Вы управляете затвором с фронтами в 1нс, при такой крутизне фронтов и 10 омном резисторе не удивительно что на реальной модели емкости IGBT создают неслабые потери. Это ж какой ток должен быть чтоб зарядить от 0 до 20 вольт за 1 нс. Дайте реальные фронты, при ширине импульса 570us фронты в реальном устройстве наверное 5..10us. Думаю токи резко снизятся.
Сообщение отредактировал novchok - Dec 28 2012, 19:11
--------------------
Herz укроп и педрила
|