реклама на сайте
подробности

 
 
> Транзисторный ключ, Рассасывание заряда в базе при выключении
Konrad
сообщение Feb 23 2015, 13:39
Сообщение #1


Местный
***

Группа: Участник
Сообщений: 202
Регистрация: 7-04-08
Пользователь №: 36 555



Приветствую участников!

Мне на регулировку попало устройство автором которого я не являюсь. В схеме есть такой транзисторный ключ:

Прикрепленное изображение


У меня возникли сомнения по поводу номинала резистора R2 - больно низкоомный. Автор обосновывает такой номинал тем, что низкое сопротивление R2, по его мнению, при закрытии ключа будет способствовать ускоренному рассасыванию заряда в базе и таким образом транзистор будет быстрее закрываться... С одной стороны почему бы и нет, но с другой, в литературе я такого способа ускорения закрытия не встречал... Господа, есть тут зерно истины?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
2 страниц V   1 2 >  
Start new topic
Ответов (1 - 20)
1113
сообщение Feb 23 2015, 13:45
Сообщение #2


Знающий
****

Группа: Свой
Сообщений: 604
Регистрация: 24-02-06
Из: Москва
Пользователь №: 14 658



зерно - есть. однако так ли важно именно в этой схеме это рассасывание - вопрос.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Konrad
сообщение Feb 23 2015, 13:51
Сообщение #3


Местный
***

Группа: Участник
Сообщений: 202
Регистрация: 7-04-08
Пользователь №: 36 555



Цитата(1113 @ Feb 23 2015, 17:45) *
однако так ли важно именно в этой схеме это рассасывание - вопрос.


Это фрагмент схемы инвертора (верхний ключ) 3-х фазного двигателя постоянного тока.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
1113
сообщение Feb 23 2015, 13:52
Сообщение #4


Знающий
****

Группа: Свой
Сообщений: 604
Регистрация: 24-02-06
Из: Москва
Пользователь №: 14 658



вам надо эту схему улучшить или что? работает и работает...
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Konrad
сообщение Feb 23 2015, 14:00
Сообщение #5


Местный
***

Группа: Участник
Сообщений: 202
Регистрация: 7-04-08
Пользователь №: 36 555



Цитата(1113 @ Feb 23 2015, 17:52) *
вам надо эту схему улучшить или что? работает и работает...


её нужно заставить работать (на номинальных частоте и токе, без сквозняков и с минимальными деадтаймами), я её ещё не включал - получил агрегат перед выходными...
Go to the top of the page
 
+Quote Post
1113
сообщение Feb 23 2015, 14:01
Сообщение #6


Знающий
****

Группа: Свой
Сообщений: 604
Регистрация: 24-02-06
Из: Москва
Пользователь №: 14 658



что за транзисторы и частоты?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Konrad
сообщение Feb 23 2015, 14:04
Сообщение #7


Местный
***

Группа: Участник
Сообщений: 202
Регистрация: 7-04-08
Пользователь №: 36 555



Цитата(1113 @ Feb 23 2015, 18:01) *
что за транзисторы и частоты?


24 кГц, первый транзистор - сборка 2т689 (или 690, не помню какая из них какой проводимости), второй - 2т880
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Plain
сообщение Feb 23 2015, 14:43
Сообщение #8


Гуру
******

Группа: Участник
Сообщений: 6 776
Регистрация: 5-03-09
Из: Москва
Пользователь №: 45 710



На морозе Uбэ порядка 0,75 В и сопротивление верхнего транзистора логического элемента абстрактной серии порядка 130 Ом, что при вдобавок худшем же неуказанном его питании 4,5 В гарантирует ток базы VT1 на уровне 0 мА.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
domowoj
сообщение Feb 23 2015, 19:20
Сообщение #9


Профессионал
*****

Группа: Участник
Сообщений: 1 548
Регистрация: 20-12-07
Из: г.Новосибирск
Пользователь №: 33 486



Цитата(Plain @ Feb 23 2015, 20:43) *
ток базы VT1 на уровне 0 мА.

Это что-то не понял.


--------------------
И на камнях растут деревья!
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Plain
сообщение Feb 23 2015, 20:32
Сообщение #10


Гуру
******

Группа: Участник
Сообщений: 6 776
Регистрация: 5-03-09
Из: Москва
Пользователь №: 45 710



Uбэ = 4,5 В · 110 Ом / (130 Ом + 510 Ом + 110 Ом) = 0,66 В
Go to the top of the page
 
+Quote Post
alexvu
сообщение Feb 24 2015, 08:26
Сообщение #11


Профессионал
*****

Группа: Свой
Сообщений: 1 172
Регистрация: 14-11-11
Из: Москва
Пользователь №: 68 299



R2 лучше увеличить в 2 раза.
Это хорошо еще, если лог. выход выдаст нужное напряжение при такой нагрузке и не сгорит.
Но лучше взять транзистор с меньшей емкостью базы или вообще мосфет с прямым подключением к выходу через маленький резистор.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Tarbal
сообщение Feb 25 2015, 14:07
Сообщение #12


Профессионал
*****

Группа: Свой
Сообщений: 1 351
Регистрация: 21-05-10
Пользователь №: 57 439



Цитата(1113 @ Feb 23 2015, 17:45) *
зерно - есть. однако так ли важно именно в этой схеме это рассасывание - вопрос.


Конечно важно.

Дополнительная нагрузка от этого резистора 0.7В / 110 = 6 мА. Если в первом каскаде емкость БЭ еще сможет быть разряжена выходом логического элемента через R1 и можно обойтись, то во втором каскаде наличие этого резистора обязательно. Резистор предотвратит затягивание фронта на время требуемое на разряд емкости через обратный ток перехода БЭ.

Цитата(Konrad @ Feb 23 2015, 17:39) *
в литературе я такого способа ускорения закрытия не встречал...


Во всех транзисторных усилителях мощности НЧ применяется. Просто стандартная практика.





Смотрите на R4 R5 R6.

Вот вам литература:
http://gyrator.ru/circuitry-composite-transistor


Правда объяснение резистору странное.

Здесь более адекватное объяснение:
http://www.trzrus.narod.ru/calc/trzbr.htm
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Konrad
сообщение Feb 25 2015, 18:34
Сообщение #13


Местный
***

Группа: Участник
Сообщений: 202
Регистрация: 7-04-08
Пользователь №: 36 555



Всем спасибо за ответы!
Go to the top of the page
 
+Quote Post
domowoj
сообщение Feb 26 2015, 16:56
Сообщение #14


Профессионал
*****

Группа: Участник
Сообщений: 1 548
Регистрация: 20-12-07
Из: г.Новосибирск
Пользователь №: 33 486



А это не поможет, классика.

Эскизы прикрепленных изображений
Прикрепленное изображение
 


--------------------
И на камнях растут деревья!
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Меджикивис
сообщение Feb 27 2015, 18:41
Сообщение #15


Профессионал
*****

Группа: Участник
Сообщений: 1 541
Регистрация: 21-03-12
Из: РФ
Пользователь №: 70 919



А еще лучше включить Шоттки между базой и коллектором транзистора. Получаются фронты заметно качественнее, чем другими способами.
Проверено лично.


--------------------
Построив автомобили, человечество освободило лошадей от необходимости работать.
Почему оно не освободило от такой необходимости себя ))
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Herz
сообщение Feb 28 2015, 09:55
Сообщение #16


Гуру
******

Группа: Модераторы
Сообщений: 10 983
Регистрация: 23-11-05
Пользователь №: 11 287



Цитата(alexvu @ Feb 24 2015, 10:26) *
R2 лучше увеличить в 2 раза.

А я бы уменьшил в два раза, если бы речь шла о скорости. И позаботился бы о логическом элементе повышенной нагрузочной способности.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
shf_05
сообщение Feb 28 2015, 11:12
Сообщение #17


Профессионал
*****

Группа: Свой
Сообщений: 1 143
Регистрация: 22-04-08
Из: г. Екатеринбург
Пользователь №: 36 992



Цитата(Меджикивис @ Feb 27 2015, 23:41) *
А еще лучше включить Шоттки между базой и коллектором транзистора. Получаются фронты заметно качественнее, чем другими способами.
Проверено лично.

+1

Цитата(Konrad @ Feb 23 2015, 18:51) *
Это фрагмент схемы инвертора (верхний ключ) 3-х фазного двигателя постоянного тока.

почему бы его не сделать npn типа
Go to the top of the page
 
+Quote Post
domowoj
сообщение Mar 1 2015, 07:08
Сообщение #18


Профессионал
*****

Группа: Участник
Сообщений: 1 548
Регистрация: 20-12-07
Из: г.Новосибирск
Пользователь №: 33 486



Цитата(Herz @ Feb 28 2015, 15:55) *
позаботился бы о логическом элементе повышенной нагрузочной способности.

И схему бы немного изменил.

Сообщение отредактировал domowoj - Mar 1 2015, 07:15
Эскизы прикрепленных изображений
Прикрепленное изображение
 


--------------------
И на камнях растут деревья!
Go to the top of the page
 
+Quote Post
AnatolyT
сообщение Mar 1 2015, 09:01
Сообщение #19


Частый гость
**

Группа: Участник
Сообщений: 176
Регистрация: 29-03-10
Пользователь №: 56 269



Затягивание фронтов при выключении в ключевых схемах зачастую происходит при использовании транзисторов с тонкой базой (Ку по току 300-400 и более). Даже при использовании ускоряющей RC цепочки в базе ключа заряд в базе рассасывается медленно и затягивается фронт при выключении примерно на 100 нс и более. От этого можно избавиться применив в ключе транзистор с Ку по току примерно в районе 40-60, и для увеличения тока в цепи коллектора использовать каскод. При этом транзистор в ключе выбирается более высокочастотный, а в каскоде можно менее высокочастотный, но с большим предельным напряжением К-Э.

Сообщение отредактировал AnatolyT - Mar 1 2015, 09:03
Go to the top of the page
 
+Quote Post
st232bd
сообщение Mar 23 2015, 10:27
Сообщение #20


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 170
Регистрация: 12-02-08
Из: г.Минск (РБ)
Пользователь №: 34 969



Ускорить рассасывание верхнего транзистора можно добавлением хотя-бы небольшого (падение от долей вольта) резистора.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Егоров
сообщение Mar 23 2015, 11:13
Сообщение #21


Гуру
******

Группа: Модераторы
Сообщений: 3 868
Регистрация: 15-03-13
Пользователь №: 76 048



Да какое тут "ускорение рассасывания" ? Ну было бы 240 кГц - другое дело.
Тут в базу параллельно и 1-5кОм хватило бы.
Go to the top of the page
 
+Quote Post

2 страниц V   1 2 >
Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 21st July 2025 - 14:00
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01517 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016