модули приемопередатчика для активной ФАР Опции

[nikolas_osu]

Подскажите такие модули выпускаются серийно или нет и где можно достать документацию по ним.

[andybor]

Подскажите такие модули выпускаются серийно или нет и где можно достать документацию по ним.

Фирма Raytheon уже несколько лет выпускает модули АФАР и даже умудряется собирать готовые изделия из них:
http://www.raytheon.com/capabilities/products/apg79aesa/
За ящик водки они с удовольствием поделятся с вами конструкторской документацией, а также секретами производства

[N.Golov]

ну а поскольку в основном АФАР предназначены для военых применений в открытом доступе отечественных материалов тоже мало...
например http://www.niip.ru/main.php?page=library_sky14

http://www.missiles.ru/AESA_ph_5.htm

Сообщение отредактировал N.Golov - Feb 22 2009, 18:51

[Yuri Potapoff]

Вот так вот вражеская разведка и узнает о новейших российских разработках двадцатилетней давности.

[grandrei]

Подскажите такие модули выпускаются серийно или нет и где можно достать документацию по ним.

А какие конкретно и в какого частотного диапазона АФАРы вы имеете в виду? Естественно, техническую документацию вы нигде не найдете, но вот схемотехнику отдельных узлов, как и технологии, которые для их производства использовались, это возможно, как, например, на сайте M/A-COM, и не только.

Прикрепленные файлы

 Radar_overview.pdf ( 1002 килобайт ) Кол-во скачиваний: 905
 T_R_BlockDiagram_WEB.pdf ( 190.14 килобайт ) Кол-во скачиваний: 382

 

[Ya. Kolmakov]

Я думаю из этого что то собрать можно:
http://www.niipp.ru/Russian/products/integr_shottky.html
http://www.niipp.ru/Russian/products/Modul_uprav.html

А так фактически готовый модуль от Маком:
http://www.macom.com/DataSheets/MAMF-000004-DIE000.pdf
Раньше на сайте макома таких модулей было гораздо больше - на любой вкус, сейчас чего то нет ничего.

Главное это наличие цифрового фазовращателя и аттенюатора для задания необходимого распределения фазы и аплитуды сигнала в излучаемой плоскости.

[DesNer]

Вот вам еще из отечественных источников
http://www.aeroreview.ru/?/pages/akk/akk_2...0603_022024.htm
Что-то уж совсем - выкладывают в открытый доступ.

Я думаю из этого что то собрать можно:
http://www.niipp.ru/Russian/products/integr_shottky.html
http://www.niipp.ru/Russian/products/Modul_uprav.html

Скорей всего из этого и собрано.

[andybor]

Вот вам еще из отечественных источников
http://www.aeroreview.ru/?/pages/akk/akk_2...0603_022024.htm
Что-то уж совсем - выкладывают в открытый доступ. ...

Да нет там ничего крамольного - более чем краткое описание одной из технологий сборки СБИС.
Пошарьте по интернету, найдете гораздо более подробные описания на буржуйской мове, с фотографиями, диаграммами, таблицами и пр..
Сейчас это модное направление - сборка решеток на активных модулях
Статья написана товарищами из Микран-а, фирма которая сотрудничает с "конкурентами" НИИП-а - Корпорацией "Фазотрон НИИР". Эта корпорация уже выпустила опытный образец радара с АФАР:
http://www.missiles.ru/AESA_ph_5.htm

[N.Golov]

по поводу модулей, кто нибудь располагает информацией по поводу реализации их на GaN транзисторах?

[grandrei]

по поводу модулей, кто нибудь располагает информацией по поводу реализации их на GaN транзисторах?

Эта технология достаточна нова, поэтому требуется некоторое время для внедрения в широкое производство. Но технологический процесс уже имеет место быть вплоть до сантиметрового диапазона http://www.cree.com/products/pdf/Cree_Foundry_Brochure.pdf. Так что, скорее всего, какой-нибудь Raytheon уже разрабатывает такие радары. А вообще - это, конечно, уникальные транзисторы с точки зрения КПД.

[khach]

Eudyna GaNовские транзисторы продает. http://www.eudyna.com/e/products_e/newprod...n_hemt_era.html. Модели есть. Проектируйте. Обычный мощный высоковольтный FET, небоящийся перегрева. Или вам про GaNовские примники? Так это экзотика, они до 100 ГГц работают, потихоньку вытесняя InP.

[FDS]

Вообще-то вопрос требует уточнения,я имею ввиду частотный диапазон АФАР.Подразумевая,что наиболее интересен все-таки X-Band,могу сообщить,что за рубежом уже начали выпуск многофункциональных микросхем для построения ППМ для АФАР,так называемые core-chip (описание увидите во вложении)

Прикрепленные файлы

 XZ1002_BD.pdf ( 836.61 килобайт ) Кол-во скачиваний: 831

 

[Methane]

Эта технология достаточна нова, поэтому требуется некоторое время для внедрения в широкое производство. Но технологический процесс уже имеет место быть вплоть до сантиметрового диапазона http://www.cree.com/products/pdf/Cree_Foundry_Brochure.pdf. Так что, скорее всего, какой-нибудь Raytheon уже разрабатывает такие радары. А вообще - это, конечно, уникальные транзисторы с точки зрения КПД.

Не очень. Обещали что заменят магнетроны в микроволновках. Обманули?

[andybor]

Вообще-то вопрос требует уточнения,я имею ввиду частотный диапазон АФАР.Подразумевая,что наиболее интересен все-таки X-Band,могу сообщить,что за рубежом уже начали выпуск многофункциональных микросхем для построения ППМ для АФАР,так называемые core-chip (описание увидите во вложении)

Мда-а, самое интересное, что производитель сего chip-а находится на Тайване, который ранее никак не был замечен в числе продавцов компонентов для изделий Х-диапазона
А так, просто конфетка - осталось прицепить циркулятор, усилитель мощности, пару ёмкостей по питанию и модуль АФАР готов

[N.Golov]

Обычный мощный высоковольтный FET, небоящийся перегрева. Или вам про GaNовские примники?

пока есть желание усилитель на GaN транзисторе для модуля АФАР посчитать... На Х - диапазон и чуть выше... Ватт этак на 8 -10..

за рубежом уже начали выпуск многофункциональных микросхем для построения ППМ для АФАР,так называемые core-chip (описание увидите во вложении)

насколько я понял, во вложении описание монолитки на арсениде галлия, а не нитриде, но штука интересная, спасибо..

Сообщение отредактировал N.Golov - Mar 26 2009, 20:27

[anton]

Мда-а, самое интересное, что производитель сего chip-а находится на Тайване, который ранее никак не был замечен в числе продавцов компонентов для изделий Х-диапазона
А так, просто конфетка - осталось прицепить циркулятор, усилитель мощности, пару ёмкостей по питанию и модуль АФАР готов

А зачем циркулятор переключатель в модуле есть. А так выходная мощность хилая входные шумы здоровые

[andybor]

А зачем циркулятор переключатель в модуле есть. А так выходная мощность хилая входные шумы здоровые

Переключатель - со стороны распределительно-суммирующей системы ФАР, а циркулятор нужен для развязки приемника и передатчика при работе на один излучатель. Почитайте Воскресенского, что-ли.
Насчет мощности и шумов, тоже не переживайте, существуют устройства под названием: МШУ и УМ, их можно каскадировать с подобными core-chip

[anton]

Переключатель - со стороны распределительно-суммирующей системы ФАР, а циркулятор нужен для развязки приемника и передатчика при работе на один излучатель. Почитайте Воскресенского, что-ли.
Насчет мощности и шумов, тоже не переживайте, существуют устройства под названием: МШУ и УМ, их можно каскадировать с подобными core-chip

Упс быстро смотрел подумал что слева на антену а где нарисованна управляюшая логика на радар.

[grandrei]

Не очень. Обещали что заменят магнетроны в микроволновках. Обманули?

Вы напрасно иронизируете, это очень хорошие транзисторы и будущее за ними, я ведь именно с ними и имею дело, хоть пока и не для радаров Х-диапазонов. Но уже есть MMIC на них и в этом диапазоне с КПД за 40% для УМ.

Сообщение отредактировал grandrei - Mar 27 2009, 23:39

[khach]

пока есть желание усилитель на GaN транзисторе для модуля АФАР посчитать... На Х - диапазон и чуть выше... Ватт этак на 8 -10..

Ну так ссылку на еудину я давал, у них где-то лежали малосигнальные S-параметры. А семейство импедансов для полносигнального варианта- только за денежку и NDA. Или самому снимать- два автоматизированных трансформатора полных импедансов от Mauri, импульсный нетворканалайзер и вперед.
Модулей на GaN-е пока непредвидется- подложки в производстве слишком дороги, поэтому их ломают на активные девайсы, а пассивка делается на более дешевых материалах, чем GaN на сапфире или монокристаллические GaN-овские подложки- те вообще дороже золота намного, близки к алмазу по цене. Разве что пойдет технолгия аммонийного метода роста монокристаллов GaN,тогда может подешевеет, но это пока границы технологии.

[grandrei]

Особого смысла проектировать гибридную схему усилителей мощности на GaN, как и других устройств, для радаров X-диапазона нет, поскольку такие устройства делаются в виде MMIC. Разве что с познавательной точки зрения, но трудновато получить модель GaN транзисторов ввиду определенных обстоятельств. Разве что скачать у Nitronex, но их корпусные транзисторы предназначены для более низкого диапазона частот сотовой связи. А так обзор достижений в этой области можно посмотреть здесь, как и работы Института Фраунгофера.

Сообщение отредактировал grandrei - Mar 28 2009, 17:29

Прикрепленные файлы

 GaN_HEMT_HPA_X_band.pdf ( 241 килобайт ) Кол-во скачиваний: 110

 

[N.Golov]

Ну так ссылку на еудину я давал, у них где-то лежали малосигнальные S-параметры. А семейство импедансов для полносигнального варианта- только за денежку и NDA. Или а пассивка делается на более дешевых материалах, чем GaN на сапфире или монокристаллические GaN-овские подложки- те вообще дороже золота намного, близки к алмазу по цене.

у меня пока задача "исследование возможности" а не реализация ... а что касается алмазов - видел я разработку фотоприемника с использованием природных алмазов

[khach]

Особого смысла проектировать гибридную схему усилителей мощности на GaN, как и других устройств, для радаров X-диапазона нет, поскольку такие устройства делаются в виде MMIC. Разве что с познавательной точки зрения, но трудновато получить модель GaN транзисторов ввиду определенных обстоятельств.

Про "познавательную точку зрения" можно подробней? Т.е предположим доступна технология GaN на сапфире (MOCVD или МBE). HEMT вырастить можно, фотолитография тоже проблем не составляет.
А вот как потом сделать пассивную часть схемы (микрополоски) на сапфире понять немогу. Как на эпиреди сапфир нанести металлизацию, работоспособную на частотах до 100 ГГц, тем более что стравливать GaN с лицевой стороны до сапфира технологи нехотят- очень уж он толстый- проблема с маской, а GaN в подслое проводящий- потери в микрополоске будут большие. А ломать на отдельные транзисторы нехочется- потом проблема с бондированием и теплоотводом.
Нужен совет "человека от СВЧ", а то как то "людьми от полупроводов" ничего непридумывается. Про SiC подложки интересно только теоретически- нет технологических возможностей.

[grandrei]

С точки зрения "человека от СВЧ" могу сказать, что желательно делать на той технологии, которая более подходит для данного проектирования, а не на той, которая просто имеется, но не совсем подходит. Если же касаться технологии на сапфире, то наиболее рациональным подходом, пожалуй, можно считать не использование сапфира для пассивных элементов, а применения подходов типа SiP (System in Package), когда разные кристаллы (технологии) используется для реализации различных элементов и устанавливаются на одну подложку. Возможна также технология flip-chip для кристалла из сапфира, чтобы минимизировать влияние паразитных элементов, как-то bondwire. Но все это едва ли целесообразно использовать, поскольку усложняет и удорожает общую конструкцию, и она становится совершенно неконкурентноспособна по сравнению с образцами, сделанными теми, кому технология на SiC доступна. А познавательность я имел ввиду с точки зрения возможности понять возможности транзисторы и построения внешних цепей для реализации эффективной работы усилителя на таком транзисторе.

[andybor]

Вы напрасно иронизируете, это очень хорошие транзисторы и будущее за ними, я ведь именно с ними и имею дело, хоть пока и не для радаров Х-диапазонов. Но уже есть MMIC на них и в этом диапазоне с КПД за 40% для УМ.

А, что ещё можно сказать кроме "КПД за 40% для УМ", для данного направления?
Каковы перспективы этой технологии в области малошумящих касадов для усиления, генерации сигналов? Просматривается-ли там преимущество перед нынешними технологиями?

[grandrei]

А, что ещё можно сказать кроме "КПД за 40% для УМ", для данного направления?
Каковы перспективы этой технологии в области малошумящих касадов для усиления, генерации сигналов? Просматривается-ли там преимущество перед нынешними технологиями?

А разве этого, то есть увеличения КПД, мало для разработки усилительных модулей? Нет универсальных технологий, каждая хороша для своих целей, поэтому и МШУ, и УМ разрабатываются по разным технологиям, требуются ведь разные характеристики. Даже, если это и существующая pHEMT технология, но и она отличается, например 0.15 μm Low Noise pHEMT для МШУ или 0.5 μm Power pHEMT для РА. Как раз GaN HEMT и предназначены заменить в перспективе LDMOSFET в усилителях мощности базовых станциях сотовых систем связи и pHEMT в усилителях мощности радарных систем.

[andybor]

А разве этого, то есть увеличения КПД, мало для разработки усилительных модулей? Нет универсальных технологий, каждая хороша для своих целей, поэтому и МШУ, и УМ разрабатываются по разным технологиям, требуются ведь разные характеристики. Даже, если это и существующая pHEMT технология, но и она отличается, например 0.15 μm Low Noise pHEMT для МШУ или 0.5 μm Power pHEMT для РА. Как раз GaN HEMT и предназначены заменить в перспективе LDMOSFET в усилителях мощности базовых станциях сотовых систем связи и pHEMT в усилителях мощности радарных систем.

В рекламно-профессиональной печати GaN-технологию преподносят, как перспективную замену GaAs. Видимо не всё так просто, спасибо просветили.

[Lonesome Wolf]

Про "познавательную точку зрения" можно подробней? Т.е предположим доступна технология GaN на сапфире (MOCVD или МBE). HEMT вырастить можно, фотолитография тоже проблем не составляет.
А вот как потом сделать пассивную часть схемы (микрополоски) на сапфире понять немогу. Как на эпиреди сапфир нанести металлизацию, работоспособную на частотах до 100 ГГц, тем более что стравливать GaN с лицевой стороны до сапфира технологи нехотят- очень уж он толстый- проблема с маской, а GaN в подслое проводящий- потери в микрополоске будут большие. А ломать на отдельные транзисторы нехочется- потом проблема с бондированием и теплоотводом.
Нужен совет "человека от СВЧ", а то как то "людьми от полупроводов" ничего непридумывается. Про SiC подложки интересно только теоретически- нет технологических возможностей.

А как насчет этого?

....
Technology: 0.25 um Power GaN on SiC
.....

100 Вт до 18 ГГц...

578 Евро, между прочим. Копейки, можно сказать...

[N.Golov]

А как насчет этого?

100 Вт до 18 ГГц...

578 Евро, между прочим. Копейки, можно сказать...

А разве они уже продают? Вроде на сайте написано прототип...
а 100 Вт это похоже на 3.5 ГГц....

[Lonesome Wolf]

А разве они уже продают? Вроде на сайте написано прототип...
а 100 Вт это похоже на 3.5 ГГц....

Продают полную номенклатуру GaN транзисторов, анонсированных на их сайте. Это ТАМ . Здесь тоже достать можно, если подсуетиться.

Насчет мощности - ничего подобного - специфицирована во всем диапазоне. Конечно, потрудиться придется, чтобы ее достичь. Особенно с терморежимом. Но для импульсного режима - самое оно.

[andybor]

......578 Евро, между прочим. Копейки, можно сказать...

Ничего себе - копейки! Если это цена за один корпус, то сколько-же будет стоить вся решётка на несколько сотен-тысяч модулей?

[anton]

Так АФАР антена самая дорогая деталь в радарах последнего поколения.
(так решетка с такими параметрами нужна только военным, а они готовы столько платить)

[FDS]

Продают полную номенклатуру GaN транзисторов, анонсированных на их сайте. Это ТАМ . Здесь тоже достать можно, если подсуетиться.

Насчет мощности - ничего подобного - специфицирована во всем диапазоне. Конечно, потрудиться придется, чтобы ее достичь. Особенно с терморежимом. Но для импульсного режима - самое оно.

Уважаемый коллега,на начало этого года Triquint ещё даже не начал производство этого кристалла,а привезти в Россию - не предоставляется возможным... никому!(в лучшем случае 1-10 шт)

[Lonesome Wolf]

Уважаемый коллега,на начало этого года Triquint ещё даже не начал производство этого кристалла,а привезти в Россию - не предоставляется возможным... никому!(в лучшем случае 1-10 шт)

Я делал запрос через немецких коллег. Покупать не собирался - только price-n-availability - для планирования, так сказать. Счет, как всегда, от Avnet-Memec - перед глазами.

P.S. Да, интересовался малыми количествами (10 шт.) - в силу специфики деятельности - R&D - мне много и не надо

[Lonesome Wolf]

Ничего себе - копейки! Если это цена за один корпус, то сколько-же будет стоить вся решётка на несколько сотен-тысяч модулей?

Посмотрел еще раз на счет - валяется на столе. Указанная цена - за 10 шт. Т.е. за 100 Вт чип - всего 58 Евро.

[N.Golov]

Посмотрел еще раз на счет - валяется на столе. Указанная цена - за 10 шт. Т.е. за 100 Вт чип - всего 58 Евро.

ну тогда практически "бюджетный вариант". а не подскажите, как в России их купить можно?

[FDS]

Я проработал данную тему,и вот:
1.Данный кристалл тестировался на 3 ГГц!!!
2.Никто без оформления лицензии на Triquint в Россию Вам его не привезет!!!!!!!

[N.Golov]

Я проработал данную тему,и вот:
1.Данный кристалл тестировался на 3 ГГц!!!
2.Никто без оформления лицензии на Triquint в Россию Вам его не привезет!!!!!!!

мне вот не вполне понятно: по даташитам Values in this table are scaled from a 1.25 mm unit GaN on SiC cell at 3.5 GHz
но Frequency Range: DC - 18 GHz, при это номинальный КУ (15 дБ) - выдерживается до 13 ГГц. Какая будет выходная мощность например в диапазоне 8-12ГГц?

Эскизы прикрепленных изображений

 

[Lonesome Wolf]

Знаю только одно - будучи пару лет назад на конференции, говорил с людьми из Toshiba и Eudyna - они обещали engineering prototypes 65 Вт транзисторов на верх Ku band-а в течении 2008 года. Правда, на вопрос о цене предпочитали отделываться шутками. Потом встретил сообщение - как раз в конце 2008 - о Toshiba-вском X-band метеолокатре (200 Вт) на проприетарных GaN транзисторах. Вроде как они не доступны коммерчески. Так что вопрос назревал и созревал. Разговоры ведь давно идут о неком подобии революции.
Ладно, попробуем - посмотрим. Triquint ваяет замечательные вещицы.

[andybor]

Знаю только одно - будучи пару лет назад на конференции, говорил с людьми из Toshiba и Eudyna - они обещали engineering prototypes 65 Вт транзисторов на верх Ku band-а в течении 2008 года. Правда, на вопрос о цене предпочитали отделываться шутками. Потом встретил сообщение - как раз в конце 2008 - о Toshiba-вском X-band метеолокатре (200 Вт) на проприетарных GaN транзисторах. Вроде как они не доступны коммерчески. ....Triquint ваяет замечательные вещицы.

Вроде-бы метеолокаторы работают в другом бэнде. А X-диапазон полностью милитаризирован насегодня. А все "замечательные вещицы" от Triquint весьма ограниченно доступны

[Lonesome Wolf]

Вроде-бы метеолокаторы работают в другом бэнде. А X-диапазон полностью милитаризирован насегодня. А все "замечательные вещицы" от Triquint весьма ограниченно доступны

На X-band-е работает все . К примеру, maritime navigational radar на какой-нибудь яхте. А вот не поленился и разыскал ссылочку соответствующую.

[andybor]

На X-band-е работает все . К примеру, maritime navigational radar на какой-нибудь яхте. А вот не поленился и разыскал ссылочку соответствующую.

Понятно, это у меня книжки старые по гражданским самолётным рлс, 30-ти летней давности.
Всётаки Toshiba, Fujitsu, и пр. там японцы - молодцы. На сильно-высоких частотах только они с американцами что-то производят из полупроводников.

[Lonesome Wolf]

Понятно, это у меня книжки старые по гражданским самолётным рлс, 30-ти летней давности.
Всётаки Toshiba, Fujitsu, и пр. там японцы - молодцы. На сильно-высоких частотах только они с американцами что-то производят из полупроводников.

Их центры исследовательские в Штатах, по-моему. Да и на короткие миллиметры они практически ничего не делают. Коммерчески доступное, по крайней мере. Как Фраунгофер в Германии

[andybor]

Их центры исследовательские в Штатах, по-моему. ...

Насчёт Fujitsu ничего не скажу, но полупроводниковое направление NEC-а целиком базируется в Штатах. Вообще в крупных азиатских компаниях очень любят брать на должности ведущих специалистов иностранцев, особенно американцев. Технологическая cмычка азиатов с североамериканцами даёт очень неплохие результаты, вот пример, как Фуджитса умудрилась обставить Интел, получив на 45нм в 2.5 раза более высокую производительность и в 3 раза меньшее энергопотребление:
http://www.theinquirer.net/inquirer/news/1...d-s-fastest-cpu.

[Lonesome Wolf]

UMS в Европе тоже делает неплохие вещи. Раньше, из-за доступности, только их и использовали. Народ до сих пор на них чуть ли не молится. Но я с них слез, как только возможность такая появилась. Использую кое-что, конечно, но это, скорее, исключение. Есть еще загадочные конторы типа Quinetiq и Ommic. На конференциях демонстрировали весьма недурные вещи. Но как-то не приходилось сталкиваться.

[Tuman59]

Доброго времени суток!
не могли бы подсказать человеку начинающему в этом вопросе, как измеряется характеристики скважности и длительность зондирующего импульса в приемопередающих модулях для АФАР

[tduty5]

Доброго времени суток!
не могли бы подсказать человеку начинающему в этом вопросе, как измеряется характеристики скважности и длительность зондирующего импульса в приемопередающих модулях для АФАР

Ставите ППМ перед стенкой - и что подали, то и примете. Если надо узнать, как растягивается излученный импульс - мерить антеннкой в ДЗ: а) скоростным осциллографом или б) огибающую после детектора.

[RAD1ST]

Доброго времени суток!
не могли бы подсказать человеку начинающему в этом вопросе, как измеряется характеристики скважности и длительность зондирующего импульса в приемопередающих модулях для АФАР

Здравствуйте.
Если есть осциллограф с полосой пропускания не ниже вашей несущей частоты, то через направленный ответвитель или же аттенюатор подаёте на него импульсный сигнал и измеряете период повторения и длительность импульса. Перед измерениями необходимо осциллограф за синхронизировать с ППМ.

Антенна и ППМ соединены как?