Есть опторазвязанный ключ на MOSFET. Используется для развязки ШИМ-сигнала. Частота ШИМ 150...1000 Гц. В последнем неисправном экземпляре обнаружил КЗ на участке G-D. Ранее были пару случаев пробоя на участке G-S. Задача - защитить от пробоев последующие экземпляры. Прошу совета. И еще такой момент. Если принять во внимание, что провода питания имеют длинну более 10 м, а провода нагрузки (тот диод с резистором имитируют светодиодную ленту) имеют длинну 10 м, то может ли их индуктивность стать причиной пробоя? Спасибо.
Есть опторазвязанный ключ на MOSFET. Используется для развязки ШИМ-сигнала.
Не гоняйте питание и мощные сигналы по линии. Передавайте по ней только сигнал к светодиоду оптрона. А сам этот ключ ставьте рядом с лентой и от местного источника запитывайте.
Как защитить MOSFET от пробоя в цепи затвора
Feb 27 2012, 11:58
