Тут имеются ввиду TFT на аморфном кремнии / a-Si:H

1) Насколько у них все плохо с параметрами? Наверное я плохо искал, но не нашел насколько именно.
2) Подскажите литературу, где можно почитать про TFT на аморфном кремнии и вообще.
3) Почему обычно пленки наращивают из силана, а не прямым испарением кремния в вакууме, и где про это можно почитать :-)

В очередной раз заранее прошу прощения за нубские вопросы :-)

помнятся полупроводники на основе стекла, тоже аморфные...мож это одно и то же..
что то у них было особенное...радиационная стойкость?

Да, на подложке из стекла они обычно, но ограничений вроде не много по материалу.
Особенное - свет могут пропускать, потому вероятно вы на них сейчас смотрите ;-)

Эх, жаль нет ответов пока...

Из того что раскопал - очень большое кол-во повреждений кристаллической решетки, что частично компенсируется остающимися кусками водорода которые собственно остаются от неполного распада силана. Потому если делать из силана - все само собой получается (нужно только давление и мощность плазмы подбирать).

По характеристикам - Vgs сильно выше обычных полевиков, и параметры плывут со временем(сотни-тысячи секунд) из-за кучи настабильных обрубков в кристаллической решетке.

Еще - очень маленькая удельная крутизна.

Ключевое слово обычно... )
Плазмохимическое разложение силана (PECVD) - традиционный способ получения пленок а-Si:H. В ВЧ разряде молекулы силана в результате столкновений с горячими электронами диссоциируют на радикалы и потом эти продукты разложения осаждаются на подложку. Т.е. механизм доставки радикалов чисто диффузионный. В ряде исследований было показано что важную роль в формировании пленки а-Si:H играет радикал силил - SiH3. Из основных достоинств метода - относительная простота и высокое качество пленок. Главный недостаток - низкие скорости осаждения. Скорость пропорционально зависит от удельной мощности вкладываемой в разряд. Однако при больших мощностях качество пленок ухудшается.

Есть ряд других методов - струйный плазмохимический, струйный с активацией газа электронным пучком и др., они преследуют цель повысить скорость осаждения за счет направленного потока продуктов на подложку.

Аморфный кремний копают уже 40 лет... и полного понимания в вопросе формирования пленок на сегодняшний день, по моему, еще нет.

Из литературы можно указать следующие книги (там есть главы про приборы на основе а-Si:H):

1. Аморфные полупроводники (под ред. Бродски) М.: Мир, 1982.
2. Джоунопулос Дж., Люковски Дж. Физика гидрогенизированного аморфного кремния: Вып.1,Вып.2 1987.

Спасибо, вопрос по способам и отличиям технологий наращивания a-Si:H закрыт.




Эх, люблю такие книги :-)
Вторую книгу пока не нашел, но конечно интересно было бы по-новее почитать :-)





:-)

Однако, нашел интересное небольшое замечение в книге: не проявляет ли случайно не-легированный/слабо легированный a-Si:H изменения оммического сопротивления под действием электрического поля, и где про это можно почитать?

После более серьёзного копания увидел, что с силаном возни немало :-)

Все-же, знает ли кто-то где можно почитать про выращивание кремния в вакууме испарением, насколько плохо все получается?