Потери в резонансном мостовом инверторе, Расходится расчет и практика Опции

[tema-electric]

Всем привет.

Собственно, есть статейка, в которой приводится методика расчета потерь. Посчитал, получились у меня для модуля MIXA40W1200TMH потери в районе 55 Вт для среднего тока 17 А (амплитудна тока 24 А, волновое сопротивления контура 32 Ом, напряжение на входе инвертора 500 В, мощность инвертора 5 кВт, резонансная частота 80 кГц).

Когда реально стал гонять модуль, потери на нем составили около 100 Вт, судя по разнице температуры между показаниями термистора и температурой радиатора. Термистор показывал 95 градусов, а радиатор 70. При этом я вышел всего на 2 кВт, вместо расчетных 5. На 2.5 кВт модуль перегрелся и сгорел.

Отсюда вопрос, какие типы потерь я не учел. Для статики все должно было работать. Динамических потерь вроде как нет.
Насколько существенно влияет частота работы транзисторов в таком режиме? У меня существует убеждение, что по идее раскачать можно любой резонансный контур на любую частоту, хоть на 200-300 кГц, но мне говорят что это не так, а причину не объясняют.

[НЕХ]

ZVS не подходит к IGBT, он оптимален для MOSFET.
Потери на выключение не снижаются более 30-50% с конденсаторами на коллекторе-эмиттере IGBT, из-за роста заряда, съедаемого хвостом тока.

Для IGBT надо ZCS с прекращением тока коллектора, но с удержанием на затворе открывающего потенциала в течении около 1 мкс.
Тогда потерь на выключение от хвоста не будет.

Есть топологии дающие ZVZCS. Работают хорошо. http://valvol.ru/topic51-1035.html#p84969

...но 80 кГц на 1200-вольтовых IGBT, ИМХО, безрассудство...

[tema-electric]

...но 80 кГц на 1200-вольтовых IGBT, ИМХО, безрассудство...

На 900 Вольтовых работает вплоть до 100 кГц. Без проблем, на алюминиевых радиаторах. Правда приходится на каждый транзистор по радиатору.
На IGBT модулях от семикрона из последней серии 12T4 на 1200 В работают до 50 кГц на мощности до 15 кВт, но греются до 80 градусов на медных радиаторах. Если спуститься до 30 кГц, то греются существенно меньше.