реклама на сайте
подробности

 
 
> Тесты для характеризации технологического процесса
TiNat
сообщение Jul 23 2014, 15:09
Сообщение #1


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 100
Регистрация: 15-09-12
Пользователь №: 73 555



Добрый день. Есть пара вопросов. Изучая топологию и спецификацию зарубежной тестовой матрицы для характеризации технологического процесса, обнаружил в ней ряд статистических тестов. Например, десятки тысяч цепочек контактов, тесты на обрывы и закоротки. С этим все понятно. Но в этой же группе (статистической) были непонятные для меня тесты, которые может быть кто-то пояснит. Есть группа Multi Inverter (это 4 теста с изменяющимися ширинами транзисторов в интверторе, первая ширина для NМОП, вторая для РМОП 0,5/0,5 0,5/1 1/1 1/2, таких инверторов около 1000, все включены в параллель, на площадки выведены земля/питание + вход (затвор) + выход), группа Multi NMOS, Multi PMOS (это много маленьких транзисторчиков в параллель), 8 Ring Oscillator, 1 сдвиговый регистр на триггерах. Суть вопроса такова: как правильно измерять такие тесты? какой параметр? И что здесь можно оценить/отбраковать? Ведь, скажем, в мультиинверторе отказ одного инвертора трудно заметить, а тест статистический, значит именно по сути отказ одного мы и ищем. Может быть есть ссылка на литературу, где про это можно почитать. Может быть цифровики что-то подскажут )) (упомянутые выше кольцевые генераторы для проверки качества SPICE-моделей интересуют чуть-чуть в меньшей степени)

И еще более общий вопрос. Может кто-то владеет полноценным списком тестов тестовой матрицы какой-нибудь зарубежной фабрики, которую запускают при постановке\характеризации технологического процесса ? Или gds самой матрицы. Интересна любая информация подобного рода.

Заранее спасибо.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
 
Start new topic
Ответов (1 - 5)
yes
сообщение Jul 25 2014, 14:15
Сообщение #2


Гуру
******

Группа: Свой
Сообщений: 2 198
Регистрация: 23-12-04
Пользователь №: 1 640



ни разу не занимался такими тестами, из банальной эрудиции:

может еще и характеризуют процесс, то есть заменяют потребление?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
KMC
сообщение Jul 28 2014, 07:16
Сообщение #3


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 185
Регистрация: 26-10-04
Из: Moscow, Zelenograd
Пользователь №: 987



По поводу массивов элементов - если не изменяет память, используются для замера токов утечки (возможно также для напряжения пробоя). При отказе одного из элементов (транзитора, инвертора) в массиве наблюдается значительный выход параметра за границы спека.
Судя по описанию матрицы, имеются в виду структуры для inline контроля пластин и отладки техпроцесса. Для характеризации SPICE параметров (экстракции SPICE моделей) набор тестовых структур будет другим.
Так как данные по топологии данных структур и методике их измерений являются закрытой информацией на фабе (в отличие от PDK) - не думаю что кто-то из имеющих доступ к ней, осмелиться ее выложить.

Go to the top of the page
 
+Quote Post
TiNat
сообщение Jul 28 2014, 17:58
Сообщение #4


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 100
Регистрация: 15-09-12
Пользователь №: 73 555



Цитата
данные по топологии данных структур и методике их измерений являются закрытой информацией


Интересует хотя бы общий подход.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
fragment
сообщение Sep 1 2014, 18:17
Сообщение #5


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 97
Регистрация: 1-12-05
Из: Беларусь-Тайвань
Пользователь №: 11 657



Возможно эта книга поможет
Microelectronic Test Structures for CMOS Technology
Go to the top of the page
 
+Quote Post
TiNat
сообщение Sep 2 2014, 14:50
Сообщение #6


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 100
Регистрация: 15-09-12
Пользователь №: 73 555



Цитата
Возможно эта книга поможет
Microelectronic Test Structures for CMOS Technology

Спасибо. С этой книгой я знаком. Весьма полезная.
Go to the top of the page
 
+Quote Post

Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 21st July 2025 - 17:59
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.0142 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016