реклама на сайте
подробности

 
 
> Возвратные токи в GND-слоях, и межслойные переходы для DDR2 (DDR3).
Serhiy_UA
сообщение Nov 30 2011, 10:57
Сообщение #1


Знающий
****

Группа: Свой
Сообщений: 721
Регистрация: 23-10-08
Из: next to Odessa
Пользователь №: 41 112



Есть два сигнальных слоя с цепями для DDR2 (DDR3) и два подстилающих GND-слоя.
Какая-то цепь через переходное отверстие (ПО) поступает с одного сигнального слоя на другой. Возвратный ток для этой цепи тоже должен перейти с одного подстилающего GND-слоя на другой. Но получается, что возвратный ток пройдет через ближайшее ПО, соединяющее подстилающие GND-слои. Таким образом, для возвратного тока формируется петля, и возникает соответствующая паразитная индуктивность, и как следствие, нарушается целостность сигнала DDR2 (DDR3) со всеми возможными неприятностями.
Вопрос такой.
Получается, что надо устанавливать множество ПО для связи между собой этих подстилающих GND-слоев. Какие на этот счет существует правила (или здравая стратегия/тактика)? Каков имеется опыт, и какие есть соображения?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
 
Start new topic
Ответов
cioma
сообщение Nov 30 2011, 20:07
Сообщение #2


Профессионал
*****

Группа: Свой
Сообщений: 1 226
Регистрация: 19-06-04
Из: Беларусь
Пользователь №: 65



ЭЭЭ, дюйм - это 25.4 мм
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Vlad-od
сообщение Dec 2 2011, 08:47
Сообщение #3


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 363
Регистрация: 27-07-07
Из: Voronezh
Пользователь №: 29 411



Цитата(cioma @ Nov 30 2011, 23:07) *
ЭЭЭ, дюйм - это 25.4 мм

Ага и где-то до Гига это работает.
Go to the top of the page
 
+Quote Post



Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 27th June 2025 - 18:38
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01399 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016