Вопросы по Agilent ADS Опции

[vIgort]

Добрый день!
Может кто подскажет есть ли в ADS (schematic) элемент аналогичный MSSTEPX в MWO?
Или как добавить смещение микрополосок друг относительно друга в схематике?

И еще подскажите, пожалуйста, при проектиовании многослойной платы в Layout (в том же ADS) проводники и полигоны на разных слоях можно задавть только через Insert Path?
У меня пока только через этот вариант получается.

Заранее спасибо.

[N1cR]

Такой вопрос. В окне Shcematic можно задавать вид модели импортированного из Layout элемента. Есть варианты "emModel" и "Layout".
Не совсем понимаю что это и чем они отличаются ? При смене этой настройки результаты нехило отличаются. В каких случаях надо задавать emModel, и в каких "Layout" ???

[ser_aleksey_p]

Такой вопрос. В окне Shcematic можно задавать вид модели импортированного из Layout элемента. Есть варианты "emModel" и "Layout".
Не совсем понимаю что это и чем они отличаются ? При смене этой настройки результаты нехило отличаются. В каких случаях надо задавать emModel, и в каких "Layout" ???

Все зависит от того, что Вы хотите посмотреть или посчитать. Данная опция позволяет оперативно переключаться между функциями. Поясню на своем примере.
Надо разработать фильтр. В схематике он считается быстрее, в Layout - точнее. Сначала делаем схему:

Из этой схемы генерируем топологию, параметризуем ее (назовем "параметры по умолчанию") и задаем условия симуляции (кнопка "ЕМ в окошке"):

Затем создаем схему анализа:


Теперь ответ на Ваш вопрос:
1. Если выберете Schematic, то анализироваться будет схема по картинке 1.
2. Если выберете Layout, то анализироваться будет, якобы, топология по картинке 2.
3. Если выберете emModel, то анализироваться будет схема, точнее говоря - топология, по картинке 3.

Отличие топологий картинки 2 и картинки 3 (emModel) в том, что в картинке 2 модель построена по параметрам, заданным по по умолчанию, и они не изменяются, даже если в картинке 3 Вы поменяли какие-либо значения параметров. Причем расчет будет вестись в соответствии с тем, какие "элементы" на картинке 2 нарисованы - а это топологическое изображение схемных элементов. Т.е. картинка 1 и картинка 2 - это одно и тоже. Значения параметров по умолчанию используются только для построения символа модели.
Если Вы запускаете анализ emModel, то, после нажатия кнопки, в дереве проекта создадутся временные файлы модели с натуральными размерами по заданным параметрам и условиями симуляции.


Топологию с натуральными размерами можно получить, сгенерировав Layout картинки 3 (emModel).

Различие в результатах анализа тем больше, чем меньше соответствие электромагнитной модели схемной.

[N1cR]

Все зависит от того, что Вы хотите посмотреть или посчитать. Данная опция позволяет оперативно переключаться между функциями. Поясню на своем примере.
Надо разработать фильтр. В схематике он считается быстрее, в Layout - точнее. Сначала делаем схему:

Из этой схемы генерируем топологию, параметризуем ее (назовем "параметры по умолчанию") и задаем условия симуляции (кнопка "ЕМ в окошке"):

Затем создаем схему анализа:


Теперь ответ на Ваш вопрос:
1. Если выберете Schematic, то анализироваться будет схема по картинке 1.
2. Если выберете Layout, то анализироваться будет, якобы, топология по картинке 2.
3. Если выберете emModel, то анализироваться будет схема, точнее говоря - топология, по картинке 3.

Отличие топологий картинки 2 и картинки 3 (emModel) в том, что в картинке 2 модель построена по параметрам, заданным по по умолчанию, и они не изменяются, даже если в картинке 3 Вы поменяли какие-либо значения параметров. Причем расчет будет вестись в соответствии с тем, какие "элементы" на картинке 2 нарисованы - а это топологическое изображение схемных элементов. Т.е. картинка 1 и картинка 2 - это одно и тоже. Значения параметров по умолчанию используются только для построения символа модели.
Если Вы запускаете анализ emModel, то, после нажатия кнопки, в дереве проекта создадутся временные файлы модели с натуральными размерами по заданным параметрам и условиями симуляции.


Топологию с натуральными размерами можно получить, сгенерировав Layout картинки 3 (emModel).

Различие в результатах анализа тем больше, чем меньше соответствие электромагнитной модели схемной.

Теперь я объясню на примере ))) Рисуем 2-е 50Ом линии в окне Layout. Одну рисуем с помощью элементов из библиотеки TLines Microstrip, а другую с помощью инструмента "Polygon" вручную. Подсоединяем порты, считаем, сохраняем емМодели. Открываем в окне Schematic обе модели. В способе счета и там и там выбираем допустим Layout. Считаем. В линии, нарисованной с помощью элементов библиотеки, параметр КСВн близок к реальному. (есть реальное изделие и анализатор цепей). В линии, нарисованной вручную, этот параметр на всем диапазоне чистая единица. Такое невозможно.

Делаем наоборот, ставим обеим линиям считать как emModel. Результаты одинаковые, но опять же далеки от реальности, причем до обсурда. КСВн сильно больше измеренного на приборе (а ведь есть еще разьемы, увеличивающие это значение).

Выходит единственный правильный способ - это рисовать топологию только библиотечными элементами, и потом считать как Layout ? зачем тогда нужны инструменты для ручного рисования топологии, раз рисованные ими устройства считаются неверно ?

Так же стоит вопрос о способах калибровки портов. Для чего TML, в каких случаях None и т.д.

Сообщение отредактировал N1cR - Aug 27 2012, 06:58

[ser_aleksey_p]

Выходит единственный правильный способ - это рисовать топологию только библиотечными элементами, и потом считать как Layout ? зачем тогда нужны инструменты для ручного рисования топологии, раз рисованные ими устройства считаются неверно ?

Ну нарисовал библиотечный и ручной элемент:


Создал схему измерений:


Программа посчитала и выдала для обеих цепей абсолютно одинаковый результат:


В схеме сделал такой же полосок:


И вот Вам два графика КО: ЕМ и схемный расчет. В КСВН-ах разницу будет трудно увидать: