|
2 страниц
1 2 >
|
 |
Ответов
(1 - 21)
|
Feb 19 2014, 06:16
|
Участник

Группа: Участник
Сообщений: 32
Регистрация: 30-11-07
Из: Нижний Новгород
Пользователь №: 32 827

|
Цитата(SM @ Feb 18 2014, 16:59)  По другим причинам - от жесткого ионизирующего излучения. А также по истечение срока хранения информации (не дождетесь).
От импульсной помехи по питанию, теоретически, такая возможность есть, если вдруг что-то там войдет в режим программирования, но для этого она должна быть катастрофической и запредельной, такой, от которой микросхема сама по себе может выйти из строя. То есть ПЛИС по хранению данных надёжней микроконтроллера?
|
|
|
|
|
Feb 19 2014, 07:47
|
Гуру
     
Группа: Свой
Сообщений: 2 435
Регистрация: 6-10-04
Из: Петербург
Пользователь №: 804

|
Цитата(Мур @ Feb 19 2014, 09:54)  По опыту предыдущей работы наблюдал регулярную (примерно раз в пол-часа ...и до полусуток) перезаливку Циклона 3 в аппаратуре цифровой обработки радиотехнического комплекса. ОЗУ конфигурации на FPGA слетала? А что еще? Я заметил, на kit_ах микроконтроллеров, любимое занятие программеров на кнопочку перезагрузки жать. Цитата(kulepoff @ Feb 18 2014, 14:53)  Может ли слететь прошивка в плис Альтера EPM3064 из за импульсных помех в питании?
Или по другим причинам. CPLD от Альтеры спалить по не знанию легко.
|
|
|
|
|
Feb 20 2014, 06:07
|
Участник

Группа: Участник
Сообщений: 32
Регистрация: 30-11-07
Из: Нижний Новгород
Пользователь №: 32 827

|
Цитата(SM @ Feb 19 2014, 09:32)  Естественно, так как в микроконтроллере есть код (программа), на который тот по ошибке залететь может, и который напакостит, а в ПЛИС это невозможно физически. А в ПЛИС (epm3064) данные о конфигурации тоже ведь где то хранятся ?
Сообщение отредактировал kulepoff - Feb 20 2014, 06:08
|
|
|
|
|
Feb 20 2014, 07:58
|

Профессионал
    
Группа: Свой
Сообщений: 1 262
Регистрация: 13-10-05
Из: Санкт-Петербург
Пользователь №: 9 565

|
Цитата(SM @ Feb 20 2014, 09:41)  Вот именно, данные, а не программа, которая может случайно выполниться из-за программного сбоя. Без разницы как назвать, эти данные конфигурируют ПЛИС и она выполняет функционал описанный в этих данных. Ошибка в одном бите - и что делает ПЛИС - непредсказуемо. Правда обычно есть контрольная сумма. Цитата(Мур @ Feb 19 2014, 09:54)  И еще!... По опыту предыдущей работы наблюдал регулярную (примерно раз в пол-часа ...и до полусуток) перезаливку Циклона 3 в аппаратуре цифровой обработки радиотехнического комплекса. ОЗУ конфигурации на FPGA слетала? А что еще? У нас регулярно с вероятностью 100% слетала флеш в радиоаппаратуре при приёме определённой комбинации - оказалась одна из катушек приёмника расположена над флешкой - перенесли катушку в сторону и эффект пропал.
|
|
|
|
|
Feb 20 2014, 08:07
|
Гуру
     
Группа: Свой
Сообщений: 7 946
Регистрация: 25-02-05
Из: Moscow, Russia
Пользователь №: 2 881

|
Цитата(_4afc_ @ Feb 20 2014, 11:58)  Без разницы как назвать, эти данные конфигурируют ПЛИС и она выполняет функционал описанный в этих данных. Ошибка в одном бите - и что делает ПЛИС - непредсказуемо. Правда обычно есть контрольная сумма. Это называется незнание основ работы с флеш в микроконтроллере и отличий от работы с флеш в ПЛИС. А они такие: - И там, и там, есть некий автомат, стирающий/записывающий флеш. Он одинаково может испортить данное, если влетит в некорректное состояние от запредельной, убийственной помехи, или без автомата вообще, как Ваша катушка, наводящая на изолированные затворы ячеек (и/или каналы) адские потенциалы. - В микроконтроллере, обычно, есть еще программа в ПЗУ, или в составе рабочего софта, которая совершенно официально занимается прошиванием флеши, для обеспечения функций программирования в системе. В ПЛИС такой программы нет - ПЛИС вообще, сама по себе, не умеет исполнять программ. Поэтому, в микроконтроллере возможен программный сбой, вызванный какой-то неадекватной ситуацией, но не убийственной, из-за которой слетит исполнение программы, и она по ошибке уйдет на алгоритм стирания/записи флеш. В ПЛИС такой сценарий невозможен. Поэтому в среднестатистической ПЛИС значительно меньше шансов порчи флеши, чем в среднестатистическом МК.
|
|
|
|
|
Feb 20 2014, 08:52
|
Знающий
   
Группа: Свой
Сообщений: 572
Регистрация: 17-11-05
Из: СПб, Россия
Пользователь №: 10 965

|
Цитата(SM @ Feb 20 2014, 12:07)  - В микроконтроллере, обычно, есть еще программа в ПЗУ, или в составе рабочего софта, которая совершенно официально занимается прошиванием флеши, для обеспечения функций программирования в системе. В ПЛИС такой программы нет - ПЛИС вообще, сама по себе, не умеет исполнять программ. Поэтому, в микроконтроллере возможен программный сбой, вызванный какой-то неадекватной ситуацией, но не убийственной, из-за которой слетит исполнение программы, и она по ошибке уйдет на алгоритм стирания/записи флеш. В ПЛИС такой сценарий невозможен.
Поэтому в среднестатистической ПЛИС значительно меньше шансов порчи флеши, чем в среднестатистическом МК. Хм. Вставляем в FPGA встроенный софт-процессор и повторяем рассуждения.
|
|
|
|
|
Feb 20 2014, 08:56
|
Гуру
     
Группа: Свой
Сообщений: 7 946
Регистрация: 25-02-05
Из: Moscow, Russia
Пользователь №: 2 881

|
Цитата(alexadmin @ Feb 20 2014, 12:55)  А, речь про CPLD. Тогда да, пожалуй. Да и в FPGA c флеш-памятью, например LatticeXP, LatticeXP2, MAX-V, и т.п. такой возможности нету. Там можно переписать user flash, TAG, т.п., но никак не конфигурацию.
|
|
|
|
|
Feb 24 2014, 08:52
|

Профессионал
    
Группа: Свой
Сообщений: 1 262
Регистрация: 13-10-05
Из: Санкт-Петербург
Пользователь №: 9 565

|
Цитата(yes @ Feb 21 2014, 16:44)  а принцип или какие-либо детали можете описать? а то и рентгеновское излучение, самое что ни на есть, электромагнитное поле На защиту выносятся следующие научные положения: 1. Уничтожение информации на полупроводниковом носителе электромагнитным полем при энергиях импульса не менее 2,2-10—5 Дж с использованием туннельного пробоя без деструкции транзисторной структуры.
2. Использование магнитного поля с длительностью импульса более 1 мс, обеспечивает максимальную передачу энергии внутрь полупроводниковой структуры с учетом ослабления магнитного поля за счет скин-эффекта.
3. Разрушение транзистора за счет нагрева возможно даже при малых значениях электрического поля, при многократном импульсном облучении. Создаваемое электрическое поле, с величиной определяемой крутизной (или скоростью) вызывает изменение магнитного поля.
4. Учет и оптимизация конструкции устройства стирания информации на флеш носителе посредством многократного облучения электромагнитными импульсами обеспечивает надежное стирание информации без возможности ее восстановления.
5. Учет и оптимизация конструкции устройства стирания информации на флеш носителе посредством программного стирания информации непосредственно с микросхемы памяти с последующим воздействием на флеш носитель высоким напряжением обеспечивает надежное стирание информации без возможности ее восстановления.
6. Использование полеобразующей системы состоящей из шести жестко связанных контуров и оптимизация конструкции устройства стирания информации на флеш носителе посредством воздействия переменным магнитным полем обеспечивает надежное стирание информации без возможности ее восстановления.
7. Применение разработанных способов построения систем управления, регистрации и контроля технических характеристик прибора, обеспечивают высокую точность измерения параметров для надежного стирания информации.
8. Комбинация способов внешнего воздействия, оптимизированная и реализованная в макете прибора, обеспечивает гарантированное уничтожение информации с носителей, в основе которых лежат полупроводниковые элементы (флеш память).
|
|
|
|
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0
|
|
|