно как соотнести эту зависимость с аналогичной зависимостью у мощного LDMOS, так как конструкция кристаллов транзисторов будет отличаться.