Sonnet, Помогите разобраться... Опции

[Neznayka]

Доброе время суток,уважаемые форумщики!
Долгое время я моделировал планарные структуры в MWO. Но в последнее время провожу расчет схем, используя модуль электродинамического анализа (закрытым формам на таких частотах и в таких структурах я не доверяю ). Но беда в том,что ЕМ-модуль в офисе не позволяет проводить оптимизацию полученной структуры,что было бы для меня очень полезно. По совету и при помощи знающих людей (спасибо им огромное еще раз!!!) поставил Соннет и интегрировал его в Офис. Все просто замечательно:экспорт-импорт,расчет и т.д. Но беда в том,что начальство гонит заниматься железом и времени на то,чтобы разобраться с оптимизацией в Соннет совсем не остается. Поэтому очень прошу тех,кто работал с программой и знает как это делается,подсказать мне-как задать параметры для оптимизации структуры. С самим диалогом и заданием целей оптимизации я,вроде бы, разобрался. Но не понимаю как в проект добавить те переменные,которые нужно оптимизировать. Не знаю имеет ли это какое-либо значение,но скажу,что проект,который мне нужно оптимизировать,я экспортировал из Офиса.
Буду очень признателен за любую информацию.

[trablik]

Доброе время суток,уважаемые форумщики!
...прошу тех,кто работал с программой и знает как это делается,подсказать мне-как задать параметры для оптимизации структуры...

Для параметризации структуры можно использовать два типа параметров: Anchored (с точкой привязки) и Symmeric (симметричный), которые отличаются характером изменения местоположения узловых точек топологии моделируемой структуры. Чтобы добавить параметр в проект нужно воспользоваться меню: Tools -> Add Parameter -> Add Anchored или Tools -> Add Parameter -> Add Symmetric

При добавлении параметра Anchored следует задать точку привязки (anchor point) - она при изменении параметра будет оставаться неподвижной, затем референсную точку (reference point). Расстоянием между двумя этими точками и определяется величина параметра (и наоборот). После указания этих двух точек в строке статуса появляется запрос: Select more points to be adjusted - можно выделить дополнительные точки, которые при изменении параметра будут смещаться одновременно с референсной точкой. После того как все точки выделены, нажмите Enter и задайте имя параметра.

Примечание: Точки на топологии удобно выделять путём перемещения курсора над нужными
точками при одновременном удерживании в нажатом состоянии левой кнопки мыши.

При добавлении параметра Symmetric сначала задается первая референсные точка (first reference point), затем дополнительные точки, связанные с ней. После этого нужно нажать Enter, после чего появится запрос на указание второй референсной точки (second reference point) и связанный с ней дополнительных узловых точек. Когда все точки второй группы указаны, следует нажать Enter и указать имя параметра. Величина параметра определяется расстоянием между двумя референсными точками (и наоборот). При изменении параметра типа Symmetric обе референсные точки (и, соответственно, связанные с ними группы точек) изменяют своё положение одновременно (приближаются друг к другу при уменьшении значения параметра, либо "разбегаются" друг от друга при увеличении значения параметра).

Примечание: Если Вы хотите при указании имени параметра использовать уже существующее имя (в случае, когда несколько элеметнов топологии обозначены одним и тем же параметром), то можно не вводить каждый раз имя вручную, а в строке ввода имени параметра нажать курсор "Вниз", перебирая имена уже существующих параметров, которые имеют такаие же значения, как и редактируемый

Изменять значения параметров можно как вручную - двойным нажатием левой кнопки мыши, так и при оптимизации или свипировании (Parameter Sweep).

В директории Examples в Sonnet есть пример параметризованной топологии - par_dstub_c - там использованы оба типа параметров.

Сообщение отредактировал trablik - Aug 7 2006, 17:47

[Neznayka]

Спасибо за совет Завтра обязательно попробую и,наверняка,появятся новые вопросы.
А пока прикрепляю файлик,который обещал. Надеюсь,что пригодится .
Еще раз большое спасибо.
Желаю удачи.

Прикрепленные файлы

 Microwave_Office_2006_Crack_7.0.3025.rar ( 16.53 килобайт ) Кол-во скачиваний: 99

 

[Neznayka]

Скажите пожалуйста,а можно задать при парамтризации точку не в узле топологии,а произвольно. Скажем,есть опция "Добавить точку", благодаря которой я могу добавить точку в любое место структуры. Могу я задать оптимизацию относительно этой точки? Если это возможно,то как? Потому как при добавлении точки я могу за нее "потянуть",изменив тем самым геометрию структуры,но при попытке задать эту точку в качестве точки оптимизации она исчезает Или есть еще какие-то приемы,которые я пока не осознал?
И еще вопрос-каким методом анализа лучше пользоваться? Интересует как скорость расчета,так и точность.

Сообщение отредактировал Neznayka - Aug 8 2006, 07:05

[trablik]

Скажите пожалуйста,а можно задать при парамтризации точку не в узле топологии,а произвольно. Скажем,есть опция "Добавить точку", благодаря которой я могу добавить точку в любое место структуры. Могу я задать оптимизацию относительно этой точки? Если это возможно,то как? Потому как при добавлении точки я могу за нее "потянуть",изменив тем самым геометрию структуры,но при попытке задать эту точку в качестве точки оптимизации она исчезает Или есть еще какие-то приемы,которые я пока не осознал?
И еще вопрос-каким методом анализа лучше пользоваться? Интересует как скорость расчета,так и точность.

При выполнении команды "Add points to polygon" точка действительно добавляется, а при снятии выделения она становится невидимой (но она на самом деле присутствует). Чтобы её вновь увидеть, можно, например, выделить полигон, на котором задана эта точка, и выполнить команду "Reshape polygons" (изменять форму полигона при этом вовсе не обязательно ) Но вот при добавлении параметра такую точку можно выделить только "на ощупь" В такой ситуации могу дать совет: при выполнении команды "Add points to polygon" нужно не просто добавлять узловую точку, но и сразу, удерживая нажатой кнопку мыши, немного смещать эту точку в нужном направлении. После параметризации структуры это смещение можно будет компенсировать изменением значения соответствующего параметра.
Вот файл с примером:  test.rar ( 1.75 килобайт ) Кол-во скачиваний: 175
При добавлении новой точки к первоначальной геометрии (первоначальная геометрия - в файле test_initial.son) добавляемая точка была немного смещена вниз. При параметризации структуры начальное значения параметра L=2.2. Чтобы вернуться к исходной геометрии, нужно задать значение параметра L=2.0.

Примечание: При задании параметра его первоначальное значение должно быть отличным от нуля! Поэтому нужно либо выбрать соответствующую anchor point, либо изначально немножко скорректировать топологию, чтобы вводимый параметр стал отличным от нуля.

При редактировании топологии бывает довльно удобно использовать команду Edit -> Merge Polygons. Эта команда объединяет несколько полигонов в один.

Тепрь о методах анализа. Я многократно проверял метод ABS (Adaptive Band Syntesys), сравнивая полученные с помощью него результаты расчета с результатами от Linear Frequency Sweep. Совпадение очень хорошее! Вобщем теперь я использую только ABS. Что касается параметров mesh'а, то по соотношению точность/время вычислений наилучшим выбором в большинстве случаев яаляется настройка Mesh: Coarse/Edge Meshing (меню Analysis -> Setup -> Speed/Memory)

[Neznayka]

Спасибо за исчерпывающий ответ Завтра,надеюсь,смогу попробовать на практике.

[Neznayka]

Появилась у меня еще одна проблемка-считаю катушку индуктивности,при этом задаю проводимость материала,толщину слоя металлизации. Расчитываю добротность катушки-все хорошо, все получилось. Далее-удваиваю толщину слоя металлизации, провожу расчет и что же...добротность ни чуть не изменилась Почему? Ведь она должна была увеличиться (поправьте,если я не прав).
P.S. При изменении тангенса потерь в диэлектрике (его уменьшении) добротность увеличилась. Но почему она не меняется при изменении толщины металла?

Сообщение отредактировал Neznayka - Aug 9 2006, 12:09

[trablik]

Появилась у меня еще одна проблемка-считаю катушку индуктивности,при этом задаю проводимость материала,толщину слоя металлизации. Расчитываю добротность катушки-все хорошо, все получилось. Далее-удваиваю толщину слоя металлизации, провожу расчет и что же...добротность ни чуть не изменилась Почему? Ведь она должна была увеличиться (поправьте,если я не прав).
P.S. При изменении тангенса потерь в диэлектрике (его уменьшении) добротность увеличилась. Но почему она не меняется при изменении толщины металла?

В Sonnet по умолчанию толщина металла не учитывается - она только влияет на погонные потери. Полоски представляются бесконечно тонким проводящим слоем с потерями. Для того, чтобы учесть конечную толщину металлизации в Sonnet есть возможность представить полосок в виде двух или более бесконечно тонких проводников, суммарное расстяние между которыми как раз и равно толщине металлизации. Чтобы использовать эту технику, нужно задать новый тип металла, указав в качестве модели Thick Metal Model (меню Circuit -> Metal Types -> Add... -> Type = Thick Metal Model). Но следует отметить, что время расчетов при этом заметно увеличивается.


Более подробную информацию по моделированию толщины металла в Sonnet можно получить из Sonnet User's Guide (глава 18)

[Neznayka]

Спасибо за помощь
Все получилось,но вот результаты меня несколько озадачили... При изменении толщины слоя металлизации (а именно при его увеличении) добротность падает. Непонятно почему? По идее,должна увеличиваться? Или программа учитывает потери на излучение? Если интересно,могу кинуть графики...

[BIBIGON]

Спасибо за совет Завтра обязательно попробую и,наверняка,появятся новые вопросы.
А пока прикрепляю файлик,который обещал. Надеюсь,что пригодится .
Еще раз большое спасибо.
Желаю удачи.

А случайно нет кряка для версии 7_0_3077?

[trablik]

Спасибо за помощь
Все получилось,но вот результаты меня несколько озадачили... При изменении толщины слоя металлизации (а именно при его увеличении) добротность падает. Непонятно почему? По идее,должна увеличиваться? Или программа учитывает потери на излучение? Если интересно,могу кинуть графики...

Очень интересно, киньте, пожалуйста. Думаю, всё дело в том, что при увеличении толщины металлизации увеличивается и межвитковая ёмкость катушки и, соответственно, уменьшается её реактивное сопротивление.
Можно попытаться промоделировать такую ситуацию, немного уменьшив расстояние между витками.

_______________________

Тут по ходу дела проявилась одна проблема в стыковке MWO 7.01 с Sonnet. Если создать EM-стуктуру в MWO 7.01, а затем редактировать её в Sonnet, то эта ЕМ-структура перестаёт поддаваться редактированию в MWO (даже если указать другой ЕМ-смулятор). Если быть точнее, то в MWO перестаёт быть видна её топология в 2D (а вот в 3D - всё видно).

Сообщение отредактировал trablik - Aug 11 2006, 22:46

[Neznayka]

Кидаю картинки проекта:
1.Сама катушка и определение слоя металлизации для нее

Эскизы прикрепленных изображений

 

[Neznayka]

2. Результаты расчета добротности катушки (для трех значений слоя металлизации 18,36 и 72 микрона)

Эскизы прикрепленных изображений

 

Прикрепленные файлы

 Inductors_for_DMV3.rar ( 62.19 килобайт ) Кол-во скачиваний: 55

 

[trablik]

Похоже, это "особенности" расчетов.

Q of Spiral Inductors

[Neznayka]

Доброе время суток,уважаемые форумщики!
Возник еще вопрос по использованию Соннет: каким образом в одном из слоев задать диэлектрический кубик с заданными свойсвами?
Сначала я сделал так:
1. Создал три слоя диэлектрика (плата,воздух,воздух)
2. Нарисовал нужную мне структуру и задал свойства металла.
3. Далее мне было необходимо в среднем слое (воздух) под слоем металла создать диэлектрическую вставку из другого материала. Я поступил следующим образом "Tools->Add Dielectric Brick->Draw Rectangle". Все получилось-появился "кирпичик",но беда в том,что в качестве диэлекрика указан "Air" (воздух)... А как мне изменить материал этого кирпичика?
Пока я не разобрался,поступил следующим образом:
1. Создал три слоя диелектрика (плата,слой диэлектрика,воздух)
2. Во втором слое вставил несколько кирпичиков из воздуха,так,чтобы получить объект нужной формы под печатью. Но есть у меня сомнения по поводу правильности моих действий...
Такие вот дела...
А так же никак не могу понять каким образом можно изменить сдвиг референсной плоскости порта (структура экспортирована из MWO)
Буду благодарен за любую помощь.

[trablik]

Доброе время суток,уважаемые форумщики!
Возник еще вопрос по использованию Соннет: каким образом в одном из слоев задать диэлектрический кубик с заданными свойсвами?
Сначала я сделал так:
1. Создал три слоя диэлектрика (плата,воздух,воздух)
2. Нарисовал нужную мне структуру и задал свойства металла.
3. Далее мне было необходимо в среднем слое (воздух) под слоем металла создать диэлектрическую вставку из другого материала. Я поступил следующим образом "Tools->Add Dielectric Brick->Draw Rectangle". Все получилось-появился "кирпичик",но беда в том,что в качестве диэлекрика указан "Air" (воздух)... А как мне изменить материал этого кирпичика?
Пока я не разобрался,поступил следующим образом:
1. Создал три слоя диелектрика (плата,слой диэлектрика,воздух)
2. Во втором слое вставил несколько кирпичиков из воздуха,так,чтобы получить объект нужной формы под печатью. Но есть у меня сомнения по поводу правильности моих действий...
Такие вот дела...
А так же никак не могу понять каким образом можно изменить сдвиг референсной плоскости порта (структура экспортирована из MWO)
Буду благодарен за любую помощь.

Зайдите в меню Circuit -> Brick Materials и добавьте там новый материал для диэлектрической вставки - с нужными параметрами

[Neznayka]

Спасибо,уважаемый trablik,я разобрался

[universe]

Люди, кто ставил Sonnet 11.54 на висту 64?? Есть у кого-нить нормальный кряк под нее? Буду очень благодарен за помощь).

[Ya. Kolmakov]

Добрый день,
Кто-нибуть настраивал кластер на компьютерах соединенных через Интернет?
Ситуация следующая: компьютеры за роутерами, разные провайдеры. Пробовали и перебрасывать порты (56300, 56150, 56080) и через DMZ, но результат один - местер не видет ответа от удаленного слейва, при этом из удаленного слейва можно просматривать настройки кластера, запускать на расчет. На компьютере-мастере запускается так же и слейв. Мастер свой слейв видет.

[hengp]

et 12.52 crack




Сообщение отредактировал hengp - Dec 21 2010, 12:30

[evgdmi]

Если при моделировании в MWO (v9.03.4959.1) использовать для анализа симулятор Sonnet (v12.52), то для каждой электромагнитной структуры в корне диска С создаётся файл типа Sonnet_AWR_Temp1. Его можно просматривать в Sonnet, но обычно этого не требуется. Если при моделировании приходится много раз корректировать параметры структуры, то таких файлов появляется довольно много и удалить их можно только вручную. Кто нибудь сталкивался с такой проблемой? Можно ли где-нибудь что-нибудь отключить, чтобы эти файлы не создавались без надобности?

[evgdmi]

Во вложенном файле анализ в Sonnet 13.52 отрезка компланарной линии длиной 1 дюйм на материале RO4003C Standart, у которого шероховатость по даташит 2.8 микрона. Анализ выполнялся с гладким металлом и с шероховатым (Rough Metal). Но разницы в потерях практически нет, и они заметно меньше, чем приводятся в даташит, где, например, потери на 15 ГГц обещают порядка -0.16 дБ/дюйм, а на частоте 9 ГГц - порядка -0.4 дБ на дюйм. Кто нибудь выполнял анализ с учётом шероховатости? Что тут не так?

Прикрепленные файлы

 Line.rar ( 48.97 килобайт ) Кол-во скачиваний: 16

 

[proxi]

Кто нибудь выполнял анализ с учётом шероховатости? Что тут не так?

Не так 2.5D. Экспорт в CST и там уже можно что то сравнивать. А касаемо лампет элементов и S параметры транзисторов тут 2.5D вне конкуренции CST отдыхает ( а может курит ).

[evgdmi]

Не так 2.5D.

Но ведь добавили шероховатость в 2.5D эачем-то. Неужто только для пиара?

[proxi]

Но ведь добавили шероховатость в 2.5D эачем-то. Неужто только для пиара?

Отнюдь, не только. Сетка то 2D а вертикальные токи можно только обозначить. ИМХО упрощенная модель, но но если бы было наоборот было бы грустно. Сапоги точать сапожник, пирожки пирожник ( хотя приходилось и то и другое) и долго доказывать что бы разрешили. 3D сетка это много ресурсов свои антенки оптимизирую неделями, если повезет.

[l1l1l1]

... Но разницы в потерях практически нет, и они заметно меньше, чем приводятся в даташит, где, например, потери на 15 ГГц обещают порядка -0.16 дБ/дюйм, а на частоте 9 ГГц - порядка -0.4 дБ на дюйм.

очень хотелось бы глянуть на даташит для RO4003C, в котором указаны потери в копланарной линии, причем на бОльших частотах мЕньшие, чем на мЕньших.
дайте ссылку пожалуйста, или приаттачьте.

Не так 2.5D. Экспорт в CST и там уже можно что то сравнивать.

по учету шероховатости предпочел бы HFSS.

А касаемо лампет элементов и S параметры транзисторов тут 2.5D вне конкуренции CST отдыхает ( а может курит ).

вам надо бы хоть один пример из CST DS посмотреть, а потом уже решать, смеяться над CST или нет.

Но ведь добавили шероховатость в 2.5D эачем-то. Неужто только для пиара?

вы почему-то указали шероховатость только для нижней поверхности проводников.
если укажете и для верхней - потери увеличатся.
имеет смысл также при учете потерь для бокса указывать реальные материалы, а не оставлять Lossless.

[Yuri Potapoff]

Сейчас уже не помню подробностей, но с шереховатостями где-то год назад вышел казус. Соннет обубликовал статью, в которой делались определенные выводы относительно шереховатости (ее влияние на индуктивность микрополосковой линиии). Параллельно Шлепнев в Сибеоре исследовал эту же тему и получил прямо противоположные результаты. Далее была обширная техническая дискуссия, в том числе и на конференциях, а также вышли несколько статей с обеих сторон. И вроде бы все пришли к общему знаменателю. Статьи есть и на соннете, и на симбеоре.

[Yuri Potapoff]

не буду создавать отдельную тему


Уважаемые господа!

Компания Sonnet сообщила о выходе новой версии пакета моделирования
планарных СВЧ устройств Sonnet Suites v13.56. Главным нововведением в
этой версии является расширенная связь с программой ADS 2011 из пакета
Agilent EEsof EDA. API интерфейс с Sonnet реализован в виде Design
Kit, автоматически добавляемого в среду проектирования ADS 2011. В
результате пользователь получает механизм экстракции для
топологических ячеек с соответствующим схемотехническим представлением.

Также улучшен имеющийся интерфейс связи с пакетом проектирования
интегральных схем Cadence Virtuoso.

Для пользователей, имеющих активный контракт на техническую поддержку,
новая версия доступна для скачивания на сайте компании.

Более подробную информацию о программном обеспечении Sonnet можно
найти по адресу:

http://www.eurointech.ru/sonnet

За любой дополнительной информацией просим обращаться по адресу
sales@eurointech.ru или телефону (495) 749-45-78 в компанию Евроинтех,
являющуюся официальным дистрибьютором программного обеспечения Sonnet
на территории России и стран СНГ.

[proxi]

хоть один пример из CST DS посмотреть

Отнюдь, несколько проектов рабочих в DC произвел по полной программе.

[evgdmi]

очень хотелось бы глянуть на даташит для RO4003C, в котором указаны потери в копланарной линии, причем на бОльших частотах мЕньшие, чем на мЕньших.
дайте ссылку пожалуйста, или приаттачьте.

Указанные потери по частотам нужно поменять местами, прошу прощения за столь грубую ошибку. Нужного даташита на официальном сайте Роджерса для RO4003 почему-то нет. Постараюсь выложить, у меня он на листочке бумаги.

[evgdmi]

очень хотелось бы глянуть на даташит для RO4003C, в котором указаны потери в копланарной линии, причем на бОльших частотах мЕньшие, чем на мЕньших.
дайте ссылку пожалуйста, или приаттачьте.
вы почему-то указали шероховатость только для нижней поверхности проводников.
если укажете и для верхней - потери увеличатся.

Указал шероховатость для верхней поверхности. Потери действительно заметно увеличились. Я не ожидал такого влияния свойств верхней поверхности, всётаки материал толстый. С учётом всего сказанного здесь возможно удастся повысить точность моделирования полосно-пропускающих фильтров на этом материале, особенно узкополосных.
Во вложенном файле информация о RO004 с одной из презентаций.

Прикрепленные файлы

 RogersACMmaterials_Electraderev1_April2010update.rar ( 3.89 мегабайт ) Кол-во скачиваний: 144