реклама на сайте
подробности

 
 
> Замеры тестовых структур
Пацаев
сообщение Apr 8 2012, 10:51
Сообщение #1


Частый гость
**

Группа: Участник
Сообщений: 77
Регистрация: 4-11-09
Пользователь №: 53 413



Правильным ли будет для измерения удельного поверхностного сопротивления с помощью фигур Ван-дер-Пау использовать один канал источника-измерителя (например, Keithley 2602), у которого есть возможность использовать четырехпроводную схему измерения? Если стандартный вариант, насколько понимаю, то ток через фигуру (крест) подают не по диагонали, а через ее угол (два соседних контакта, а не противоположных). Напряжение измеряют, соответственно, на другом углу. Если использовать четырехпроводную схему, то провода HI, LO, SHI и SLO источника-измерителя, вроде как, можно подать таким же образом, что я и сделал. Но сопротивления четырехпроводного и обычного методов получил разные.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
 
Start new topic
Ответов
Пацаев
сообщение Apr 9 2012, 05:48
Сообщение #2


Частый гость
**

Группа: Участник
Сообщений: 77
Регистрация: 4-11-09
Пользователь №: 53 413



Очень неинтересный вопрос? Или я не в том разделе спрашиваю.. Вроде, замер тестовых структур напрямую к технологии и разработке относится sad.gif
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Пацаев
сообщение Jun 30 2012, 21:13
Сообщение #3


Частый гость
**

Группа: Участник
Сообщений: 77
Регистрация: 4-11-09
Пользователь №: 53 413



Виноват, косячнул с вопросом. Все замеряется. На два соседних контакта фигуры подаем ток 0,4532 мА, с двух других снимаем напряжение в миливольтах, умножаем на 10 и получаем омы на квадраты. А ступил я в том, что на приборе поставил замер не напряжения, а сразу сопротивления.

Ток 0,4532 мА - из формулы Rs = (pi/ln2)*R, если мы хотим немного упростить себе работу и нагло умножать каждый результат на 10 для получения удельного поверхностного сопротивления. (это я для себя и для тех, кто с замером тестовых структур пока что на Вы).


Сообщение отредактировал Пацаев - Jun 30 2012, 20:58
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Пацаев
сообщение Aug 30 2012, 19:20
Сообщение #4


Частый гость
**

Группа: Участник
Сообщений: 77
Регистрация: 4-11-09
Пользователь №: 53 413



МОП-транзисторы в тестовой полоске можно располагать как отдельно друг от друга (каждый транзистор имеет независимые контактные площадки), так и с совмещенными площадками (например, затвор, исток, подложка общие, сток у каждого МОПТ свой). Кто-нибудь встречал при замерах влияние одних транзисторов на другие при совмещении? Если партия вышла удачная, утечки тока сток-исток (а может, сток-карман) небольшие, влияние вряд ли заметно. Вопрос в том, есть ли причины к созданию отдельных тестовых транзисторов, не обращая внимание на сокращение рабочей площади кристалла?
Go to the top of the page
 
+Quote Post



Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 3rd August 2025 - 10:20
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01394 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016