|
Замеры тестовых структур |
|
|
|
Apr 8 2012, 10:51
|
Частый гость
 
Группа: Участник
Сообщений: 77
Регистрация: 4-11-09
Пользователь №: 53 413

|
Правильным ли будет для измерения удельного поверхностного сопротивления с помощью фигур Ван-дер-Пау использовать один канал источника-измерителя (например, Keithley 2602), у которого есть возможность использовать четырехпроводную схему измерения? Если стандартный вариант, насколько понимаю, то ток через фигуру (крест) подают не по диагонали, а через ее угол (два соседних контакта, а не противоположных). Напряжение измеряют, соответственно, на другом углу. Если использовать четырехпроводную схему, то провода HI, LO, SHI и SLO источника-измерителя, вроде как, можно подать таким же образом, что я и сделал. Но сопротивления четырехпроводного и обычного методов получил разные.
|
|
|
|
|
 |
Ответов
|
Jun 30 2012, 21:13
|
Частый гость
 
Группа: Участник
Сообщений: 77
Регистрация: 4-11-09
Пользователь №: 53 413

|
Виноват, косячнул с вопросом. Все замеряется. На два соседних контакта фигуры подаем ток 0,4532 мА, с двух других снимаем напряжение в миливольтах, умножаем на 10 и получаем омы на квадраты. А ступил я в том, что на приборе поставил замер не напряжения, а сразу сопротивления.
Ток 0,4532 мА - из формулы Rs = (pi/ln2)*R, если мы хотим немного упростить себе работу и нагло умножать каждый результат на 10 для получения удельного поверхностного сопротивления. (это я для себя и для тех, кто с замером тестовых структур пока что на Вы).
Сообщение отредактировал Пацаев - Jun 30 2012, 20:58
|
|
|
|
|
Aug 30 2012, 19:20
|
Частый гость
 
Группа: Участник
Сообщений: 77
Регистрация: 4-11-09
Пользователь №: 53 413

|
МОП-транзисторы в тестовой полоске можно располагать как отдельно друг от друга (каждый транзистор имеет независимые контактные площадки), так и с совмещенными площадками (например, затвор, исток, подложка общие, сток у каждого МОПТ свой). Кто-нибудь встречал при замерах влияние одних транзисторов на другие при совмещении? Если партия вышла удачная, утечки тока сток-исток (а может, сток-карман) небольшие, влияние вряд ли заметно. Вопрос в том, есть ли причины к созданию отдельных тестовых транзисторов, не обращая внимание на сокращение рабочей площади кристалла?
|
|
|
|
Сообщений в этой теме
Пацаев Замеры тестовых структур Apr 8 2012, 10:51   TiNat Цитата(Пацаев @ Aug 30 2012, 21:20) МОП-т... Sep 18 2012, 09:27    Пацаев Цитата(TiNat @ Sep 18 2012, 13:27) когда ... Sep 18 2012, 18:08     TiNat Нет, не совмещение фотошаблонов. Вы правы, полного... Sep 19 2012, 17:47      Пацаев Цитата(TiNat @ Sep 19 2012, 21:47) мы нес... Sep 19 2012, 19:57       TiNat Цитата(Пацаев @ Sep 19 2012, 21:57) Т.е. ... Sep 20 2012, 18:13        Пацаев Цитата(TiNat @ Sep 20 2012, 22:13) Мы так... Sep 21 2012, 03:31         TiNat Цитата(Пацаев @ Sep 21 2012, 05:31) Что-т... Sep 21 2012, 09:13
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0
|
|
|