реклама на сайте
подробности

 
 
> Импульсный режим GaN транзисторов
oleg_uzh
сообщение Mar 12 2012, 08:23
Сообщение #1


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 239
Регистрация: 2-03-06
Из: г. С-Пб
Пользователь №: 14 871



Добрый день всем. Возникла сложность при реализации импульсного режима работы GaN транзисторов. Сложность состоит в том, что питание GaN транзисторов составляет 28 В. Для открытия модулирующим мощным n-канальным полевиком включенным по схеме общий исток, на затвор его необходимо подать еще больше напряжение, не меньше 33 В. Соответственно необходимо городить целый огород для модулирующего полевика. Мощные р-канальные полевики медленее (то есть не подходят). Может есть какой-нибудь драйвер управления GaN транзистором ? Заранее спасибо.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
 
Start new topic
Ответов
Aner
сообщение Mar 12 2012, 10:52
Сообщение #2


Гуру
******

Группа: Свой
Сообщений: 4 869
Регистрация: 28-02-08
Из: СПБ
Пользователь №: 35 463



Что за транзистор у вас, тип укажите (наверное от Nitronexa), и как это на затвор еще большее напряжение? Поясните.
Как у вас согласование сделано? Низкое сопротивление модулируещего в высокое на затворе? Какой диапазон частот у вас?
Go to the top of the page
 
+Quote Post



Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 25th July 2025 - 13:23
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.0133 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016