Параметры моделирования в библиотеке Опции

[SII]

В порядке изучения MG Expedition слепил свою центральную библиотеку и ввёл несколько компонентов, причём пока это только разъёмы. В Part Editor'е красным выделено свойство IBIS -- как понимаю, требуется обязательно задать соответствующую модель, чтобы компонент был полностью завершён (все галки автопроверок в Property Verification, кроме Design Entry и PCB, у меня сброшены). В связи с этим возникает первый вопрос: что IBIS-модель описывает для разъёма? Ведь она вроде как предназначена для Input-Output Buffer, а разъём сам по себе таковым не является... (Замечу, что в моделировании я полный дуб и пока лишь пытаюсь вникнуть в самые азы).

Второй вопрос связан с параметрами переходных отверстий. Как я увидел, можно указать индуктивность, ёмкость и задержку сигнала. Как их считать? Для индуктивности я формулу нашёл, а вот для остального... И вообще, где можно найти теорию по всем этим вопросам? Понятно, что всё это сказывается лишь на высоких частотах, но хочется изучить "для общего развития", да и пригодиться в будущем вполне может...

Сообщение отредактировал SII - Jan 22 2012, 15:51

[SII]

По первому пункту. Получается, в Library Manager поля моделей для разъёмов (не только IBIS, но и других, если включены соответствующие галки проверки свойств) не заполняются, поскольку заранее нельзя сказать, к чему они будут подключены, а заполнение этих свойств выполняется уже на схеме, если её надо моделировать? (Ведь разъёмы сами по себе, до включения в какую-либо схему -- вещи универсальные, к конкретным источникам-приёмникам не привязанные). Меня-то смутило то, что эти свойства выделены красным, т.е. как бы считаются обязательными...

Во второму пункту. Откуда взять параметры, теперь понятно. Однако возникает другой вопрос: зачем нужны соответствующие атрибуты в Library Manager, если HyperLynx сам считает? Ведь, насколько понимаю, он может взять готовую схему вместе с готовой топологией, и все эти паразитные индуктивности-ёмкости (что переходных отверстий, что самих дорожек) посчитать самостоятельно, увязать с моделями компонентов и выполнить полное моделирование? С этой точки зрения, как мне кажется, нужно задавать лишь параметры используемых материалов (толщины слоёв меди, толщины и свойства диэлектрика платы).