Постановка задачи: есть толстая (~100-300 микрон) пластина полупроводника, в которой создано электрическое поле и имеется объемный заряд. Чем можно/чем лучше смоделировать дрейф и диффузию носителей в 3D? Т.к. операцию предстоит производить многократно для различных начальных распределений заряда, то в идеале ее хорошо бы автоматизировать, т.е. запускать симулятор в пакетном режиме. И самый интересный вопрос - где такой симулятор можно найти?

не пробовали пакет математика или мат.лаб, но там самому придется программировать модель, хотя может в интернете и будет что-нибудь готовое.

Не уверен, но мне кажется у agilent techologies есть что-то в этом роде...

Спасибо за совет. Боюсь mathematica это не совсем то, что нужно. Mathematica сможет один раз решить уравнение диффузии, а тут надо считать перетекание заряда из ячейки в ячейку, т.е. видимо без метода конечных элементов не обойтись. Я знаю, что есть программы, которые могут скажем транзистор смоделировать, но тут дело в том, что задача нестандартная и слой полупроводника относительно толстый. Не налететь бы на какое-нибудь встроенное ограничение ...

Можно попробовать CST DESIGN STUDIO или Ansys