Если я правильно понимаю вопрос, то попробую сослаться на:
Liang M, Chang C, Yeow Y, Hu C and Brodersen R 1984 MOSFET degradation due to stressing of thin oxide IEEE Trans. Electron Devices 31 1238–44
Shin H.C.,. Hu C. Thin gate oxide damage due to plasma processing Semicond. Sci. Technol. 11 (1996) 463–473.
Они вроде ссылаются на то, что основная деградация касается подпороговой крутизны характеристики, порогового напряжения и мобильности носителей. Первые два, по крайней мере, легко измеряемы, и несложно оценить деградацию этих параметров в сравнении транзисторов, не подключенных затворами к значительным "антенным" структурам и подключенных.
P.S. Я даже близко не технолог, я этим лишь интересовался при разработке аналоговых блоков на готовой технологии, чтобы понять, что подкрутить в моделях для оценки худшего случая воздействия антенного эффекта на полевик в пределах допустимых по antenna rules отношений площадей. Так что "пальцем в небо", но может чем поможет...
|