реклама на сайте
подробности

 
 
> Посоветуйте симулятор
a1exej
сообщение Jun 24 2011, 13:13
Сообщение #1





Группа: Новичок
Сообщений: 2
Регистрация: 23-06-11
Пользователь №: 65 855



Постановка задачи: есть толстая (~100-300 микрон) пластина полупроводника, в которой создано электрическое поле и имеется объемный заряд. Чем можно/чем лучше смоделировать дрейф и диффузию носителей в 3D? Т.к. операцию предстоит производить многократно для различных начальных распределений заряда, то в идеале ее хорошо бы автоматизировать, т.е. запускать симулятор в пакетном режиме. И самый интересный вопрос - где такой симулятор можно найти?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
 
Start new topic
Ответов (1 - 4)
CRADLE
сообщение Jun 24 2011, 13:23
Сообщение #2


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 32
Регистрация: 23-04-09
Пользователь №: 48 153



не пробовали пакет математика или мат.лаб, но там самому придется программировать модель, хотя может в интернете и будет что-нибудь готовое.


--------------------
разработка от Truxan
Go to the top of the page
 
+Quote Post
eugen_pcad_ru
сообщение Jun 25 2011, 13:23
Сообщение #3


Знающий
****

Группа: Свой
Сообщений: 642
Регистрация: 15-11-07
Пользователь №: 32 353



Не уверен, но мне кажется у agilent techologies есть что-то в этом роде...


--------------------
Правильно сформулированый вопрос содержит в себе половину ответа.
P.S.: Некоторые модераторы в качестве ответа так навязчиво предлагают посетить свой сайт, что иначе как саморекламу такие действия интерпретировать сложно.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
a1exej
сообщение Jun 27 2011, 05:46
Сообщение #4





Группа: Новичок
Сообщений: 2
Регистрация: 23-06-11
Пользователь №: 65 855



Цитата(CRADLE @ Jun 24 2011, 17:23) *
не пробовали пакет математика или мат.лаб, но там самому придется программировать модель, хотя может в интернете и будет что-нибудь готовое.


Спасибо за совет. Боюсь mathematica это не совсем то, что нужно. Mathematica сможет один раз решить уравнение диффузии, а тут надо считать перетекание заряда из ячейки в ячейку, т.е. видимо без метода конечных элементов не обойтись. Я знаю, что есть программы, которые могут скажем транзистор смоделировать, но тут дело в том, что задача нестандартная и слой полупроводника относительно толстый. Не налететь бы на какое-нибудь встроенное ограничение ...
Go to the top of the page
 
+Quote Post
farit_farit
сообщение Jun 27 2011, 06:25
Сообщение #5


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 20
Регистрация: 17-12-08
Пользователь №: 42 551



Можно попробовать CST DESIGN STUDIO или Ansys
Go to the top of the page
 
+Quote Post

Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 23rd July 2025 - 23:53
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01391 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016