ВЧ усилитель мощьности Опции

[Neon_613]

Здравствуйте!
мне тут нужно собрать усилитель (диапазон от 40 до 240МГц )

при разработки первом делом надо выбрать рабочую точку

как выбрать рабочую точку?

1)есть ВАХ транзистора на ней рисуется кривая нагрузки.



потом чертим зависимость Iк от uб



и по том выбираем область uб при которых зависимость Ik=f(uб) линейная. (для класса А (АБ))

на базу подаем середину области.

только вот что я не пойму. тут же не учитываются Rэ (которым мы задаем ток) и Rк которым мы задаем смещение на выходе..


или ВАХ надо рисовать не транзистора а схемы (с Rэ и Rк)?
если без Rэ то надо добавится термо стабильности др средствами?

в книге Хоровица, Хилла этот момент как то опущен (говорят что Rк Надо брать что бы было половина питания на выходе)

2)потом читал что то типа примера, алгоритма разработки усилителя. так там выбор рабочей точки проходит след образом:

Рисуют семейство ВАХ при разных напряжениях базы.
потом говорят:
Цитата:
Рабочую точку надо выбирать таким образом, чтобы обеспечить минимум искажений сигнала при его усилении, для этого необходимо обеспечить такой режим, который будет далек от режима насыщения и области отсечки. Также необходимо обеспечить минимум энергозатрат.

я выбирают оду из ВАХ, что бы удовлетворяла их потребностям в Ik и Uk и что бы область была линейной (не пойму. на глаз что ли определят где линейна где нет?)



вот еще ни как не пойму
если в первом случае мы рассмотрели Ik=f(uб) и выбрали линейную область
то тут мы выбрали (как я понял на глаз) линейную область Ik=f(uк) при определенном значении базы.
но при подаче сигнала у нас напряжение на базе будет меняться.

и там схема


в которой мне не понятно почему нет Rк что бы сместить рабочую точку?
получается то отрицательная полу волна не сможет быть усилена? или блокирующая индуктивность имеет еще какое предназначение?

Сообщение отредактировал Neon_613 - Dec 24 2011, 18:16

[Neon_613]

Выходная мощность, питание, допустимый уровень паразитных составляющих.

Вообще мне надо собрать усилитель с мощность 3-5Вт. питание можно будет нужное подогнать. про уровень паразитных составляющих не чего не могу сказать.

Но на данном этапе мне бы понять алгоритм. в какой последовательности что делается.
Взял от NXP пару моделей и таблицы s параметров биполярных транзисторов, думаю все про моделировать. а потом собирать.

Более того, мне почему-то кажется, что здесь пришлось бы ставить полевик. Хотя 2Вт можно и на 2Т939А вытянуть.

а принцип разве не одинаковый? или для половиков по другому? (просто думал щас собрать на 0.5Вт на бфг, посмотреть есть ли различия реального усилителя и то что было с моделировано. а потом на LDMOS каком нибудь от того же NXP)
и может кто подскажет книжку какую где подробно описаны вч усилители и методы их разработки (есть пара книг так там 300 листов формул а потом готовая схема и не чего не объяснено, почему так а не иначе..)
за книгу спасибо!

Сообщение отредактировал Neon_613 - Dec 25 2011, 19:45