Светодиодная фотовспышка, Как отказаться от ИФК-120? Опции

[DVF]

Передо мной стои задача сделать устройство, в котором предполагается использовать лампу типа ИФК-120. Но душа к ней не лежит, а лежит к светодиодной технологии. Отсюда вопрос, реально ли получение той же или близкой к ней мощности излучения и длительности? Другими словами заменить ИФК-120. Хотя, длительность можно немного и затянуть. Честно говоря, не замерял длительность вспышки в штатном режиме на фотоаппарате, поэтому мне достаточно визуальное совпадение.
Вспышки не со скоростями стробоскопа - одна на 10сек (самое частое).
Подойдет ли для этих целей SP7685 или есть более "правильное" решение? А, если осчастливите схемотехническим решением, так счатья этого мне хватит на ближайшие полгода ))

Сообщение отредактировал DVF - Mar 26 2012, 18:57

[DVF]

Если в течение пары десятков секунд засвечивать (на просвет) матовое оргстекло (диаметр 40мм) 6-ю 0,5Вт белыми св.диодами , на котором непрозрачный объект, то по истечение этой засветки в мозге остается последовательный образ (в зависимости от окружающего фона отрицательный или положительный - как "зайчик" после взгляда на дуговую сварку). Тех же результатов получается добиться за короткую вспышку ИФК (пусть даже с половинной мощностью). Отсюда и мечта - применить в режиме вспышки св.диоды.
Накопал такой модуль, но даже с 3-х кратным током в импульсе - это всего 3кЛм.
Кстати, zцner, это где можно накопать ИФК-120? Я так понимаю, речь об импортных аналогах, ведь, отечественные давно уже не выпускают?

Сообщение отредактировал DVF - Mar 26 2012, 20:26

[AlexeyW]

Тех же результатов получается добиться за короткую вспышку ИФК (пусть даже с половинной мощностью). Отсюда и мечта - применить в режиме вспышки св.диоды.

Такой эффект вообще от любых зрительных объектов возникает, известное дело. Сопоставлять мощность по "послесвечению" можно только, если длительности вспышек много меньше 1/20 с, либо если они одинаковы. Но проще, наверное, взять цифровой фотик.

а если не перегревать (можно считать что импульсы одиночные например раз в минуту, длительность меньше 1мс) ?

Если для полевых транзисторов эта зависимость обратная и шнурования тока там нет по определению, то и характерные кривые энергии от длительности там примерно соответствуют теплоемкости кристалла и теплоотвода для нагрева до примерно 200 градусов. А если для диодов оговаривается только 5-кратный ток - думаю, это не просто так. Но прямых экспериментов не делал. Наверное, самая простая схемотехника для такого опыта - цепь из ключа, емкости и индуктивности (обе величины варьировать).