Трюки по повышению рабочего напряжения Опции

[BarsMonster]

Возник такой вопрос,
Известны ли стандартные трюки, с помощью которых имея 3.3В полевые транзисторы можно сделать IO на бОльшее напряжение (5-12В)?
Т.е. соединяя их последовательно с балансировкой и хитрым управлением напряжением на затворе, с изоляцией транзисторов через triple well или SOI?

Интересуют ссылки на книжки, собственный опыт.

То что зачастую проще найти фабрику с HV-опцией и не париться - это понятно.

[KMC]

Для элементов IO такие трюки не применяются, поскольку от таких элементов требуется максимальная надежность. Площадки должны функционировать все свое время жизни с заданным количеством отказов.
Для схем, которые постоянно не находятся под стрессовым напряжением ( близким к напряжению пробоя диэлектрика или p-n перехода), например, такие как схемы накачки энергонезависимой памяти (flash), схемы электростатической защиты, схемы накачки для управления ключами переключаемых конденсаторов, работа с напряжениями, большими чем типовое допустимое напряжение питания - обычное явление.
Такие схемы обычно могут работать с напряжениями в 80-90% от напряжения пробоя.
Давно известная приближенная оценка пробовного напряжения: Uпробоя в вольтах = толщина подзатворного в ангстремах. Это что касается пробивного диэлектрика. Также следует контролировать в таких схемах пробой pn-переходов.
Вообще многие фабрики имеют элементы ввода-вывода, которые работают в режиме overdrive. Т.е. элементы ввода вывода, например, рассчитанные на 2.5 В, поддерживают напряжения до 3.3 В на той же элементной базе.
Что касается схемотехники формирования и использование таких напряжений - то это стандартные схемы накачки, использование транзисторов со смещенным потенциалом кармана (подложки) и т.д.
Работать с 5В при питании 3.3В и типовыми транзисторами - это реально. С 12 В - скорее всего уже нет, поскольку уже ни один pn -переход не выдержит такого обратного смещения.