высокое сопротивление канала p-MOSFET FDN306P Опции

[allmaker]

Уважаемый народ. Столкнулся вот с такой проблемой.
Есть ключ на p-MOSFET FDN306P. На истоке 4.2В, исток-затвор 10к резистор, затвор - земля 200 Ом резистор, на стоке GSM модем в пике 1.8А.
Судя по характеристикам FDN306P (RDS(ON) = 40 mΩ @ VGS = –4.5 V RDS(ON) = 50 mΩ @ VGS = –2.5 V) падение напряжения сток - исток не должен превышать примерно 1,8 х 0,045 = 0,081 В.
Реально падает до 1 В. Сижу курю. Помогите плз кто чем может.

[Aner]

R3 с коллектора прям в затвор, можно её и до 1..10K увеличить. А так у вас делитель получается, не-до-открывается полевик, отсюда и падение 1 вольт на нем. Со стока и затвора на землю ставля конденсаторы, подбираю симулируя. За кошерностью прячуться тривиальные ошибки, все же лучше погонять и посмотреть времена нарастания, допуски, разбросы.

[allmaker]

Таки причина в транзисторе. Причем в 4-х сразу. Наверное поставщик не то сунул. С IRLML6402 картина поменялась полностью.
Спасибо за участие.

Сообщение отредактировал allmaker - Apr 22 2013, 11:20