|
MICROWAVE POWER GaAs FET вопрос к знающим, TIM1011-15L |
|
|
|
Dec 23 2011, 12:25
|
Местный
  
Группа: Свой
Сообщений: 273
Регистрация: 18-11-08
Из: Беларусь, Минск
Пользователь №: 41 734

|
Вопрос в следующем. Собран усилитель, на малом сигнале не могу получить документированную полосу с дкументированным усилением, на заданном в pdf токе, нормальная ли это ситуация для данного типа транзисторов (оно еще и внутренне согласовано). Пока что предположу что с обвесом и со схемой вокруг все в порядке. Мечтается услышать мнения. Может быть мне стоит начать сомневаться в нормальности цепей вокруг микросхемы :-).
--------------------
Многие вещи нам непонятны не потому, что наши понятия слабы; но потому, что сии вещи не входят в круг наших понятий. Мелочи не имеют решающего значения, мелочи решают все. Оставайся батарейкой в чужой схеме, или изучай media-mera ru Каждый в меру понимания работает на себя, в меру непонимания - на того, кто понимает больше. И хитрили они, и хитрил Бог, а Бог -- лучший из хитрецов.
|
|
|
|
|
 |
Ответов
|
Dec 23 2011, 16:09
|
     
Группа: Участник
Сообщений: 3 650
Регистрация: 1-02-09
Из: Киев
Пользователь №: 44 237

|
С полевиками не работал, но в биполярах за счет прогрева даже за время действия импульса в несколько микросекунд видно было, как меняется согласование. 2Т986А вообще ничего не усиливал, если ему в эмиттер (исправил) Ватт 100 не задуть. Здесь возможно нелинейный режим отличается от линейного. И транзистор является относительно хорошо согласованным только в нелинейном режиме, да и еще после самопрогрева. Документацию более подробную врядли можно найти - Тошибовцам не могло и в голову прийти, что кто-то будет микроскопом гвозди забивать - мощный транзистор использовать на малых мощностях. Что касается согласования еще. Несмотря на согласованность транзистора на таких частотах вступает в игру технология и конструкция - переходные, пузыри между экраном и корпусом, галтели на разъемах, зазоры между платами, индуктивности соединений, емкости полосков от места запайки/заварки соединительной межплатной ленточки до края платы - набирается куча реактивностей. Поэтому сам тракт уже не 50 Ом. Все равно придется согласовывать. Вот поэтому и делают такие вещи http://electronix.ru/forum/index.php?act=a...st&id=45525 , http://electronix.ru/forum/index.php?act=a...st&id=47435 это отсюда http://electronix.ru/forum/index.php?showt...st&p=780867 и отсюда http://electronix.ru/forum/index.php?showt...st&p=806498 - обратите внимание на винты на полозьях на крышках - те, которые законтрены в обоих постах зеленым лаком. И даже в платах со сплошными вентилями, не смотря на внутрисогласованность транзисторов все равно приходится подсогласовывать - фольговые нашлепки на полоске http://electronix.ru/forum/index.php?act=a...st&id=45255 отсюда http://electronix.ru/forum/index.php?showt...st&p=776443 . Технология, разброс. Если включили и сразу работает - значит где-то серьезный глюк, так быть не должно. (Шутка, конечно)
Сообщение отредактировал ledum - Dec 23 2011, 16:22
|
|
|
|
|
Dec 26 2011, 11:34
|
Местный
  
Группа: Свой
Сообщений: 273
Регистрация: 18-11-08
Из: Беларусь, Минск
Пользователь №: 41 734

|
Цитата(ledum @ Dec 23 2011, 19:09)  С полевиками не работал, но в биполярах за счет прогрева даже за время действия импульса в несколько микросекунд видно было, как меняется согласование. 2Т986А вообще ничего не усиливал, если ему в эмиттер (исправил) Ватт 100 не задуть. Здесь возможно нелинейный режим отличается от линейного. И транзистор является относительно хорошо согласованным только в нелинейном режиме, да и еще после самопрогрева. Документацию более подробную врядли можно найти - Тошибовцам не могло и в голову прийти, что кто-то будет микроскопом гвозди забивать - мощный транзистор использовать на малых мощностях. Что касается согласования еще. Несмотря на согласованность транзистора на таких частотах вступает в игру технология и конструкция - переходные, пузыри между экраном и корпусом, галтели на разъемах, зазоры между платами, индуктивности соединений, емкости полосков от места запайки/заварки соединительной межплатной ленточки до края платы - набирается куча реактивностей. Поэтому сам тракт уже не 50 Ом. Все равно придется согласовывать. Вот поэтому и делают такие вещи http://electronix.ru/forum/index.php?act=a...st&id=45525 , http://electronix.ru/forum/index.php?act=a...st&id=47435 это отсюда http://electronix.ru/forum/index.php?showt...st&p=780867 и отсюда http://electronix.ru/forum/index.php?showt...st&p=806498 - обратите внимание на винты на полозьях на крышках - те, которые законтрены в обоих постах зеленым лаком. И даже в платах со сплошными вентилями, не смотря на внутрисогласованность транзисторов все равно приходится подсогласовывать - фольговые нашлепки на полоске http://electronix.ru/forum/index.php?act=a...st&id=45255 отсюда http://electronix.ru/forum/index.php?showt...st&p=776443 . Технология, разброс. Если включили и сразу работает - значит где-то серьезный глюк, так быть не должно. (Шутка, конечно) Просто не могу себе представить, почему в режиме когда он ест по паспарту 4.5 А, с крутизной характеристики в 3000 мS он не должен усиливать малый сигнал, хотябы предположим 8-10 dbm :-? ( ситуацию когда ксв 20 пока не рассматриваем) Если кто-то может прояснить темному физические основые этого процесса, буду благодарен. Прогрев можно исключить 9В, 4-5А, 50-60 градусов минимум, на грани неудержания корпуса пальцем. При том что каскад до этого, запаян и сделан точно так же.. 4 вт из себя извергает.. без вопросов.. и на малом сигнале усиливает, при чем, из той же линейки устройство...вобщем пошел делать фотки ибо пока что бубен на коленях лежит ^_^.
--------------------
Многие вещи нам непонятны не потому, что наши понятия слабы; но потому, что сии вещи не входят в круг наших понятий. Мелочи не имеют решающего значения, мелочи решают все. Оставайся батарейкой в чужой схеме, или изучай media-mera ru Каждый в меру понимания работает на себя, в меру непонимания - на того, кто понимает больше. И хитрили они, и хитрил Бог, а Бог -- лучший из хитрецов.
|
|
|
|
Сообщений в этой теме
Hitokiri MICROWAVE POWER GaAs FET вопрос к знающим Dec 23 2011, 12:25 V_G Найдите где-нибудь файл его s-параметров (*.s2p) и... Dec 23 2011, 12:49 Valery_Vlad Схему бы показали...?! Dec 23 2011, 13:13  Hitokiri Цитата(Valery_Vlad @ Dec 23 2011, 16:13) ... Dec 23 2011, 13:59   Proffessor Цитата(Hitokiri @ Dec 23 2011, 15:59) я п... Dec 23 2011, 14:50    Hitokiri Цитата(Proffessor @ Dec 23 2011, 17:50) Н... Dec 23 2011, 15:04     ser_aleksey_p Цитата(Hitokiri @ Dec 23 2011, 19:04) Сог... Dec 30 2011, 11:22 ser_aleksey_p Цитата(Hitokiri @ Dec 23 2011, 16:25) Воп... Dec 23 2011, 15:20 serega_sh____ Цитата(ser_aleksey_p @ Dec 23 2011, 19:20... Dec 26 2011, 12:47 Hitokiri Цитата(serega_sh____ @ Dec 26 2011, 15:47... Dec 26 2011, 13:08 ser_aleksey_p Цитата(serega_sh____ @ Dec 26 2011, 16:47... Dec 26 2011, 20:18  Proffessor В даташите коэффициент усиления приводится для пол... Dec 27 2011, 11:24   Hitokiri Цитата(Proffessor @ Dec 27 2011, 14:24) В... Dec 29 2011, 07:47    ser_aleksey_p Хорошенькая очепятка.
Может и АЧХ очепятана tim101... Dec 29 2011, 16:13     Proffessor Цитата(ser_aleksey_p @ Dec 29 2011, 18:13... Dec 30 2011, 09:38
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0
|
|
|