Ищется транзистор, SOT-23, N-Chanel, VDSS >=120V, открывающийся при 2в Опции

[misyachniy]

Ищется транзистор.
SOT-23, N-Chanel, VDSS >=120V, открывающийся при 2в

Нашел только IRF5801.
Корпус побольше да и открывается гарантировано от 3-х вольт.

Хочется SOT-23 или около того, чтобы с микроконтроллера 3,3 вольтовым сигналом пошимить.

Есть что либо широкораспротраненное и доступное?

[Alex Nem]

по параметрическому поиску можно посмотреть в линейки APEC

http://www.a-power.com.tw/index.aspx?lang=..._list&no=20

[misyachniy]

по параметрическому поиску можно посмотреть в линейки APEC
http://www.a-power.com.tw/index.aspx?lang=..._list&no=20

Я уже остановился на MSP42A.
Его работа меня удивила.

Пока не приобрел его, экспериментировал с BC847. ШИМ от микроконтроллера с 5 вольтовым питанием.
Затем впаял вместо него MSP42A.
Схема не заработала.

На токоограничивающем резисторе в базе "красивые" импульсы, а собственно на базе 0,7 вольт постоянного напряжения.
Уменьшил сопротивление до 2К не помогло.
В документации написано, что насыщение база-эмитер 0,9 вольт при токе 2 мА.
По идее уже должен был работать.

Когда поставил делитель с ШИМ вывода микроконтроллера из двух резисторов по 300 ом и подключил базу к середине резистора то схема заработала.

Граничная частота транзистора 50МГц, паразитные емкости должны быть небольшими.
При моделировании с резистором 2К в базе схема работает.
Не понятно почему пришлось вкачивать в базу такой большой ток?

[dinam]

Смотрю на datasheet MPSA42 емкость база-эмиттер порядка 65 пФ, что почти на порядок больше BC847. Плюс ещё время рассасывания явно большое.
Хотя если моделирование показывает, что должно быть нормально, то странно. А по маркировке на корпусе этот транзистор именно MPSA42?

[Пушкарев Михаил]

BC847 и MPSA42 - это совершенно разные транзисторы. У второго в 2,5 раза больше максимально допустимый постоянный ток, в 6 с лишним раз больше граничное напряжение коллектор-эмиттер. Как следствие, у него значительно больше площадь кристалла, меньше коэффициент усиления в режиме насыщения. Автор пытался заставить работать его в ключевом режиме при базовом токе 2 мА (первоначально, похоже, и еще при меньшем). А это при коэффициенте усиления 10 дает ток коллектора только 20 мА. При чем в конкретном случае емкости переходов? Импульсные свойства биполярных транзисторов определяются в основном временем рассасывания. Кстати, моделируетмя работа биполярного транзистора в режиме насыщения не удовлетворительно, мягко говоря.

Сообщение отредактировал Пушкарев Михаил - Jan 14 2012, 11:18