Подскажите такие модули выпускаются серийно или нет и где можно достать документацию по ним.

Фирма Raytheon уже несколько лет выпускает модули АФАР и даже умудряется собирать готовые изделия из них:
http://www.raytheon.com/capabilities/products/apg79aesa/
За ящик водки они с удовольствием поделятся с вами конструкторской документацией, а также секретами производства

ну а поскольку в основном АФАР предназначены для военых применений в открытом доступе отечественных материалов тоже мало...
например http://www.niip.ru/main.php?page=library_sky14

http://www.missiles.ru/AESA_ph_5.htm

Вот так вот вражеская разведка и узнает о новейших российских разработках двадцатилетней давности.

А какие конкретно и в какого частотного диапазона АФАРы вы имеете в виду? Естественно, техническую документацию вы нигде не найдете, но вот схемотехнику отдельных узлов, как и технологии, которые для их производства использовались, это возможно, как, например, на сайте M/A-COM, и не только.

Я думаю из этого что то собрать можно:
http://www.niipp.ru/Russian/products/integr_shottky.html
http://www.niipp.ru/Russian/products/Modul_uprav.html

А так фактически готовый модуль от Маком:
http://www.macom.com/DataSheets/MAMF-000004-DIE000.pdf
Раньше на сайте макома таких модулей было гораздо больше - на любой вкус, сейчас чего то нет ничего.

Главное это наличие цифрового фазовращателя и аттенюатора для задания необходимого распределения фазы и аплитуды сигнала в излучаемой плоскости.

Вот вам еще из отечественных источников
http://www.aeroreview.ru/?/pages/akk/akk_2...0603_022024.htm
Что-то уж совсем - выкладывают в открытый доступ.

Скорей всего из этого и собрано.

Да нет там ничего крамольного - более чем краткое описание одной из технологий сборки СБИС.
Пошарьте по интернету, найдете гораздо более подробные описания на буржуйской мове, с фотографиями, диаграммами, таблицами и пр..
Сейчас это модное направление - сборка решеток на активных модулях
Статья написана товарищами из Микран-а, фирма которая сотрудничает с "конкурентами" НИИП-а - Корпорацией "Фазотрон НИИР". Эта корпорация уже выпустила опытный образец радара с АФАР:
http://www.missiles.ru/AESA_ph_5.htm

по поводу модулей, кто нибудь располагает информацией по поводу реализации их на GaN транзисторах?

Эта технология достаточна нова, поэтому требуется некоторое время для внедрения в широкое производство. Но технологический процесс уже имеет место быть вплоть до сантиметрового диапазона http://www.cree.com/products/pdf/Cree_Foundry_Brochure.pdf. Так что, скорее всего, какой-нибудь Raytheon уже разрабатывает такие радары. А вообще - это, конечно, уникальные транзисторы с точки зрения КПД.

Eudyna GaNовские транзисторы продает. http://www.eudyna.com/e/products_e/newprod...n_hemt_era.html. Модели есть. Проектируйте. Обычный мощный высоковольтный FET, небоящийся перегрева. Или вам про GaNовские примники? Так это экзотика, они до 100 ГГц работают, потихоньку вытесняя InP.

Вообще-то вопрос требует уточнения,я имею ввиду частотный диапазон АФАР.Подразумевая,что наиболее интересен все-таки X-Band,могу сообщить,что за рубежом уже начали выпуск многофункциональных микросхем для построения ППМ для АФАР,так называемые core-chip (описание увидите во вложении)

Не очень. Обещали что заменят магнетроны в микроволновках. Обманули?

Мда-а, самое интересное, что производитель сего chip-а находится на Тайване, который ранее никак не был замечен в числе продавцов компонентов для изделий Х-диапазона
А так, просто конфетка - осталось прицепить циркулятор, усилитель мощности, пару ёмкостей по питанию и модуль АФАР готов

пока есть желание усилитель на GaN транзисторе для модуля АФАР посчитать... На Х - диапазон и чуть выше... Ватт этак на 8 -10..


насколько я понял, во вложении описание монолитки на арсениде галлия, а не нитриде, но штука интересная, спасибо..

А зачем циркулятор переключатель в модуле есть. А так выходная мощность хилая входные шумы здоровые

Переключатель - со стороны распределительно-суммирующей системы ФАР, а циркулятор нужен для развязки приемника и передатчика при работе на один излучатель. Почитайте Воскресенского, что-ли.
Насчет мощности и шумов, тоже не переживайте, существуют устройства под названием: МШУ и УМ, их можно каскадировать с подобными core-chip

Упс быстро смотрел подумал что слева на антену а где нарисованна управляюшая логика на радар.

Вы напрасно иронизируете, это очень хорошие транзисторы и будущее за ними, я ведь именно с ними и имею дело, хоть пока и не для радаров Х-диапазонов. Но уже есть MMIC на них и в этом диапазоне с КПД за 40% для УМ.

Ну так ссылку на еудину я давал, у них где-то лежали малосигнальные S-параметры. А семейство импедансов для полносигнального варианта- только за денежку и NDA. Или самому снимать- два автоматизированных трансформатора полных импедансов от Mauri, импульсный нетворканалайзер и вперед.
Модулей на GaN-е пока непредвидется- подложки в производстве слишком дороги, поэтому их ломают на активные девайсы, а пассивка делается на более дешевых материалах, чем GaN на сапфире или монокристаллические GaN-овские подложки- те вообще дороже золота намного, близки к алмазу по цене. Разве что пойдет технолгия аммонийного метода роста монокристаллов GaN,тогда может подешевеет, но это пока границы технологии.

Особого смысла проектировать гибридную схему усилителей мощности на GaN, как и других устройств, для радаров X-диапазона нет, поскольку такие устройства делаются в виде MMIC. Разве что с познавательной точки зрения, но трудновато получить модель GaN транзисторов ввиду определенных обстоятельств. Разве что скачать у Nitronex, но их корпусные транзисторы предназначены для более низкого диапазона частот сотовой связи. А так обзор достижений в этой области можно посмотреть здесь, как и работы Института Фраунгофера.

у меня пока задача "исследование возможности" а не реализация ... а что касается алмазов - видел я разработку фотоприемника с использованием природных алмазов

Про "познавательную точку зрения" можно подробней? Т.е предположим доступна технология GaN на сапфире (MOCVD или МBE). HEMT вырастить можно, фотолитография тоже проблем не составляет.
А вот как потом сделать пассивную часть схемы (микрополоски) на сапфире понять немогу. Как на эпиреди сапфир нанести металлизацию, работоспособную на частотах до 100 ГГц, тем более что стравливать GaN с лицевой стороны до сапфира технологи нехотят- очень уж он толстый- проблема с маской, а GaN в подслое проводящий- потери в микрополоске будут большие. А ломать на отдельные транзисторы нехочется- потом проблема с бондированием и теплоотводом.
Нужен совет "человека от СВЧ", а то как то "людьми от полупроводов" ничего непридумывается. Про SiC подложки интересно только теоретически- нет технологических возможностей.

С точки зрения "человека от СВЧ" могу сказать, что желательно делать на той технологии, которая более подходит для данного проектирования, а не на той, которая просто имеется, но не совсем подходит. Если же касаться технологии на сапфире, то наиболее рациональным подходом, пожалуй, можно считать не использование сапфира для пассивных элементов, а применения подходов типа SiP (System in Package), когда разные кристаллы (технологии) используется для реализации различных элементов и устанавливаются на одну подложку. Возможна также технология flip-chip для кристалла из сапфира, чтобы минимизировать влияние паразитных элементов, как-то bondwire. Но все это едва ли целесообразно использовать, поскольку усложняет и удорожает общую конструкцию, и она становится совершенно неконкурентноспособна по сравнению с образцами, сделанными теми, кому технология на SiC доступна. А познавательность я имел ввиду с точки зрения возможности понять возможности транзисторы и построения внешних цепей для реализации эффективной работы усилителя на таком транзисторе.

А, что ещё можно сказать кроме "КПД за 40% для УМ", для данного направления?
Каковы перспективы этой технологии в области малошумящих касадов для усиления, генерации сигналов? Просматривается-ли там преимущество перед нынешними технологиями?

А разве этого, то есть увеличения КПД, мало для разработки усилительных модулей? Нет универсальных технологий, каждая хороша для своих целей, поэтому и МШУ, и УМ разрабатываются по разным технологиям, требуются ведь разные характеристики. Даже, если это и существующая pHEMT технология, но и она отличается, например 0.15 μm Low Noise pHEMT для МШУ или 0.5 μm Power pHEMT для РА. Как раз GaN HEMT и предназначены заменить в перспективе LDMOSFET в усилителях мощности базовых станциях сотовых систем связи и pHEMT в усилителях мощности радарных систем.

В рекламно-профессиональной печати GaN-технологию преподносят, как перспективную замену GaAs. Видимо не всё так просто, спасибо просветили.

А как насчет этого?

100 Вт до 18 ГГц...

578 Евро, между прочим. Копейки, можно сказать...

А разве они уже продают? Вроде на сайте написано прототип...
а 100 Вт это похоже на 3.5 ГГц....

Продают полную номенклатуру GaN транзисторов, анонсированных на их сайте. Это ТАМ . Здесь тоже достать можно, если подсуетиться.

Насчет мощности - ничего подобного - специфицирована во всем диапазоне. Конечно, потрудиться придется, чтобы ее достичь. Особенно с терморежимом. Но для импульсного режима - самое оно.

Ничего себе - копейки! Если это цена за один корпус, то сколько-же будет стоить вся решётка на несколько сотен-тысяч модулей?

Так АФАР антена самая дорогая деталь в радарах последнего поколения.
(так решетка с такими параметрами нужна только военным, а они готовы столько платить)

Уважаемый коллега,на начало этого года Triquint ещё даже не начал производство этого кристалла,а привезти в Россию - не предоставляется возможным... никому!(в лучшем случае 1-10 шт)

Я делал запрос через немецких коллег. Покупать не собирался - только price-n-availability - для планирования, так сказать. Счет, как всегда, от Avnet-Memec - перед глазами.

P.S. Да, интересовался малыми количествами (10 шт.) - в силу специфики деятельности - R&D - мне много и не надо

Посмотрел еще раз на счет - валяется на столе. Указанная цена - за 10 шт. Т.е. за 100 Вт чип - всего 58 Евро.

ну тогда практически "бюджетный вариант". а не подскажите, как в России их купить можно?

Я проработал данную тему,и вот:
1.Данный кристалл тестировался на 3 ГГц!!!
2.Никто без оформления лицензии на Triquint в Россию Вам его не привезет!!!!!!!

мне вот не вполне понятно: по даташитам Values in this table are scaled from a 1.25 mm unit GaN on SiC cell at 3.5 GHz
но Frequency Range: DC - 18 GHz, при это номинальный КУ (15 дБ) - выдерживается до 13 ГГц. Какая будет выходная мощность например в диапазоне 8-12ГГц?

Знаю только одно - будучи пару лет назад на конференции, говорил с людьми из Toshiba и Eudyna - они обещали engineering prototypes 65 Вт транзисторов на верх Ku band-а в течении 2008 года. Правда, на вопрос о цене предпочитали отделываться шутками. Потом встретил сообщение - как раз в конце 2008 - о Toshiba-вском X-band метеолокатре (200 Вт) на проприетарных GaN транзисторах. Вроде как они не доступны коммерчески. Так что вопрос назревал и созревал. Разговоры ведь давно идут о неком подобии революции.
Ладно, попробуем - посмотрим. Triquint ваяет замечательные вещицы.

Вроде-бы метеолокаторы работают в другом бэнде. А X-диапазон полностью милитаризирован насегодня. А все "замечательные вещицы" от Triquint весьма ограниченно доступны

На X-band-е работает все . К примеру, maritime navigational radar на какой-нибудь яхте. А вот не поленился и разыскал ссылочку соответствующую.

Понятно, это у меня книжки старые по гражданским самолётным рлс, 30-ти летней давности.
Всётаки Toshiba, Fujitsu, и пр. там японцы - молодцы. На сильно-высоких частотах только они с американцами что-то производят из полупроводников.

Их центры исследовательские в Штатах, по-моему. Да и на короткие миллиметры они практически ничего не делают. Коммерчески доступное, по крайней мере. Как Фраунгофер в Германии

Насчёт Fujitsu ничего не скажу, но полупроводниковое направление NEC-а целиком базируется в Штатах. Вообще в крупных азиатских компаниях очень любят брать на должности ведущих специалистов иностранцев, особенно американцев. Технологическая cмычка азиатов с североамериканцами даёт очень неплохие результаты, вот пример, как Фуджитса умудрилась обставить Интел, получив на 45нм в 2.5 раза более высокую производительность и в 3 раза меньшее энергопотребление:
http://www.theinquirer.net/inquirer/news/1...d-s-fastest-cpu.

UMS в Европе тоже делает неплохие вещи. Раньше, из-за доступности, только их и использовали. Народ до сих пор на них чуть ли не молится. Но я с них слез, как только возможность такая появилась. Использую кое-что, конечно, но это, скорее, исключение. Есть еще загадочные конторы типа Quinetiq и Ommic. На конференциях демонстрировали весьма недурные вещи. Но как-то не приходилось сталкиваться.

Доброго времени суток!
не могли бы подсказать человеку начинающему в этом вопросе, как измеряется характеристики скважности и длительность зондирующего импульса в приемопередающих модулях для АФАР

Ставите ППМ перед стенкой - и что подали, то и примете. Если надо узнать, как растягивается излученный импульс - мерить антеннкой в ДЗ: а) скоростным осциллографом или б) огибающую после детектора.

Здравствуйте.
Если есть осциллограф с полосой пропускания не ниже вашей несущей частоты, то через направленный ответвитель или же аттенюатор подаёте на него импульсный сигнал и измеряете период повторения и длительность импульса. Перед измерениями необходимо осциллограф за синхронизировать с ППМ.

Антенна и ППМ соединены как?