|
Ищется транзистор, SOT-23, N-Chanel, VDSS >=120V, открывающийся при 2в |
|
|
|
Nov 8 2011, 15:30
|
Знающий
   
Группа: Свой
Сообщений: 716
Регистрация: 27-05-05
Из: Kyiv
Пользователь №: 5 454

|
Цитата(SNGNL @ Nov 7 2011, 21:52)  Биполярные транзисторы производить запретили заодно с лампами Ильича? Не запретили но полевики лучше. При моделировании быстрее набирает напряжение и потребление лучше. Для макета возьму MPSA42A.
|
|
|
|
|
Nov 9 2011, 16:13
|
Знающий
   
Группа: Свой
Сообщений: 716
Регистрация: 27-05-05
Из: Kyiv
Пользователь №: 5 454

|
Цитата(dinam @ Nov 9 2011, 06:51)  Я смотрю вы для макета выбрали всё-таки биполярный транзистор, правда который уже не выпускается. Может стоит попробовать PMBT5550. Дешевый, популярный. Если вам его скорости не хватает, то может попробовать сделать управление по эмиттеру? Если вас не затруднит, не могли бы вы более полно описать требования к ключу? Ключ будет работать в классическом step-up преобразователе для питания лавинного фотодиода(70..140В). MPSA42 выпускается в обновленном виде MMBTA42.
|
|
|
|
|
Nov 10 2011, 15:54
|
Знающий
   
Группа: Свой
Сообщений: 716
Регистрация: 27-05-05
Из: Kyiv
Пользователь №: 5 454

|
Цитата(Herz @ Nov 9 2011, 21:44)  Интересная характеристика. Впервые встречаю. Полевой транзистор за 8 миллисекунд заряжает выходной конденсатор до 100 вольт. Биполярный за 90 миллисекунд.
Эскизы прикрепленных изображений
|
|
|
|
|
Nov 11 2011, 08:16
|
Гуру
     
Группа: Участник
Сообщений: 6 776
Регистрация: 5-03-09
Из: Москва
Пользователь №: 45 710

|
Цитата(misyachniy @ Nov 10 2011, 19:54)  Полевой транзистор за 8 миллисекунд заряжает выходной конденсатор до 100 вольт. Биполярный за 90 миллисекунд. С указанными на скриншотах номиналами, до 140 вольт должно заряжаться меньше чем за 2 мс. Но ни диод, ни транзистор выбраны совершенно негодные для данного тока. Цитата(dinam @ Nov 11 2011, 10:06)  корректнее следует промоделировать с чем-то типа PBHV8115T Если только промоделировать, потому что купить его, в той же деревне, он тоже вряд ли сможет. Вообще, если у автора такие проблемы с комплектующими, нужно не мечтать о чём-то нормально-расчётном, а исходить из имеющегося — например того, что можно наковырять из дохлой бытовой техники, и т.п.
|
|
|
|
|
Jan 14 2012, 09:34
|
Знающий
   
Группа: Свой
Сообщений: 716
Регистрация: 27-05-05
Из: Kyiv
Пользователь №: 5 454

|
Цитата(AlexADV @ Jan 13 2012, 14:24)  по параметрическому поиску можно посмотреть в линейки APEC http://www.a-power.com.tw/index.aspx?lang=..._list&no=20Я уже остановился на MSP42A. Его работа меня удивила. Пока не приобрел его, экспериментировал с BC847. ШИМ от микроконтроллера с 5 вольтовым питанием. Затем впаял вместо него MSP42A. Схема не заработала. На токоограничивающем резисторе в базе "красивые" импульсы, а собственно на базе 0,7 вольт постоянного напряжения. Уменьшил сопротивление до 2К не помогло. В документации написано, что насыщение база-эмитер 0,9 вольт при токе 2 мА. По идее уже должен был работать. Когда поставил делитель с ШИМ вывода микроконтроллера из двух резисторов по 300 ом и подключил базу к середине резистора то схема заработала. Граничная частота транзистора 50МГц, паразитные емкости должны быть небольшими. При моделировании с резистором 2К в базе схема работает. Не понятно почему пришлось вкачивать в базу такой большой ток?
|
|
|
|
|
Jan 14 2012, 11:17
|
Профессионал
    
Группа: Участник
Сообщений: 1 076
Регистрация: 14-11-06
Из: г. Ульяновск
Пользователь №: 22 301

|
BC847 и MPSA42 - это совершенно разные транзисторы. У второго в 2,5 раза больше максимально допустимый постоянный ток, в 6 с лишним раз больше граничное напряжение коллектор-эмиттер. Как следствие, у него значительно больше площадь кристалла, меньше коэффициент усиления в режиме насыщения. Автор пытался заставить работать его в ключевом режиме при базовом токе 2 мА (первоначально, похоже, и еще при меньшем). А это при коэффициенте усиления 10 дает ток коллектора только 20 мА. При чем в конкретном случае емкости переходов? Импульсные свойства биполярных транзисторов определяются в основном временем рассасывания. Кстати, моделируетмя работа биполярного транзистора в режиме насыщения не удовлетворительно, мягко говоря.
Сообщение отредактировал Пушкарев Михаил - Jan 14 2012, 11:18
|
|
|
|
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0
|
|
|