Как защитить MOSFET от пробоя в цепи затвора Опции

[smk]

Есть опторазвязанный ключ на MOSFET. Используется для развязки ШИМ-сигнала. Частота ШИМ 150...1000 Гц. В последнем неисправном экземпляре обнаружил КЗ на участке G-D. Ранее были пару случаев пробоя на участке G-S. Задача - защитить от пробоев последующие экземпляры. Прошу совета. И еще такой момент. Если принять во внимание, что провода питания имеют длинну более 10 м, а провода нагрузки (тот диод с резистором имитируют светодиодную ленту) имеют длинну 10 м, то может ли их индуктивность стать причиной пробоя? Спасибо.

[kovigor]

Есть опторазвязанный ключ на MOSFET. Используется для развязки ШИМ-сигнала.

Не гоняйте питание и мощные сигналы по линии. Передавайте по ней только сигнал к светодиоду оптрона. А сам этот ключ ставьте рядом с лентой и от местного источника запитывайте.

[smk]

Не гоняйте питание и мощные сигналы по линии. Передавайте по ней только сигнал к светодиоду оптрона. А сам этот ключ ставьте рядом с лентой и от местного источника запитывайте.

Так оно обычно и делается, но вот тут люди самовольно удлиннили провода питания и уже второй ключик накрылся. Я в симуляторе прикинул - влияние индуктивности провода вполне могло приводить к выбросам в питание более 25 В. Собственно интересуют советы по защите полевика.

[Proffessor]

Так оно обычно и делается, но вот тут люди самовольно удлиннили провода питания и уже второй ключик накрылся. Я в симуляторе прикинул - влияние индуктивности провода вполне могло приводить к выбросам в питание более 25 В. Собственно интересуют советы по защите полевика.

Диод Шоттки (амперный, напр.10BQ040) со стока на землю плюсом.

[smk]

Диод Шоттки (амперный, напр.10BQ040) со стока на землю плюсом.

Так изоляция затвора пробивается.