Моделирование блока памяти Опции

[radiomax1]

Мне надо по заданию смоделировать блок памяти 1кб ППЗУ, из микросхем 256*8. Сколько таких микросхем надо иметь. То есть где узнать о структуре такого блока памяти, что значит 256*8. Кроме того подскажите какая литература подходит для теоретического и практического ознакомление с этим вопросом. Например пригоден ли здесь бабич. Надо ли это моделировать лиш в электроник воркбенч?

[radiomax1]

У меня есть пример построение схемы 2кб*8 з микросхем 1кб*8. В 2ох схемах (bаnk) по два DD1 (2), что складаются с трех частей. Крайняя с маркировкой D0..D7. Средняя часть называется RАМ. А 3-яя-как раз с маркировкой А0..А9 и в обоих с выходами WЕ и CS. С cs идут линии к 1(инвертирование). В нижней еще одна 1 а в верхней &(сложение А11-15), которое идут к верх. горизонт шине W* над которой паралельно-WА. Которая соедина с нижней второй 1ей. Два выхода WЕ идутк к WК внизу. А стрелки которые направлены к двом мсхемам от W*. А справа от этих банок вертикальная линия которая тоже имеет отвлетвение к этим мсхемам пересекает верх. гориз. шины WА И W*. Так запутано но постараюсь ее еще нарисовать. Потому хотелось бы гдето посмотреть пример в книге с пояснением всех взаимосвязей.

У меня есть пример построение схемы 2кб*8 з микросхем 1кб*8. В 2ох схемах (bаnk) по два DD1 (2), что складаются с трех частей. Крайняя с маркировкой D0..D7. Средняя часть называется RАМ. А 3-яя-как раз с маркировкой А0..А9 и в обоих с выходами WЕ и CS. С cs идут линии к 1(инвертирование). В нижней еще одна 1 а в верхней &(сложение А11-15), которое идут к верх. горизонт шине W* над которой паралельно-WА. Которая соедина с нижней второй 1ей. Два выхода WЕ идутк к WК внизу. А стрелки которые направлены к двом мсхемам от W*. А справа от этих банок вертикальная линия которая тоже имеет отвлетвение к этим мсхемам пересекает верх. гориз. шины WА И W*. Так запутано но постараюсь ее еще нарисовать. Потому хотелось бы гдето посмотреть пример в книге с пояснением всех взаимосвязей.