Старение IGBT в инверторе и изменения параметров, И не тольно IGBT, но и других елементов Опции

[PrSt]

Ребята, может кто встречал статейку или скан книги, по тематике типа: старение IGBT (хотя и друхих элементов тоже) и изменения параметров.
Не могу нагуглить ниче такого, даже на сайте инфиниона.
Особенно интересует как изменятся параметры IGBT транзисторов через 5, 10, 20 лет. Ясен пень что будут ухудшения параметров, но вот каких именно и конкретные цифры бы знать...
Очень актуально, если вы в теме или натыкались на такой документ, подскажите плз.
Нужно приблизительно прикинуть как изменятся параметры нашего инвертора через определенный срок устаревания продукции.
Инвертер на 10кВт, так что если из-за изменения параметров IGBT изменится эффективность на 1-2% то это уже повод чтото думать...

На всякий случай еще спросил у себя на форуме

[НЕХ]

про деградацию хорошо у Semikron расписано

[AlexandrY]

про деградацию хорошо у Semikron расписано

На сайте Semikron ничего конкретного не нашел.
Но вот статейка от них довольно интересная.
Особенно там интересно утверждение, что увеличение потерь в следствии деградации это процесс с положительной обратной связью.
Значит очень быстрый.

Т.е. внешний наблюдатель либо вообще не видит плавного увеличения потерь за какое-то продолжительное время, например год.
Либо видит неожиданные выходы из строя.

. Что слышал, то говорю. Каждые 5-6 градусов вверх снижают срок службы вдвое. Электрические параметры гарантируются при максимальных заявленных температурах в дейташите в течении срока службы, который, кстати, невелик.

Ну вы бы ссылку которую дали выше на IXYS посмотрели бы.
Там формула дана, гадать не надо. Называется это acceleration factor.

[Tiro]

Но вот статейка от них довольно интересная.
Особенно там интересно утверждение, что увеличение потерь в следствии деградации это процесс с положительной обратной связью.
Значит очень быстрый.

В статье в основном про циклический процесс разогрева-охлаждения, тут даже сталь сломается, не то что кремний.. Но полупроводник и от электрики сломаться может.

Ну вы бы ссылку которую дали выше на IXYS посмотрели бы.

Вы бы еще цифры в таблицах посмотрели, AF = 1@125C и не парили мозг.

Думаю, этот вопрос освещен, только не в той литературе. В литературе для технологов. Испытания всегда проводили при повышенной температуре и максимальных параметрах. Не ждать же 10 лет.

Но по опыту, правда советских времен, могу сказать, что производители по влиянию ниже предельных по какому то отдельному параметру могут ничего и не знать.
А те кто знает, из потребителей, не скажет.

На треть - "П", например, емкость.

Ошибаетесь насчет технологов и испытаний, испытания проводятся на пределе для максимально достоверного числа измерений для параллельной выборки. И ждут тысячи часов, причем чаще всего безрезультатно (нет отказов ни одного из параллельно испытываемого элемента).
По емкости будьте уверены, что параметры элемента будут в рамках дейташита до отказа. По ним отказ не предсказать.

[AlexandrY]

Вы бы еще цифры в таблицах посмотрели, AF = 1@125C и не парили мозг.

Цитировать надо точнее, уважаемый.
Там написано: Total Equivalent Device Hours @ 125°C {AF eq. (1)}

Это означает, что AF считали по формуле 1 а не то, что AF=1

А смысл в том, что, если к примеру есть значение наработки на отказ, то это не то что я ищу.

Искать, конечно можно.

Но мне приходит в голову такая аналогия:

Вот стреляют дробью, перед этим метко прицеливаются (оружие считаем пристреляно, "просимулировано").
Дробь разлетается, на нее воздействует непредсказуемый ветер, состояние воздуха и т.д. В цель попадает какой-то процент.
И стрелку говорят: чтобы лучше попадать есть такая нужная коррекция на старение дроби, ну дескать изменение ее веса вследствие распада изотопов свинца и все такое.
Смешно, да?

Хотя в маркетинговом плане звучало бы привлекательно - "дробь с предкоррекцией траектории учитывающей старение"

[Tiro]

Цитировать надо точнее, уважаемый.
Там написано: Total Equivalent Device Hours @ 125°C {AF eq. (1)}

Это означает, что AF считали по формуле 1 а не то, что AF=1

Из любви к точности:

AF=exp{Ea*[(T2-T1)/(T2*T1)]/k} (1)

Ea: activation energy;
@ HTRB Ea = 1.0 eV
@ HTGB Ea = 0.4 eV

k: Boltzmann’s constant 8.6*10^-5 eV/K
T1: abs. application junction temperature (273+Tj) K
T2: abs. test junction temperature (273+Tj) K

При T1=T2 получите AF=1

Это противоречит тому, что я написал?

Технологи решают как сделать надежно из имеющихся компонентов, а не занимаются вопросами надежности. Возможно Вы имели в виду технологов полупроводников?

[gte]

Возможно Вы имели в виду технологов полупроводников?

Да.