Dual-gate RF Mosfet в кач-ве аналогового ключа. Опции

[dortonyan]

Привет всем.
Собираюсь построить УВХ интегрирующего типа по 2-х ключевой схеме. Обычно для таких целей применяют либо D-mos ключи, либо J-fet, но подходящие ключи такого типа нынче редкость, и зачастую довольно дороги.
Зато сейчас полно двухзатворных RF мосфетов, например BF9xx от NXP, и стоит вопрос их применимости в кач-ве ключей УВХ. Такие транзисторы привлекают крайне малыми межэлектродными емкостяси при относительно малом сопротивлении открытого канала, а также малым размахом управляющего напряжения. Но такие хар-ки документированы в случае стандартного включения, т.е. когда на второй затвор подано постоянное напряжение. Смущает возможность большого тока утечки закрытого канала в таком включении. Может кто пользовал полевики такого типа в кач-ве аналоговых ключей, или есть какая-то инфа по этому вопросу?

[dortonyan]

Да я в курсе, что не предполагают. Видел схему УВХ на 2SK241, которые тоже позиционируются как RF усилители. Я бы и пользовал аналогичные транзисторы, но им на смену пришли двухзатворные усилители, которые видимо удобнее для построения модуляторов.
А ток утечки как для RF транзисторов, так и для ключей прямо нигде не указывают. В документациях пишут только номинальное напряжение запирания ключа при токе стока 1..10uA. Конечно если увеличить запирающий потенциал, то ток утечки по идее соот-но уменшится, но прямо это нигде не указано.
В общем, раз такое мутное дело - надо макетировать, пробовать.