силовая микроэлектроника Опции

[Baza]

Собственно есть несколько вопросов к срециалистам:
надо уместить в корпусе типа TO-220 полевик 600В-4А и небольшую аналоговую схему

1. какие особенности проектирования таких кристаллов?
2. есть-ли в пакетах софта библиотеки силовых мосфетов?
3. как на кристалле реализуют высоковольтные резисторы?

[TiNat]

Для этих целей хорошо подойдет БиКДМОП технология, позволяющая интегрировать в кристалл высоковольтный ДМОП транзистор, и управляющую аналого-цифровую часть. Не совсем понятен вопрос, что значит библиотеки силовых мосфетов в пакетах софта. На фабрике, где Вы планируете изготавливать изделие, Вам предложат готовый PDK либо модель высоковольтного транзистора. Символ под модель создадите сами. А насчет резисторов, все зависит от схемы. Я лично с такой схемой сталкивался, тоже интегрировал в ТО-220 700В (Rdson порядка 10 Ом) транзистор с управлющей частью. К высоковольтному выводу у меня был подключен только транзистор, используя его карман (n-типа) и подложку, т.е с помощью JFET транзистора, интегрированного в высоковольтный, я понизил напряжение с высокого до 70 В. Там мне был необходим всего один резистор. Я сделал его диффузионным (слаболегированная p-область в n-кармане), с разными "головами": одна "голова" обычная - p+ область, в другой "голове" - слаболегированная p-область. Получил напряжение пробоя "голова" - карман порядка 100 В. Мне это было достаточно. Далее в схеме управления сделал шунт регулатор на 6В, и вся управляющая часть работала при питании 6 В. Для начала Вам надо найти фабрики, на которых Вы планируете изготовить изделие. Изучить их процессы с высоковолтьными опциями, а потом уже думать как и что реализовывать.