высокое сопротивление канала p-MOSFET FDN306P Опции

[allmaker]

Уважаемый народ. Столкнулся вот с такой проблемой.
Есть ключ на p-MOSFET FDN306P. На истоке 4.2В, исток-затвор 10к резистор, затвор - земля 200 Ом резистор, на стоке GSM модем в пике 1.8А.
Судя по характеристикам FDN306P (RDS(ON) = 40 mΩ @ VGS = –4.5 V RDS(ON) = 50 mΩ @ VGS = –2.5 V) падение напряжения сток - исток не должен превышать примерно 1,8 х 0,045 = 0,081 В.
Реально падает до 1 В. Сижу курю. Помогите плз кто чем может.

[Aner]

я для управления ставлю еще биполярник BC847, не жадничаю. Применяю разные IRLML6402, FDC633N, ... .Блокировочники против возбуда и затяга фронта. Использую схему OЭ или с общим истоком, "чтоб негудело". В сериях подтвердился мой выбор, также для SIM900 питание отключаю/включаю.

Да и вот еще что, погоняйте в симуляторе, вопросы отпадут.

[allmaker]

я для управления ставлю еще биполярник BC847, не жадничаю. Применяю разные IRLML6402, FDC633N, ... .Блокировочники против возбуда и затяга фронта. Использую схему OЭ или с общим истоком, "чтоб негудело". В сериях подтвердился мой выбор, также для SIM900 питание отключаю/включаю.

Да и вот еще что, погоняйте в симуляторе, вопросы отпадут.

Да чего тут гонять-то... Все вроде как кошерно