Тонкопленочные транзисторы на аморфном кремнии, пара вопросов Опции

[BarsMonster]

Тут имеются ввиду TFT на аморфном кремнии / a-Si:H

1) Насколько у них все плохо с параметрами? Наверное я плохо искал, но не нашел насколько именно.
2) Подскажите литературу, где можно почитать про TFT на аморфном кремнии и вообще.
3) Почему обычно пленки наращивают из силана, а не прямым испарением кремния в вакууме, и где про это можно почитать :-)

В очередной раз заранее прошу прощения за нубские вопросы :-)

Сообщение отредактировал BarsMonster - Sep 16 2010, 15:56

[proxi]

помнятся полупроводники на основе стекла, тоже аморфные...мож это одно и то же..
что то у них было особенное...радиационная стойкость?

[BarsMonster]

помнятся полупроводники на основе стекла, тоже аморфные...мож это одно и то же..
что то у них было особенное...радиационная стойкость?

Да, на подложке из стекла они обычно, но ограничений вроде не много по материалу.
Особенное - свет могут пропускать, потому вероятно вы на них сейчас смотрите ;-)

[BarsMonster]

Эх, жаль нет ответов пока...

Из того что раскопал - очень большое кол-во повреждений кристаллической решетки, что частично компенсируется остающимися кусками водорода которые собственно остаются от неполного распада силана. Потому если делать из силана - все само собой получается (нужно только давление и мощность плазмы подбирать).

По характеристикам - Vgs сильно выше обычных полевиков, и параметры плывут со временем(сотни-тысячи секунд) из-за кучи настабильных обрубков в кристаллической решетке.

Сообщение отредактировал BarsMonster - Sep 22 2010, 17:29

[Leka]

Еще - очень маленькая удельная крутизна.

[azmun]

3. Почему обычно пленки наращивают из силана, а не прямым испарением кремния в вакууме, и где про это можно почитать :-)

Ключевое слово обычно... )
Плазмохимическое разложение силана (PECVD) - традиционный способ получения пленок а-Si:H. В ВЧ разряде молекулы силана в результате столкновений с горячими электронами диссоциируют на радикалы и потом эти продукты разложения осаждаются на подложку. Т.е. механизм доставки радикалов чисто диффузионный. В ряде исследований было показано что важную роль в формировании пленки а-Si:H играет радикал силил - SiH3. Из основных достоинств метода - относительная простота и высокое качество пленок. Главный недостаток - низкие скорости осаждения. Скорость пропорционально зависит от удельной мощности вкладываемой в разряд. Однако при больших мощностях качество пленок ухудшается.

Есть ряд других методов - струйный плазмохимический, струйный с активацией газа электронным пучком и др., они преследуют цель повысить скорость осаждения за счет направленного потока продуктов на подложку.

Аморфный кремний копают уже 40 лет... и полного понимания в вопросе формирования пленок на сегодняшний день, по моему, еще нет.

Из литературы можно указать следующие книги (там есть главы про приборы на основе а-Si:H):

1. Аморфные полупроводники (под ред. Бродски) М.: Мир, 1982.
2. Джоунопулос Дж., Люковски Дж. Физика гидрогенизированного аморфного кремния: Вып.1,Вып.2 1987.

[BarsMonster]

Спасибо, вопрос по способам и отличиям технологий наращивания a-Si:H закрыт.

Аморфные полупроводники (под ред. Бродски) М.: Мир, 1982.

Эх, люблю такие книги :-)
Вторую книгу пока не нашел, но конечно интересно было бы по-новее почитать :-)

Таким образом, возможно, что в недалеком будущем тонкие пленки аморфного полупроводника будут обеспечивать население всего мира недорогой, не загрязняющей окружающую среду энергией из неисчерпаемого источника

Были предложены даже сложные структуры транзисторного типа, однако на практике они еще не реализованы

:-)

Однако, нашел интересное небольшое замечение в книге: не проявляет ли случайно не-легированный/слабо легированный a-Si:H изменения оммического сопротивления под действием электрического поля, и где про это можно почитать?

Сообщение отредактировал BarsMonster - Sep 29 2010, 20:10

[BarsMonster]

После более серьёзного копания увидел, что с силаном возни немало :-)

Все-же, знает ли кто-то где можно почитать про выращивание кремния в вакууме испарением, насколько плохо все получается?