Параллельное соединенение кристаллов транзистора, Сложение мощности при параллельном соединении кристаллов МОП транз-в Опции

[Stefan1]

Здравствуйте! У меня вопрос: какие существуют ограничения при параллельном сложении мощности от нескольких мощных СВЧ полевых кристаллов транзистора? Есть ли здесь эффекты аналогичные поперечной неустойчивости, как в биполярном транзисторе? Схема приведена на рисунке.

Сообщение отредактировал Stefan1 - Dec 13 2011, 11:14

Прикрепленные файлы

 Doc2.doc ( 722.5 килобайт ) Кол-во скачиваний: 69

 

[alekssan]

В полевом транзисторе канал открывается и управляется поперечным электрическим полем и что бы не было в канале полевика зон мешающих открытию канала делается равномерное подлегирование затвора и равномерная металлизация на затворе. Это что касается структуры.
Что бы с наименьшими проблемами объединить несколько кристаллов их нужно получить как минимум из одной партии, а лучше что бы они были из одной выращенной структуры. Тогда разброс параметров будет минимальным и сопротивления каналов, емкостей и всего остального в структуре будет наиболее близким друг к другу.
При монтаже на радиатор нужно, что бы все кристаллы были качественно напаяны с полной смачиваемостью подложки кристалла, это обеспечит равномерное отведение тепла без появления зон перегрева. И еще одно равномерно распределяйте по металлизации контактные нити.
Если же кристаллы из разных партий, то здесь начинаются сложности и все зависит уже от структуры кристаллов и оборудования на котором делали. Или изворачиваться, искать различия, как влияют и выравнивать параметры.
А на сколько мощные?

[Stefan1]

В полевом транзисторе канал открывается и управляется поперечным электрическим полем и что бы не было в канале полевика зон мешающих открытию канала делается равномерное подлегирование затвора и равномерная металлизация на затворе. Это что касается структуры.
Что бы с наименьшими проблемами объединить несколько кристаллов их нужно получить как минимум из одной партии, а лучше что бы они были из одной выращенной структуры. Тогда разброс параметров будет минимальным и сопротивления каналов, емкостей и всего остального в структуре будет наиболее близким друг к другу.
При монтаже на радиатор нужно, что бы все кристаллы были качественно напаяны с полной смачиваемостью подложки кристалла, это обеспечит равномерное отведение тепла без появления зон перегрева. И еще одно равномерно распределяйте по металлизации контактные нити.
Если же кристаллы из разных партий, то здесь начинаются сложности и все зависит уже от структуры кристаллов и оборудования на котором делали. Или изворачиваться, искать различия, как влияют и выравнивать параметры.
А на сколько мощные?

Порядка 30 Вт с кристалла на частоте 1 ГГц.
Вы перечислили ряд технологических проблем, которые препятствуют сложению кристаллов. А что касается физики, чем страшен этот разброс?
Как я понимаю основная причина - просто снижение выходного тока одного из транзисторов или есть еще какие-то нюансы?

Ведь даже в зарубежных транзисторах существует борьба с тем, чтобы выравнивать потенциал на входе и выходе с каждого кристалла. Т.е. на разных кристаллах может быть разное выходное (входное) напряжение. Вот как раз я и интересуюсь, чем это вызвано и какие еще могут быть проблемы при параллельном сложении.